Kiselkarbid st\u00e5r sig v\u00e4l mot korrosion, n\u00f6tning och erosion; ger kraftfulla slipmedel; t\u00e5l h\u00f6ga temperaturer i kemiska anl\u00e4ggningar och pappersbruk; ger ett imponerande slipmedel; \u00e4r motst\u00e5ndskraftigt mot slitage i r\u00f6rsystem - ett enast\u00e5ende materialval \u00f6verlag!<\/p>\n
F\u00f6religgande uppfinning avser ett kiseliserat kiselkarbidmaterial som k\u00e4nnetecknas av dess alfa- (a-SiC) eller beta- (b-SiC) kiselkarbidmatris med \u00f6ppen porositet som inneh\u00e5ller kisel; varigenom kisel fyller dess porer f\u00f6r att bilda en komposit med mindre \u00e4n 4 vol % slutlig porositet.<\/p>\n
Kiselkarbid \u00e4r ett extremt t\u00e5ligt material. Det klarar h\u00f6ga temperaturer samtidigt som strukturen f\u00f6rblir intakt, vilket g\u00f6r det till ett idealiskt materialval f\u00f6r milj\u00f6er som kr\u00e4ver motst\u00e5ndskraft mot extrem v\u00e4rme. Dessutom t\u00e5l kiselkarbid elektriska f\u00e4ltsp\u00e4nningar som \u00e4r ungef\u00e4r tio g\u00e5nger h\u00f6gre \u00e4n kisel.<\/p>\n
Kiselkarbidens h\u00f6ga h\u00e5llfasthet och l\u00e5ga densitet g\u00f6r den till ett idealiskt keramiskt material f\u00f6r anv\u00e4ndning i kemiska anl\u00e4ggningar, kvarnar, expandrar och munstycken. Materialet \u00e4r mycket motst\u00e5ndskraftigt mot korrosion, n\u00f6tning och erosion samt friktionsslitage och har en enast\u00e5ende Young-modul p\u00e5 \u00f6ver 400 gPa samt exceptionell best\u00e4ndighet mot syror och lut.<\/p>\n
SiC:s atomgitter best\u00e5r av bindningar mellan kol- och kiselatomer i en sammankopplad struktur som ger materialet dess h\u00e5rdhet och mekaniska styrka, liksom andra egenskaper som l\u00e5g densitet, h\u00f6g elasticitetsmodul, inerthet, utm\u00e4rkt v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga och minskad v\u00e4rmeutvidgning.<\/p>\n
Kiselkarbidens imponerande h\u00e5llbarhet f\u00f6rnekar dess f\u00f6rm\u00e5ga att snabbt absorbera energi och \u00f6verf\u00f6ra den, vilket g\u00f6r den idealisk f\u00f6r applikationer som radiofrekvensteknik som kr\u00e4ver snabba v\u00e4xlingshastigheter med minimal str\u00f6mf\u00f6rlust och mindre enheter samtidigt som den erbjuder liknande prestanda.<\/p>\n
Kiselkarbid har exceptionella egenskaper vad g\u00e4ller styrka, h\u00e5rdhet och motst\u00e5ndskraft mot termisk chock. Det \u00e4r ett icke-korrosivt material som t\u00e5l temperaturer upp till 1600 grader Celsius utan att f\u00f6rs\u00e4mras och har utm\u00e4rkt slagh\u00e5llfasthet och b\u00f6jmotst\u00e5nd, vilket g\u00f6r det l\u00e4mpligt f\u00f6r lastb\u00e4rande applikationer.<\/p>\n
Kiselkarbid skiljer sig fr\u00e5n kisel genom att dess atomer bildar fyra bindningar ist\u00e4llet f\u00f6r tv\u00e5, vilket g\u00f6r materialet mycket starkare \u00e4n dess kiselbaserade motsvarighet och kan motst\u00e5 n\u00e4stan tio g\u00e5nger s\u00e5 stora elektriska f\u00e4lt. Dessutom har det h\u00f6g v\u00e4rmebest\u00e4ndighet och l\u00e5g termisk expansionskoefficient, vilket g\u00f6r det till ett idealiskt material att anv\u00e4nda i en rad olika industriella applikationer.<\/p>\n
Kiselkarbidens kemiska sammans\u00e4ttning av fyra kol- och kiselatomer i fyra tetraedrar ger en extremt t\u00e4t struktur. Kiselkarbid \u00e4r ett extremt t\u00e5ligt material som klarar h\u00f6ga temperaturer, sm\u00e4lta salter och syror utan att brytas ned eller l\u00f6sas upp.<\/p>\n
Kiselkarbid kan framst\u00e4llas genom flera processer, bland annat reaktionsbindning och sintring, d\u00e4r varje metod f\u00f6r\u00e4ndrar mikrostrukturen i den slutliga formen. Reaktionsbunden SiC bildas genom att kompakter av blandningar av kisel och kol infiltreras med flytande kisel, som reagerar med kol f\u00f6r att bilda mer SiC innan det sintras under inerta f\u00f6rh\u00e5llanden f\u00f6r att bilda mer av detta \u00e4mne. Bland dessa tekniker f\u00f6r att producera SiC finns Wurtzite-kristallstruktur som bildar alfa-SiC (a-SiC), medan kubisk beta-modifiering b-SiC finns bland dessa tekniker f\u00f6r att producera SiC.<\/p>\n
Kiselkarbidens styvhet \u00e4r en viktig komponent vid utformningen av strukturella komponenter. En h\u00f6g specifik styvhet \u00e4r mycket \u00f6nskv\u00e4rd eftersom den kan minska vikten samtidigt som den \u00f6kar styrkan hos strukturer.<\/p>\n
Kiselkarbidens exceptionella styvhet kan tillskrivas dess unika tetraedriska kristallstruktur, d\u00e4r varje kiselatom bildar starka kovalenta bindningar med fyra andra kiselatomer som bildar ett sammankopplat hexagonalt rutn\u00e4t av bindningar mellan sig sj\u00e4lv och fyra andra som bildar dess kristallramverk. Samma struktur f\u00f6rklarar dess otroliga h\u00e5rdhet.<\/p>\n
Kiselkarbid \u00e4r ett av de l\u00e4ttaste och starkaste avancerade keramiska materialen och har en brottseghet p\u00e5 6,8 MPa m0,5 som g\u00f6r det sv\u00e5rt f\u00f6r sprickbildning att uppst\u00e5. En b\u00f6jh\u00e5llfasthet p\u00e5 490 MPa och en extremt h\u00f6g Young-modul p\u00e5 440 GPa visar att materialet \u00e4r motst\u00e5ndskraftigt mot p\u00e5frestningar.<\/p>\n
Kiselkarbid sticker ut bland andra material tack vare sin l\u00e5ga v\u00e4rmeutvidgningskoefficient och h\u00e5llbarhet i kr\u00e4vande milj\u00f6er, vilket g\u00f6r den l\u00e4mplig f\u00f6r gasturbiner och raketmunstycken samt andra kr\u00e4vande applikationer som kombinationer av h\u00f6g temperatur och h\u00f6gt tryck utan nedbrytning. Kiselkarbidens styvhet beror p\u00e5 renhet, polykristallin typ, bildningsprocess samt val av kvalitet; genom att v\u00e4lja den idealiska kiselkarbidkvaliteten kan den specifika styvheten f\u00f6rb\u00e4ttras samtidigt som massdensiteten minskar genom tillsats av B4C som \u00f6kar Youngs modul samtidigt som massdensiteten minskar.<\/p>\n
Kiselkarbid \u00e4r ett h\u00e5rt material med en brottseghet p\u00e5 6,8 MPa m0,5, vilket visar att det \u00e4r motst\u00e5ndskraftigt mot sprickbildning. Dessutom bekr\u00e4ftar dess Young's modul p\u00e5 440 GPa dess styvhet - vilket placerar det bland de h\u00e5rdare materialen, endast diamant och borkarbid.<\/p>\n
Kiselkarbidens elektriska egenskaper \u00f6vertr\u00e4ffar de kommersiellt tillg\u00e4ngliga alternativen, med en genomslagssp\u00e4nning p\u00e5 cirka 600 V j\u00e4mf\u00f6rt med kisel. Kiselkarbid kan till och med n\u00e5 10 g\u00e5nger h\u00f6gre.<\/p>\n
SiC k\u00e4nnetecknas av utm\u00e4rkt oxidationsbest\u00e4ndighet, motst\u00e5ndskraft mot termisk chock, h\u00e5rdhet, kemisk stabilitet och produktion i polykristallin form; antingen som monokristallin keramik (a-SiC) eller produktion i polykristallin form, d\u00e4r den senare anv\u00e4nder kubisk zinkblendestruktur med tetraedrisk samordning av kiselatomer som liknar Wurtzite-kristallstrukturen.<\/p>\n
Kiselkarbid kan framst\u00e4llas p\u00e5 tv\u00e5 s\u00e4tt: genom reaktionsbindning eller sintring. Varje metod ger olika mikrostrukturer; reaktionsbunden kiselkarbid har vanligtvis en oj\u00e4mn mikrostruktur som best\u00e5r av grova partiklar som delvis \u00e4r anslutna till sin matris, vilket leder till l\u00e4gre volymfraktion och d\u00e5lig v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga \u00e4n komprimerade mikrostrukturer med h\u00f6gre volymfraktion av SiC-inneh\u00e5ll och b\u00e4ttre v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga som produceras genom sintring.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide stands up well against corrosion, abrasion and erosion; makes powerful abrasives; can withstand high temperatures found in chemical plants and paper mills; makes an impressive abrasive; is resistant to wear in pipe systems – an outstanding material choice overall! The present invention relates to a siliconized silicacarbide material characterized by its alpha (a-SiC)… L\u00e4s mer \"F\u00f6rdelar med kiseliserad kiselkarbid<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-430","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/430","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=430"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/430\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":431,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/430\/revisions\/431"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=430"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=430"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=430"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}