Kiselkarbid (SiC) \u00e4r ett h\u00e5rt halvledarmaterial med brett bandgap som finns b\u00e5de naturligt som den s\u00e4llsynta mineralen moissanit och massproducerat i fabriker. SiC anv\u00e4nds bland annat f\u00f6r bl\u00e4string, keramiktillverkning och vajers\u00e5gning samt f\u00f6r att motst\u00e5 kemiska st\u00f6tar och slitage.<\/p>\n
Acheson-processen \u00e4r det vanligaste s\u00e4ttet att tillverka SiC. Den skapar alfa- och beta-kiselkarbider med zinkblendekristallstruktur.<\/p>\n
Kiselkarbid (SiC) \u00e4r ett konstgjort material som framst\u00e4lls genom att kombinera kisel och kol, vilket resulterar i ett extremt h\u00e5rt, h\u00e5llbart och l\u00e4tt material som \u00e4r idealiskt f\u00f6r sk\u00e4rande bearbetning, slipning och borrning. SiC \u00e4r dessutom en utm\u00e4rkt elektrisk ledare och temperaturbest\u00e4ndigt. Kiselkarbid har funnit m\u00e5nga anv\u00e4ndningsomr\u00e5den i olika branscher, inklusive slipmedelsproduktion samt produktion av skotts\u00e4kra v\u00e4star och fordonsskydd; \u00f6verf\u00f6ring av elkraft; halvledare; produktion av bildelar och flygkomponenter samt till och med rymdstoft fr\u00e5n kolrika stj\u00e4rnor! Det f\u00f6rekommer till och med naturligt i kolrika stj\u00e4rnmilj\u00f6er!<\/p>\n
SiC blir ett allt viktigare material inom fordonsindustrin tack vare dess h\u00e5llbarhet, energibesparingar och kostnadseffektivitet. Drifttemperaturerna n\u00e5r 300 grader j\u00e4mf\u00f6rt med 175 grader f\u00f6r kiselkylsystem - vilket ger betydande kostnads- och viktminskningar genom att eliminera aktiva kylningskrav som ger extra vikt och kostnader.<\/p>\n
Dopning av SiC med kv\u00e4ve, fosfor eller gallium f\u00f6r att producera en halvledare av n-typ; dopning av SiC med aluminium, bor eller gallium f\u00f6r att bilda en halvledare av p-typ \u00e4r d\u00e5 m\u00f6jlig, vilket g\u00f6r kraftmoduler av kiselkarbid kostnadseffektiva, effektiva och tillf\u00f6rlitliga - och producerar EliteSiC kraftmoduler som erbjuder l\u00f6sningar med bar die, moduler med gelkapslade h\u00f6ljen eller transfergjutna moduler med fulla SiC MOSFETs som erbjuder upp till 20% l\u00e4gre effektf\u00f6rlust j\u00e4mf\u00f6rt med branschledande konkurrenter i applikationer med h\u00e5rd koppling \u00e4n branschledande konkurrenter.<\/p>\n
Kiselkarbid \u00e4r ett h\u00e5llbart avancerat keramiskt material med egenskaper som liknar diamant. Det \u00e4r ett av de l\u00e4ttaste, h\u00e5rdaste och starkaste material som finns och har enast\u00e5ende slitstyrka, korrosionsbest\u00e4ndighet och v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga - egenskaper som g\u00f6r det s\u00e4rskilt anv\u00e4ndbart i h\u00f6gteknologiska applikationer som halvledartillverkning.<\/p>\n
Kiselkarbidens kemiska inertitet g\u00f6r det till ett idealiskt material f\u00f6r tuffa milj\u00f6er d\u00e4r aggressiva kemikalier kan angripa mer \u00f6mt\u00e5liga material, t.ex. vatten, alkohol och syral\u00f6sningar. Dess l\u00e5ga specifika densitet placerar den dessutom n\u00e4ra diamant och borkarbid p\u00e5 Mohs h\u00e5rdhetsskala.<\/p>\n
Kiselkarbidens breda bandgap g\u00f6r att den kan fungera b\u00e5de som isolator och halvledare, vilket skiljer den fr\u00e5n material med antingen smala eller breda gap mellan elektronernas valensband och ledningsband. Denna egenskap g\u00f6r det m\u00f6jligt f\u00f6r elektroner att enkelt \u00f6verg\u00e5 fr\u00e5n valensbandet till ledningsbandet f\u00f6r f\u00f6rb\u00e4ttrad effektivitet och prestanda hos elektroniska enheter och komponenter. Dessutom g\u00f6r kiselkarbidens termiska stabilitet att den t\u00e5l mycket h\u00f6ga temperaturer, vilket g\u00f6r den till ett utm\u00e4rkt val f\u00f6r komponenter som v\u00e4rmev\u00e4xlare och flamant\u00e4ndare, medan dess v\u00e4rmebest\u00e4ndiga egenskaper m\u00f6jligg\u00f6r ugnsinfodringar.<\/p>\n
Kiselkarbid kan formas till m\u00e5nga olika former och storlekar f\u00f6r anv\u00e4ndning inom olika industrier, t.ex. slipmedel, gjuterier, v\u00e4rmev\u00e4xlare och halvledartillverkning f\u00f6r h\u00f6geffektsapparater.<\/p>\n
Kiselkarbidproduktion kan g\u00f6ras enkelt genom att blanda kiselsand med kol (eller en annan kolk\u00e4lla, som petroleumkoks) innan den v\u00e4rms upp vid h\u00f6ga temperaturer. Detta resulterar i olika former av kiselkarbid inklusive r\u00e5, makrokorn, mikrokorn och pulver med f\u00e4rger som str\u00e4cker sig fr\u00e5n svarta till bl\u00e5svarta nyanser beroende p\u00e5 j\u00e4rn- och kolf\u00f6roreningar i blandningen.<\/p>\n
En annan metod f\u00f6r att framst\u00e4lla kiselkarbid \u00e4r att sm\u00e4lta kiselsand och kalcinerat kol i en ljusb\u00e5gsugn, vilket ger granulat eller pulver som sedan kan raffineras ytterligare f\u00f6r att uppfylla specifika applikationsbehov.<\/p>\n
Detta material kan dopas med kv\u00e4ve, fosfor och beryllium f\u00f6r att bilda halvledare av n-typ; aluminium, gallium och bor kan tills\u00e4ttas f\u00f6r egenskaper av p-typ.<\/p>\n
Kiselkarbid kan bearbetas till sputterm\u00e5l, stavar och r\u00f6r, kullager, slitdelar och platta plattor f\u00f6r efterbearbetningsprocesser som slipning, fr\u00e4sning och borrning. F\u00f6rfaranden efter produktion kan ocks\u00e5 omfatta slipning, fr\u00e4sning och borrning f\u00f6r att slutf\u00f6ra produktionslinjer. Dessutom kan en bel\u00e4ggning av kiselkarbid avsev\u00e4rt \u00f6ka dess n\u00f6tningsbest\u00e4ndighet och tolerans mot termisk chock - denna egenskap \u00e4r s\u00e4rskilt anv\u00e4ndbar f\u00f6r st\u00e5ltillverkning d\u00e4r bel\u00e4ggningen \u00f6kar motst\u00e5ndet en till tv\u00e5 g\u00e5nger!<\/p>\n
Kiselkarbid (SiC) \u00e4r ett inert, svart till gr\u00f6nt fast \u00e4mne utan m\u00e4rkbar doft som inte l\u00f6ser sig i vatten, men som l\u00f6ser sig i alkalier eller j\u00e4rnl\u00f6sningar. Som halvledare med stort bandgap kan det dopas med kv\u00e4ve eller fosfor f\u00f6r att bilda halvledare av n-typ; det f\u00f6rekommer naturligt i naturen som moissanit och har sedan 1893 massproducerats som slipmedel och anv\u00e4nds som keramiska plattor i skotts\u00e4kra v\u00e4star; dessutom kan det ocks\u00e5 bindas via sintring till mycket h\u00e5rda och h\u00e5llbara keramer som anv\u00e4nds i mekaniska t\u00e4tningar, slipmaskiner och som slipmaterial.<\/p>\n
Miller and Company LLC \u00e4r den branschledande leverant\u00f6ren av kiselkarbidbriketter och korn till st\u00e5lindustrin, och Millers CARBOLON MA \u00e4r en idealisk ers\u00e4ttning f\u00f6r ferrokisel och kiselmangan i BOF-st\u00e5ltillverkning p\u00e5 grund av dess l\u00e4gre kv\u00e4ve- och svavelhalt. CARBOLON MA \u00e4r ocks\u00e5 en effektiv slaggdesoxidator och ger mer energi per ton \u00e4n kol, vilket g\u00f6r den till en kostnadseffektiv l\u00f6sning n\u00e4r det uppst\u00e5r brist p\u00e5 hetmetall eller tillf\u00e4lliga avbrott i masugnen.<\/p>\n
St\u00e5lets styrka och h\u00e5llbarhet g\u00f6r det till ett utm\u00e4rkt material f\u00f6r slitdelar som mekaniska t\u00e4tningar, axlar och slipskivor. Dessutom g\u00f6r dess v\u00e4rmebest\u00e4ndighet att det kan anv\u00e4ndas i komponenter som sm\u00e4ltdeglar f\u00f6r metall, delar till klassificerare och krossar samt halvledare f\u00f6r elkraft. Kemisk inertitet, sm\u00e4ltbest\u00e4ndighet, l\u00e5g v\u00e4rmeutvidgning och h\u00f6g v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga g\u00f6r ocks\u00e5 st\u00e5l till ett ov\u00e4rderligt val i applikationer som elkraftsapplikationer som isolatorer, v\u00e4rmare och h\u00f6gtemperaturgivare.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide (SiC) is a hard, wide bandgap semiconductor material found both naturally as the rare mineral moissanite as well as mass produced in factories. SiC can be found used for applications including abrasive blasting, ceramics production and wiresawing as well as chemical shock resistance and wear resistance resistance. The Acheson process is the go-to… L\u00e4s mer \"Leverant\u00f6r av kiselkarbid<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-312","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/312","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=312"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/312\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":313,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/312\/revisions\/313"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=312"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=312"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=312"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}