Kiselkarbid (SiC), \u00e4ven kallat karborundum, \u00e4r ett h\u00f6gpresterande material med \u00f6verl\u00e4gsen styrka och h\u00e5llbarhet, som ofta anv\u00e4nds i applikationer som kr\u00e4ver h\u00f6g temperaturbest\u00e4ndighet, t.ex. gassensorer och str\u00e5lningsdetektorer.<\/p>\n
DSC-kurvorna visade att tillsats av SiC i SBR\/BR-SiC avsev\u00e4rt p\u00e5skyndade h\u00e4rdningsreaktionen vid en uppv\u00e4rmningshastighet p\u00e5 10 K\/min och fick entalpivariationen att \u00f6ka proportionellt med SiC-inneh\u00e5llet.<\/p>\n
SiC:s h\u00f6ga v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga g\u00f6r det till ett utm\u00e4rkt material f\u00f6r anv\u00e4ndning vid h\u00f6ga temperaturer, fr\u00e5n ugnar och v\u00e4rmev\u00e4xlare till andra komponenter i energiomvandlingssystem. Dessutom g\u00f6r den l\u00e5ga v\u00e4rmeutvidgningen och h\u00f6ga h\u00e5llfastheten materialet idealiskt f\u00f6r anv\u00e4ndning som eldfasta material eller termostrukturella komponenter i ugnar eller v\u00e4rmev\u00e4xlare - f\u00f6r att inte tala om sj\u00e4lva energiomvandlingssystemen! Slutligen \u00e4r SiC ocks\u00e5 en effektiv halvledare f\u00f6r UV-sensorer i olika industrier, inklusive flyg- och k\u00e4rnkraftsproduktion.<\/p>\n
SiC:s v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga beror p\u00e5 kornstorleken och f\u00f6roreningskoncentrationen i kristallgittret samt temperaturen i deponeringskammaren och fl\u00f6deshastigheten f\u00f6r reaktantgasen; om dessa variabler \u00e4ndras kan v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5gan \u00f6ka eller minska.<\/p>\n
SiC \u00e4r en extraordin\u00e4r keramik som k\u00e4nnetecknas av en kristallin struktur best\u00e5ende av kol- och kiselatombindningar arrangerade tetraedriskt som ger den extraordin\u00e4r h\u00e5rdhet, mekanisk styrka, l\u00e5g densitet, kemisk inertitet och h\u00f6g v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga. Dessa egenskaper, tillsammans med h\u00f6g motst\u00e5ndskraft mot termisk chock, ger den exceptionella chockbest\u00e4ndighetsegenskaper; SiC \u00f6verlever \u00e4ven oxiderande milj\u00f6er med h\u00f6g temperatur vilket g\u00f6r den l\u00e4mplig f\u00f6r slitagemilj\u00f6er som involverar slipmedel eller korrosionsbest\u00e4ndiga slitageapplikationer.<\/p>\n
Kiselkarbid (SiC) har en \u00f6verl\u00e4gsen motst\u00e5ndskraft mot termisk chock, vilket g\u00f6r det till ett utm\u00e4rkt eldfast material. Tack vare sin l\u00e5ga v\u00e4rmeutvidgning och h\u00f6ga v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga kan SiC l\u00e4tt anpassa sig till pl\u00f6tsliga temperaturf\u00f6r\u00e4ndringar utan att lossna fr\u00e5n sin omgivning, men snabba temperaturv\u00e4xlingar kan orsaka mekaniska sp\u00e4nningar som ger sprickor i den keramiska matrisen eller mikrosprickor som skadar materialet permanent.<\/p>\n
SiC kan l\u00e4tt formas till olika former f\u00f6r anv\u00e4ndning i olika applikationer. Reaktionsbindning och sintring \u00e4r popul\u00e4ra metoder f\u00f6r att producera SiC, d\u00e4r varje metod f\u00f6r\u00e4ndrar b\u00e5de mikrostrukturen och h\u00e5llfasthetsegenskaperna. Reaktionsbunden SiC bildas genom att kompakter av blandningar av SiC och kol infiltreras med sm\u00e4lt kisel som reagerar med kolet f\u00f6r att producera ytterligare SiC samtidigt som betydande m\u00e4ngder amorft kisel produceras.<\/p>\n
RBSC-kompositer inneh\u00e5ller inga grova SiC-partiklar, vilket kan f\u00f6rklara deras \u00f6verl\u00e4gsna motst\u00e5ndskraft mot termisk chock. Dessutom uppvisar de h\u00f6gre halsning och f\u00e4rre reservoarer av kiselfickor j\u00e4mf\u00f6rt med j\u00e4mf\u00f6rbara por\u00f6sa SiC-kroppar; dessutom har dessa material h\u00f6gre v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga \u00e4n kommersiella kiselomvandlade grafitmaterial.<\/p>\n
Kiselkarbidens h\u00f6ga dragh\u00e5llfasthet g\u00f6r den idealisk f\u00f6r mekaniska sensorer med h\u00f6g kraftk\u00e4nslighet, liksom dess goda kemiska resistens och anv\u00e4ndning i milj\u00f6er med h\u00f6ga temperaturer. Dessutom kan denna m\u00e5ngsidiga och h\u00e5llbara keramik tillverkas i por\u00f6s eller fast form; i fast form kan den anv\u00e4ndas som eldfasta material eller termostrukturella komponenter; dessutom anv\u00e4nds den i ugnar, v\u00e4rmev\u00e4xlare och energiomvandlingsanordningar samt \u00e4r ett idealiskt materialval f\u00f6r pumpt\u00e4tningar\/kroppar\/munstycken\/g\u00e4ngglidare\/g\u00e4ngglidare\/g\u00e4ngglidare\/g\u00e4ngglidare\/g\u00e4ngglidare\/g\u00e4ngglidare\/g\u00e4ngglidare etc.<\/p>\n
Li et al. har skapat reaktionsbundna SiC (RBSC) genom att j\u00e4mnt f\u00f6rdela hackade fibrer i en bimodal kiselsuspension. Deras unders\u00f6kning visade att dessa RBSC har \u00f6verl\u00e4gsen b\u00f6j- och brottseghet, som \u00f6vertr\u00e4ffar monolitiska, med \u00f6kande v\u00e4rmebehandlingstemperaturer; deras dragh\u00e5llfasthet \u00f6kade i takt med det; denna styrka h\u00f6ll ocks\u00e5 efter termisk oxidationstestning vilket visar att de effektivt skyddade inb\u00e4ddade a-SiC-mikrostrukturer fr\u00e5n oxidativ nedbrytning vid h\u00f6g temperatur.<\/p>\n
Kiselkarbid (SiC) \u00e4r ett konstgjort kristallint material med mycket starka kovalenta Si-C-bindningar som g\u00f6r det b\u00e5de h\u00e5rt och spr\u00f6tt, men samtidigt kemikaliebest\u00e4ndigt och temperaturstabilt. SiC anv\u00e4nds fr\u00e4mst i halvledarkomponenter, elverktyg och lysdioder; dessutom \u00e4r det vanligt f\u00f6rekommande i str\u00e5lningsresistenta applikationer i medicinsk bildutrustning och str\u00e5lningsskyddande applikationer. SiC kan k\u00f6pas i pulverform eller som helt t\u00e4ta material som eldfasta material och por\u00f6sa filterkroppar med \u00f6verl\u00e4gsen str\u00e5lningsresistens; dessutom kan det ocks\u00e5 anv\u00e4ndas i keramiska matriskompositer som har utm\u00e4rkta krypbrottsegenskaper.<\/p>\n
Att minska duktiliteten hos partikelf\u00f6rst\u00e4rkta kiselkarbid\/aluminiummatriskompositer genom att optimera deras mikrostruktur kan avsev\u00e4rt f\u00f6rb\u00e4ttra deras duktilitet. Pulvermetallurgi \u00e4r ett s\u00e4tt att g\u00f6ra detta; band av grovkornig (CG) SiCm varvat med ultrafina korn inneh\u00e5llande SiCsm kan inf\u00f6ras genom pulveriseringsprocesser.<\/p>\n
Ett innovativt icke-vattenhaltigt gelcasting-system best\u00e5ende av fenolharts och furfurylalkohol har utvecklats f\u00f6r gjutning av RBSC, vilket eliminerar problem med ytexfoliering i samband med akrylamidbaserade gelcasting-system. Som ett resultat uppvisar dessa nya RBSCs h\u00f6g mikroh\u00e5rdhet och seghet tack vare starka bindningar mellan SiC-bel\u00e4ggningen och MWCNTs.<\/p>\n
Kiselkarbid (SiC) utm\u00e4rker sig bland de flesta keramer genom att ha en exceptionell motst\u00e5ndskraft mot oxidation i milj\u00f6er med h\u00f6ga temperaturer, tack vare bildandet av ett oxidskikt p\u00e5 ytan som kallas SiO2 och som skyddar det mot ytterligare reaktion med oxiderande f\u00f6reningar. SiC kan dessutom f\u00f6rst\u00e4rkas med element som krom, titan och aluminium, vilket ytterligare \u00f6kar dess motst\u00e5ndskraft mot korrosion.<\/p>\n
SiCs oxidationsbeteende best\u00e4ms av b\u00e5de dess typ och koncentration av dop\u00e4mnen samt dess milj\u00f6. Dop\u00e4mnen integreras i energim\u00e4ssigt icke-ekvivalenta kvasi-hexagonala (h) eller kvasi-kubiska (k) C-platser i kristallstrukturen; deras joniseringsenergi p\u00e5verkar ocks\u00e5 deras oxidationsbeteende under olika milj\u00f6f\u00f6rh\u00e5llanden.<\/p>\n
SiC kan avsev\u00e4rt f\u00f6rb\u00e4ttra sin oxidationsbest\u00e4ndighet genom anv\u00e4ndning av en EBC-oxidminikomposit med mullitbel\u00e4ggning som anv\u00e4nds som f\u00f6rsta infiltrerande material, d\u00e4r detta lager fungerar som en infiltrationsbarri\u00e4r mellan EBC-oxid och SiC-substrat, vilket f\u00f6rhindrar dess oxidation - en viktig faktor f\u00f6r att uppn\u00e5 h\u00f6g oxidationsbest\u00e4ndighet f\u00f6r RBSC-kompositer.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide (SiC), also referred to as carborundum, is a high-performance material with superior strength and durability, widely utilized in applications requiring high temperature resistance such as gas sensors and radiation detectors. DSC curves revealed that adding SiC to SBR\/BR-SiC significantly accelerated its curing reaction at a heating rate of 10 K\/min and caused its… L\u00e4s mer \"Kiselkarbidblandning<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-288","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/288","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=288"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/288\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":289,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/288\/revisions\/289"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=288"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=288"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=288"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}