1200V sct055hu65g3ag bygger p\u00e5 ST:s tredje generationens SiC power MOSFET-teknik och har betydligt l\u00e4gre RDS(ON) per ytenhet \u00e4n tidigare generationer, tillsammans med ett branschledande godhetstal. L\u00e5ga kapacitanser och snabb switchning g\u00f6r det ocks\u00e5 m\u00f6jligt f\u00f6r kraftsystemkonstrukt\u00f6rer att f\u00f6rb\u00e4ttra energieffektiviteten och samtidigt minska systemets storlek och vikt j\u00e4mf\u00f6rt med konventionella kiselkomponenter. Dessutom finns st\u00f6d f\u00f6r dubbelriktat kraftfl\u00f6de, vilket \u00e4r n\u00f6dv\u00e4ndigt f\u00f6r traktionsomvandlare i bilar som anv\u00e4nds f\u00f6r att snabbt ladda batterier i elbilar.<\/p>\n
Men det hindrar inte folk fr\u00e5n att f\u00f6rs\u00f6ka undvika att betala. S\u00e5 l\u00e5t oss g\u00f6ra ett nytt f\u00f6rs\u00f6k - s\u00e5 snart skatten f\u00f6rfaller \u00e4r vi borta! ST:s banbrytande 3:e generationens SiC Power MOSFET-teknik kombinerar l\u00e5g on-resistans \u00f6ver hela temperaturomr\u00e5det med extremt l\u00e5g kapacitans f\u00f6r f\u00f6rb\u00e4ttrade applikationsprestanda vad g\u00e4ller frekvens, energieffektivitet och systemstorlek\/vikt j\u00e4mf\u00f6rt med konventionella kisel-MOSFET:er. SCT055HU65G3AG-enheten har ocks\u00e5 en snabb inbyggd diod som st\u00f6der dubbelriktat str\u00f6mfl\u00f6de, en viktig funktion i applikationer som fordonsladdare och snabbladdare f\u00f6r elfordon (EV). Denna funktion minskar f\u00f6rlusterna samtidigt som den f\u00f6renklar systemkomplexiteten och g\u00f6r det m\u00f6jligt f\u00f6r systemkonstrukt\u00f6rer att enkelt konstruera elektrisk utrustning f\u00f6r elbilar och industriellt bruk med MOSFET:er som finns i olika f\u00f6rpackningar f\u00f6r att uppfylla kundernas krav.<\/p>\n
SCT055HU65G3AG SiC Power MOSFET ger \u00f6verl\u00e4gsna prestanda j\u00e4mf\u00f6rt med sina motsvarigheter i kisel. ST:s innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik har l\u00e5gt tillkopplingsmotst\u00e5nd \u00f6ver hela temperaturomr\u00e5det i kombination med mycket l\u00e5ga kapacitanser och snabb switchning. Dessa faktorer g\u00f6r att konstrukt\u00f6rer av kraftsystem kan \u00f6ka frekvensen, energieffektiviteten och minska systemets storlek och vikt j\u00e4mf\u00f6rt med system som anv\u00e4nder konventionella kisel-MOSFETs. SiC MOSFET:erna har h\u00f6gre m\u00e4rksp\u00e4nning och mindre chipstorlek i f\u00f6rh\u00e5llande till f\u00f6rpackningsstorleken, vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r laddare i elfordon och applikationer f\u00f6r snabbladdningsinfrastruktur. Dessutom levereras dessa enheter med kylflikar som g\u00f6r det enklare att ansluta dem till basplattor eller kylfl\u00e4nsar i en EV-applikation.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Low On-Resistance The 1200V sct055hu65g3ag is built upon ST’s third-generation SiC power MOSFET technology and boasts significantly lower RDS(ON) per unit area than prior generations, accompanied by an industry-leading figure-of-merit. Low capacitances and fast switching also combine to allow power-system designers to improve energy efficiency while simultaneously decreasing system size and weight compared with conventional… L\u00e4s mer \"1200V SCT055HU65G3AG MOSFET<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-268","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=268"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":269,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268\/revisions\/269"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=268"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=268"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=268"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}