Kiselkarbid revolutionerar kraftdesign genom att erbjuda h\u00f6gre effektivitet och effektt\u00e4thet i applikationer som str\u00e4cker sig fr\u00e5n elfordon, solcellsv\u00e4xelriktare och industriella switchade n\u00e4taggregat. Infineon tillhandah\u00e5ller premiumprodukter som ger betydande kostnadsbesparingar i alla system tack vare sin omfattande expertis inom SiC MOSFETs och kisel IGBTs.<\/p>\n
Kulim 3 Fabric i Malaysia har s\u00e4krat f\u00f6rskottsbetalningar fr\u00e5n kunder f\u00f6r att s\u00e4kra kapacitetsreservationer och skapa stabilitet i leveranskedjan, vilket bidrar till att f\u00f6rhindra produktionskriser i framtiden.<\/p>\n
Infineons CoolSiC G2 MOSFET trench-teknologi representerar en revolutionerande utveckling inom kraftsystem och energiomvandling, och revolutionerar nyckeltal som lagrad energi och laddning med upp till 20% j\u00e4mf\u00f6rt med f\u00f6reg\u00e5ngaren utan att kompromissa med kvalitet eller tillf\u00f6rlitlighet. Detta leder till \u00f6kad energieffektivitet, l\u00e4gre kostnad per watt och bidrar till arbetet med att minska koldioxidutsl\u00e4ppen.<\/p>\n
CoolSiC G2 kombinerar f\u00f6rdelarna med kiselkarbid med branschledande tillf\u00f6rlitlighet f\u00f6r att leverera branschledande tillf\u00f6rlitlighet. Den har utm\u00e4rkta lavinprovningsresultat, kan arbeta under h\u00f6ga temperaturer och sp\u00e4nningsf\u00f6rh\u00e5llanden, har ett brett drifttemperaturomr\u00e5de och ett robust skydd mot parasiteffekter; dessutom m\u00f6jligg\u00f6r den h\u00f6ga gate drive-str\u00f6mmen snabbare switchhastigheter f\u00f6r \u00f6kad total effektt\u00e4thet.<\/p>\n
Enheten har en imponerande l\u00e5g RDS(on), vilket bidrar till att minska effektf\u00f6rlusterna och d\u00e4rmed f\u00f6rb\u00e4ttra energieffektiviteten. Dessutom s\u00e4kerst\u00e4ller dess switchbeteende som svar p\u00e5 termisk belastning optimal toppeffektivitet vid alla temperaturer.<\/p>\n
Infineons 3,3 kV XHP 2 CoolSiC G2-portf\u00f6lj m\u00f6jligg\u00f6r mindre formfaktorer f\u00f6r DC-snabbladdningsstationer f\u00f6r elfordon, motordrifter, solceller och energilagringsinstallationer. Dessutom f\u00f6rl\u00e4nger dess \u00f6verl\u00e4gsna cykelegenskaper livsl\u00e4ngden, vilket leder till l\u00e4gre kostnad per watt.<\/p>\n
Kiselkarbid (SiC) \u00e4r ett industriellt g\u00e5ngbart halvledarmaterial, dopat med kv\u00e4ve eller fosfor f\u00f6r produktion av n-typ och syre eller gallium f\u00f6r p-typ. Sm\u00e4lts samman eller binds med andra material f\u00f6r att bilda chips, t.ex. krafthalvledare. J\u00e4mf\u00f6rt med kisel uppvisar SiC \u00f6verl\u00e4gsna prestanda vid h\u00f6gre temperaturer samtidigt som det har l\u00e4gre sp\u00e4nningsfall, str\u00f6muttag och kopplingsf\u00f6rlust, med st\u00f6rre cyklingsf\u00f6rm\u00e5ga totalt sett.<\/p>\n
Infineons CoolSiC G2 MOSFET trench-teknik, som finns i deras 1200 V CoolSiC ICE-baserade HybridPACK Drive G2 Fusion-system, ger \u00f6kade MOSFET-nyckelprestandaindikatorer som lagrad energi och laddningskapacitet j\u00e4mf\u00f6rt med vad som tidigare har kunnat uppn\u00e5s med SiC MOSFETs. Detta leder till h\u00f6gre total systemeffektivitet och tillf\u00f6rlitlighet j\u00e4mf\u00f6rt med f\u00f6reg\u00e5ngarna.<\/p>\n
M1H-tekniken m\u00f6jligg\u00f6r ocks\u00e5 ett mycket bredare sp\u00e4nningsf\u00f6nster f\u00f6r grinden, vilket ger \u00f6kad motst\u00e5ndskraft mot sp\u00e4nningsspikar vid grinden som orsakas av drivdon och layout. Dessutom minskar de l\u00e5ga switch- och transmissionsf\u00f6rlusterna kylbehovet avsev\u00e4rt.<\/p>\n
F\u00f6rutom de vanliga f\u00f6rdelarna har Infineons nya moduler den b\u00e4sta cykelkapaciteten i sin klass med upp till 25 g\u00e5nger fler belastningscykler \u00e4n vanlig sammanfogningsteknik - vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r kr\u00e4vande applikationer som j\u00e4rnv\u00e4gsteknik, solceller, infrastruktur f\u00f6r laddning av elbilar med likstr\u00f6m och industriell str\u00f6mf\u00f6rs\u00f6rjning. De levereras i ett l\u00e4ttmonterat D2PAK SMD 7-pins paket f\u00f6r f\u00f6rb\u00e4ttrad v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga och monteringskontroll.<\/p>\n
CoolSiC MOSFETs \u00e4r AEC-Q101-kompatibla f\u00f6r att garantera s\u00e4kerhet, tillf\u00f6rlitlighet och h\u00e5llbarhet i kr\u00e4vande fordonsapplikationer. F\u00f6rpackade som DFN5060 f\u00f6r optimal v\u00e4rmeavledning f\u00f6rhindrar de \u00f6verhettning under kr\u00e4vande f\u00f6rh\u00e5llanden, medan deras h\u00f6ga krypavst\u00e5nd p\u00e5 5,89 mm uppfyller 800 V-systemkrav samtidigt som de minskar bel\u00e4ggningsarbetet. De \u00e4r halogenfria och RoHS-kompatibla ocks\u00e5 - perfekt!<\/p>\n
De nya enheterna ger h\u00f6gre effektt\u00e4thet och effektivitet till industriella drivenheter och laddningssystem f\u00f6r elfordon, med l\u00e4gre lednings- och switchf\u00f6rluster j\u00e4mf\u00f6rt med kisel-IGBT:er, vilket m\u00f6jligg\u00f6r h\u00f6gre switchfrekvenser samtidigt som de totala systemkostnaderna s\u00e4nks. De har ocks\u00e5 ut\u00f6kade temperaturomr\u00e5den s\u00e5 att de kan anv\u00e4ndas i tuffa milj\u00f6er.<\/p>\n
Dessa enheter har robusta dioder som \u00e4r klassade f\u00f6r h\u00e5rd kommutering, vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r effektfaktorkorrigeringskretsar och dubbelriktade topologier. Deras tillg\u00e4nglighet m\u00f6jligg\u00f6r en rad olika konfigurationer - DC-AC-inverterare, PFC-kretsar och till och med buck\/boost-omvandlare!<\/p>\n
Infineon utnyttjar sin omfattande expertis inom SiC MOSFET- och kisel-IGBT-teknik, paketering av kraftmoduler, gate drivers och sensorer f\u00f6r att utveckla premiumprodukter med kostnadsbesparingar p\u00e5 systemniv\u00e5. Som ett bevis p\u00e5 denna helhetssyn kan n\u00e4mnas Infineons investering i Kulim 3, v\u00e4rldens st\u00f6rsta 200 mm SiC-kraftfabrik. Detta kommer att g\u00f6ra det m\u00f6jligt f\u00f6r Infineon att forts\u00e4tta m\u00f6ta den v\u00e4xande efterfr\u00e5gan p\u00e5 sina teknologier med brett bandgap och kraftsysteml\u00f6sningar.<\/p>\n
P\u00e5 SEMICON West-m\u00e4ssan i San Francisco presenterade waferteknikf\u00f6retaget SILTECTRA GmbH i Dresden, Tyskland, nya CoO-f\u00f6rdelar (cost-of-ownership) f\u00f6r sin COLD SPLIT-lasertunningsprocess - f\u00f6rdelar som \u00e4r utformade f\u00f6r att gynna tillverkare av krafthalvledare.<\/p>\n
Tekniken anv\u00e4nder s\u00e5gliknande s\u00e5gtekniker f\u00f6r att dela kristallina material med minimal f\u00f6rlust, vilket ger mer \u00e4n dubbelt s\u00e5 m\u00e5nga wafers fr\u00e5n varje boule \u00e4n vad traditionell s\u00e5gteknik g\u00f6r och s\u00e4nker driftskostnaderna avsev\u00e4rt. Dessutom kan denna metod hantera olika substrat som kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN) och safir.<\/p>\n
Tekniken med tunna wafers kan ocks\u00e5 s\u00e4nka kostnaderna samtidigt som den f\u00f6rb\u00e4ttrar den elektriska prestandan hos slutanv\u00e4ndarenheter, inklusive SiC-baserade Schottky-dioder som anv\u00e4nds f\u00f6r ombordladdare och DC\/DC-omvandlare f\u00f6r elfordon. Tunna wafers har l\u00e4gre resistans vilket minskar de elektriska f\u00f6rlusterna.<\/p>\n
Infineons fabrik f\u00f6r tillverkning av krafthalvledare i 200-millimeters SiC i Kulim, Malaysia, kommer att bli den st\u00f6rsta och mest konkurrenskraftiga i v\u00e4rlden. Anl\u00e4ggningen, som \u00e4r avsedd att m\u00f6ta den \u00f6kade efterfr\u00e5gan p\u00e5 krafthalvledare i samband med den globala utfasningen av fossila br\u00e4nslen, \u00f6ppnar samtidigt som Infineons hubb i n\u00e4rheten av Villach i \u00d6sterrike, vilket m\u00f6jligg\u00f6r snabb expansion och s\u00f6ml\u00f6s uppskalning; allt f\u00f6r att s\u00e4kerst\u00e4lla en j\u00e4mn kvalitet och leverans till kunderna.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide is revolutionizing power design by offering greater efficiency and power density in applications ranging from electric vehicles, solar inverters and industrial-grade switch-mode power supplies. Infineon provides premium products which deliver substantial cost savings across systems thanks to its extensive expertise with SiC MOSFETs and silicon IGBTs. Kulim 3 Fabric in Malaysia has secured… L\u00e4s mer \"Infineons kiselkarbid f\u00f6r\u00e4ndrar kraftdesign<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-246","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/246","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=246"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/246\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":247,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/246\/revisions\/247"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=246"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=246"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=246"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}