Clas Sic Wafer Fab \u00e4r v\u00e4rldens f\u00f6rsta \u00f6ppna gjuteri som uteslutande \u00e4r dedikerat till produktion av krafthalvledare i kiselkarbid. Detta banbrytande \u00f6ppna gjuteri etablerades i juni 2017 och erbjuder snabb processutveckling och snabb time-to-market med kapacitet som str\u00e4cker sig fr\u00e5n komponentutveckling, provtagning och produktion av medelstora volymer upp till wafers med en diameter p\u00e5 150 mm.<\/p>\n
P\u00e5 grund av den begr\u00e4nsade ytan v\u00e4nde sig tillverkningsteamet till T-SQUARED f\u00f6r att f\u00e5 fullst\u00e4ndig expertis inom design och konstruktion som skulle s\u00e4kerst\u00e4lla att de kunde skapa en robust design som maximerade investeringsv\u00e4rdet.<\/p>\n
P\u00e5 Class Sic tilldelas medarbetarna aktier s\u00e5 snart f\u00f6retaget n\u00e5r betydande marknadsframg\u00e5ngar, vilket ger alla en k\u00e4nsla av \u00e4gande och motivation att se till att f\u00f6retaget \u00f6verlever. Medarbetarnas \u00e4gande uppmuntrar ocks\u00e5 till att dela med sig av innovativa id\u00e9er mellan kollegorna och samtidigt producera produkter av h\u00f6gsta m\u00f6jliga kvalitet.<\/p>\n
Sedan starten har Clas SiC snabbt vuxit till ett av de ledande f\u00f6retagen i v\u00e4rlden inom tillverkning av kiselkarbidskivor (SiC). I takt med denna imponerande framg\u00e5ng har ambiti\u00f6sa expansionsplaner tillkommit, b\u00e5de vad g\u00e4ller kapacitet och teknikportf\u00f6lj.<\/p>\n
Power SiC-enheter \u00e4r mycket efterfr\u00e5gade globalt p\u00e5 grund av de internationella anstr\u00e4ngningarna f\u00f6r att uppn\u00e5 en energianv\u00e4ndning p\u00e5 noll och elektrifiera transportsektorn, och Power SiC-enheter spelar en avg\u00f6rande roll i h\u00f6geffektiva applikationer f\u00f6r effektomvandling som dessa.<\/p>\n
Yoles senaste rapport visar att anv\u00e4ndningen av SiC-str\u00f6mf\u00f6rs\u00f6rjningsenheter \u00f6kar snabbt i \u00e5r, men leveranskedjan m\u00e5ste vara f\u00f6rberedd f\u00f6r denna \u00f6kning - s\u00e4rskilt p\u00e5 epiwaferniv\u00e5, d\u00e4r m\u00e5nga akt\u00f6rer har k\u00e4mpat f\u00f6r att \u00f6ka produktionskapaciteten.<\/p>\n
Clas SiC WaferFab \u00e4r Storbritanniens enda kompletta gjuteri f\u00f6r kiselkarbid (SiC)-wafers och erbjuder kunderna tillg\u00e5ng till hela deras behov av utveckling och produktion av kiselkarbid (SiC)-wafers med omfattande tj\u00e4nster som inkluderar design, provtillverkning och produktion av medelstora volymer p\u00e5 150 mm wafers. Kunderna kan p\u00e5skynda forskning och utveckling (FoU) av processer, snabb marknadsintroduktion av de enheter de designar samt st\u00f6dpaket f\u00f6r enheter inklusive tillverkningsprover.<\/p>\n
F\u00f6retagets huvudkontor ligger i Lochgelly, Fife, och erbjuder ingenj\u00f6rstalanger och kvalificerad arbetskraft i v\u00e4rldsklass samt \u00f6verl\u00e4gsna anl\u00e4ggningar f\u00f6r halvledarproduktion.<\/p>\n
Jen Walls, VD f\u00f6r Clas SiC, har en omfattande bakgrund inom halvledare med brett bandgap. Hon b\u00f6rjade sin karri\u00e4r p\u00e5 Raytheon inom deras f\u00f6rsvarsdivision d\u00e4r hon snabbt avancerade. Jen har dock alltid \u00f6nskat att deras division f\u00f6r kiselkarbid (SiC) skulle bli en sj\u00e4lvst\u00e4ndig enhet.<\/p>\n
Fr\u00e5n lanseringen med $50 miljoner i finansiering fr\u00e5n privata investerare 2017 fram till idag har Clas Sic sett en snabb tillv\u00e4xt i kundernas efterfr\u00e5gan till f\u00f6ljd av den globala str\u00e4van mot nollutsl\u00e4pp och elektrifiering av transporter. Som en f\u00f6ljd av detta har bolaget ut\u00f6kat b\u00e5de sin kapacitet och sin teknikportf\u00f6lj genom att addera SiC-dioder och MOSFETs med h\u00f6gre sp\u00e4nning, tillsammans med toppmoderna anl\u00e4ggningar och verktyg som \u00e4r s\u00e4rskilt avsedda f\u00f6r SiC-teknik.<\/p>\n
UnitedSiC f\u00f6resl\u00e5r att alla f\u00f6retag som \u00e4r intresserade av att tillverka kraftutrustning av SiC beh\u00f6ver en anl\u00e4ggning som kan bearbeta mellan 10 000 och 30 000 wafers per m\u00e5nad f\u00f6r bearbetnings\u00e4ndam\u00e5l, eftersom kostnaden f\u00f6r SiC kan \u00f6ka priset p\u00e5 kraftproducerande kretsar som anv\u00e4nder det.<\/p>\n
SiC-halvledare omvandlar batterikraft till vridmoment f\u00f6r \u00f6kad prestanda och r\u00e4ckvidd, vilket leder till \u00f6kad r\u00e4ckvidd och prestanda f\u00f6r fordon. Deras \u00f6verl\u00e4gsna energieffektivitet och tillf\u00f6rlitlighet j\u00e4mf\u00f6rt med kiselbaserade enheter g\u00f6r dem till mycket eftertraktade enheter.<\/p>\n
Tillverkare som vill producera SiC-chip f\u00f6r kraftf\u00f6rs\u00f6rjning m\u00e5ste f\u00f6rst skaffa sig h\u00f6gkvalitativa SiC-substrat innan de p\u00e5b\u00f6rjar bearbetningsstegen f\u00f6r att montera ihop sin enhet - dopning \u00e4r ett s\u00e5dant viktigt steg, d\u00e4r man tillf\u00f6r f\u00f6roreningar till SiC f\u00f6r att \u00e4ndra dess elektriska egenskaper och minska resistiviteten.<\/p>\n
Dop\u00e4mnen m\u00e5ste placeras med precision och med minimal skada p\u00e5 kristallgitteret under denna process, vilket inte \u00e4r n\u00e5gon enkel uppgift med tanke p\u00e5 substratmaterialets h\u00e5rdhet och densitet. F\u00f6r att underl\u00e4tta denna uppgift har Applied Materials utvecklat sitt VIISta 900 3D hot ion implant-system som m\u00f6jligg\u00f6r tillverkning av h\u00f6gkvalitativa SiC-substrat.<\/p>\n
Det nya verktyget syftar till att f\u00f6rb\u00e4ttra utbytet och energieffektiviteten genom att skapa en mer enhetlig och kompakt SiC-struktur samt genom att eliminera defekter eller h\u00e5lrum som f\u00f6rs\u00e4mrar prestandan. Verktygen i CS200-plattformen ger dessutom l\u00e4gre \u00e4gandekostnader \u00e4n konventionell CMP-utrustning som anv\u00e4nds f\u00f6r kisel eller sammansatta halvledare.<\/p>\n
Krafthalvledare av kiselkarbid (SiC) har blivit alltmer popul\u00e4ra p\u00e5 grund av sin \u00f6verl\u00e4gsna prestanda och l\u00e4gre kostnader j\u00e4mf\u00f6rt med krafthalvledare av kisel. I takt med att efterfr\u00e5gan p\u00e5 SiC \u00f6kar m\u00e5ste chiptillverkarna s\u00e4kerst\u00e4lla tillr\u00e4cklig tillg\u00e5ng p\u00e5 wafers - vissa har byggt egna tillverkningsanl\u00e4ggningar medan andra samarbetar med gjuterier som kan leverera de wafers de beh\u00f6ver; men nu v\u00e4xer en modell fram som g\u00f6r det m\u00f6jligt \u00e4ven f\u00f6r f\u00f6retag utan gjuterier att komma in p\u00e5 marknaden.<\/p>\n
En IDM kan tycka att en gjuterimodell \u00e4r anv\u00e4ndbar n\u00e4r man g\u00e5r in p\u00e5 SiC-marknaden f\u00f6r f\u00f6rsta g\u00e5ngen, men f\u00f6r etablerade IDM \u00e4r detta inte idealiskt eftersom deras verksamhet och design m\u00e5ste ske under samma tak - vilket eliminerar inblandning av tredje part s\u00e5 mycket som m\u00f6jligt.<\/p>\n
Clas Sic Wafer Fab g\u00f6r det m\u00f6jligt f\u00f6r f\u00f6retaget att f\u00f6rse kunderna med h\u00f6gkvalitativa produkter till en mer rimlig kostnad, tack vare ett erfaret tillverkningsteam som arbetar med st\u00e4ndiga f\u00f6rb\u00e4ttringar. De har ett n\u00e4ra samarbete med leverant\u00f6rer f\u00f6r att utveckla nya tekniker och produktionsprocesser, och de har ocks\u00e5 ett n\u00e4ra samarbete f\u00f6r att utveckla dem sj\u00e4lva.<\/p>\n
ST:s Clas SiC Wafer Fab kommer att g\u00f6ra det m\u00f6jligt f\u00f6r dem att producera STPOWER SiC-produkter i stora volymer p\u00e5 ett mer kostnadseffektivt s\u00e4tt och i st\u00f6rre volymer, enligt kund\u00e5taganden som uppskattas till 5 miljarder euro inom fordons- och industriapplikationer. Anl\u00e4ggningen f\u00f6rv\u00e4ntas tas i drift 2024 och blir d\u00e5 en av v\u00e4rldens st\u00f6rsta 200 mm SiC power Fabs.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Clas Sic Wafer Fab is the world’s first open foundry dedicated exclusively to producing silicon carbide power semiconductors. Established in June 2017, this pioneering open foundry offers rapid process R&D and quick time-to-market with capabilities spanning device development, sampling and medium volume production up to 150mm diameter wafers. With their limited site footprint, the fabrication… L\u00e4s mer \"Clas Sic Wafer Fab<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-204","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/204","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=204"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/204\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":205,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/204\/revisions\/205"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=204"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=204"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=204"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}