Chip med kiselkarbid (SiC) har högre spännings-, temperatur- och frekvensprestanda än motsvarande chip med kiselhalvledare, vilket gör dem lämpliga för elfordon, solkraftverk och andra... Läs mer om "Onsemi EliteSiC Power halvledare av kiselkarbid

Kiselkarbid (SiC), även kallad karborundum, är en oorganisk kemisk förening som består av kisel- och kolatomer som bildas naturligt som moissanite ädelsten.... Läs mer om "Transparent kiselkarbid

Kiselkarbidkeramer är bland de hårdaste och mest slitstarka som finns, med motståndskraft mot höga temperaturer, nötning, korrosion och andra tuffa miljöer. Kiselkarbid gör... Läs mer om "Sintrad kiselkarbid - Idealisk för militära och brottsbekämpande tillämpningar

SCT055HU65G3AG är en avancerad MOSFET i kiselkarbid (SiC) som ger snabbare växling, lägre förluster och bättre värmehantering i elektrisk utrustning för elfordon och andra... Läs mer om "650 V SCT055HU65G3AG MOSFET för snabbladdare för elbilar

MOSFETs av kiselkarbid (SiC) kan hantera mer ström än motsvarande IGBTs av kisel och är därför idealiska för applikationer med höga switchfrekvenser. Dessutom är SiC... Läs mer om "Fördelar med MOSFETs av kiselkarbid

Nickelkiselkarbid är ett exceptionellt material med otroliga egenskaper, t.ex. fyra gånger högre hårdhet jämfört med både nitrerat stål och diamanter. Komposit... Läs mer om "Nickel Kiselkarbid

SiC-etsning är en integrerad del av tillverkningen av kraftaggregat och mikrosystem. Att uppnå en hög etshastighet utan att försämra ytkvaliteten kan vara utmanande på grund av ... Läs mer om "Hur man kontrollerar SiC-etsning

Kiselkarbid (SiC) har överlägsna elektriska och mekaniska egenskaper, vilket gör det till ett eftertraktat material för applikationer som högeffektsströmställare och rymdelektronik. Dessutom är dess breda... Läs mer om "4H Kiselkarbid

Den amerikanska halvledarjätten Texas Instruments har meddelat att man kommer att uppgradera sin GaN-on-Si-process från 6-tums wafers till 8-tums wafers för att öka produktiviteten och sänka priserna... Läs mer om "Texas Instruments uppgraderar GaN-on-Si-processen