admin88

Az eszközök gyártásához a SiC-szeleteket pontosan kell vágni. Az egyes vágások minősége jelentős hatással van a szeletek olyan kulcsfontosságú jellemzőire, mint a hajlítás és… További információk »Hogyan vágjunk szilícium-karbid ostyát?

A szilícium-karbid kerámiák kiváló kémiai és mechanikai tulajdonságokkal rendelkeznek magas végfelhasználási hőmérsékleteken, például korrózióállósággal és törésszilárdsággal. Ezen felül kemények és nagyon… További információk »A szilícium-karbid kerámia előnyei

A szilícium-karbid (SiC) alkatrészek elengedhetetlen elemeivé váltak az elektromos járművek hajtáslánc-tervezésének. Íme, hogyan válasszon ki megfelelő SiC-beszállítót a tervezési projektjéhez… További információk »Hogyan válasszuk ki a tervezésünkhöz legmegfelelőbb SiC-beszállítót?

A Cree – amely ma már Wolfspeed néven ismert – az iparág vezetője a szilícium-karbid teljesítményelemek terén, és a Yole előrejelzése szerint piacuk exponenciális növekedést fog tapasztalni… További információk »Szilícium-karbid teljesítményelektronikai eszközök

A szilícium-karbidot (SiC) az 1800-as években kezdték el csiszolóanyagként használni, és manapság az SiC precíziós megmunkálása számos iparágban elengedhetetlenül fontos szerepet játszik. Ezenkívül… További információk »Melyek a szilícium-karbid-üveg fizikai tulajdonságai?

A 650 V-os SiC MOSFET-ek értékesítését az energiaellátó rendszerekben az energiahatékonyság iránti növekvő igény hajtja. Alacsonyabb kapcsolási veszteségeik miatt ideálisak azoknak a tervezőknek, akiknek célja… További információk »A 650 V-os SiC MOSFET-piac

A ROHM Semiconductor 4. generációs SiC MOSFET csipjei és moduljai, amelyek jelentősen csökkentik az elektromos hajtásrendszerek energiaveszteségét, a PCIM 2024 kiállításon kerülnek bemutatásra… További információk »A ROHM EcoSiC a PCIM 2024 kiállításon

Mivel egyre több xEV-gyártó törekszik a hatótávolság növelésére és a fedélzeti akkumulátor méretének csökkentésére, a SiC teljesítményelektronikai alkatrészek iránti kereslet ugrásszerűen megnőtt. A fő hajtásinverterek számának növekedése… További információk »ROHM 4. generációs SiC MOSFET

A szilícium-karbid (SiC) rendkívül értékes anyag az ipari alkalmazásokban. Előnyei közé tartozik a szilárdság, a kopásállóság és a kémiai stabilitás – ugyanakkor rendkívüli keménysége… További információk »A SiC megmunkálásának különböző típusai

A LED-es világítási megoldásairól régóta ismert Cree vállalat a közelmúltban jelentős beruházásokba kezdett a szilícium-karbidból és gallium-nitridből készült, nagy hatékonyságú teljesítményfélvezetők területén. A… További információk »A Cree és az STMicroelectronics együttműködést kötött 150 mm-es SiC teljesítménytranzisztorok gyártására elektromos járművek (EV) számára