Rohm a r\u00e9alis\u00e9 des avanc\u00e9es significatives dans le domaine des composants SiC pour les dispositifs semi-conducteurs de puissance. Leur MOSFET \u00e0 tranch\u00e9e de quatri\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9sente des pertes d'\u00e9nergie plus faibles et permet de r\u00e9aliser des syst\u00e8mes d'alimentation plus petits.<\/p>\n
Les v\u00e9hicules \u00e9lectriques peuvent fonctionner \u00e0 800 V pour une charge \u00e0 haute tension plus rapide, ce qui permet d'accro\u00eetre l'efficacit\u00e9 et l'autonomie.<\/p>\n
Le carbure de silicium, ou SiC en abr\u00e9g\u00e9 (commun\u00e9ment appel\u00e9 carborundum ou corindon), est un compos\u00e9 chimique dur compos\u00e9 de silicium et de carbone qui est utilis\u00e9 dans des produits industriels tels que les abrasifs et les outils de coupe, dans l'\u00e9lectronique grand public comme les \u00e9crans de t\u00e9l\u00e9vision, les lecteurs DVD et les \u00e9crans de t\u00e9l\u00e9phone portable, dans les freins et les embrayages automobiles ainsi que dans les plaques c\u00e9ramiques utilis\u00e9es dans les gilets pare-balles, parmi de nombreuses autres applications. Le carbure de silicium joue \u00e9galement un r\u00f4le essentiel dans d'autres secteurs tels que l'a\u00e9rospatiale, l'automobile et l'\u00e9nergie.<\/p>\n
ROHM a introduit une gamme de dispositifs de puissance en SiC, tels que les MOSFET, avec des temp\u00e9ratures de fonctionnement plus \u00e9lev\u00e9es et des pertes plus faibles que les transistors de puissance en silicium standard - des caract\u00e9ristiques qui en font un excellent choix pour les applications n\u00e9cessitant une commutation \u00e0 grande vitesse, telles que les onduleurs de v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
Les semi-conducteurs de puissance SiC de ROHM sont bien adapt\u00e9s \u00e0 cette t\u00e2che en raison de leurs performances sup\u00e9rieures et de leur durabilit\u00e9 - ce qui fait des semi-conducteurs de puissance SiC de ROHM l'un des composants essentiels de tout v\u00e9hicule \u00e9lectrique (VE).<\/p>\n
Les transistors \u00e0 effet de champ (FET) SiC offrent plusieurs avantages distincts par rapport \u00e0 leurs homologues en silicium en termes de tension de mont\u00e9e et de d\u00e9pendance \u00e0 la temp\u00e9rature, ce qui les rend parfaits pour les applications de commutation rapide \u00e0 des vitesses plus \u00e9lev\u00e9es. En outre, leur capacit\u00e9 \u00e0 pr\u00e9venir l'emballement thermique signifie qu'ils peuvent m\u00eame fonctionner en toute s\u00e9curit\u00e9 lorsqu'ils sont expos\u00e9s \u00e0 des temp\u00e9ratures extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9es, ce qui a permis la production de nombreux produits \u00e9lectroniques avanc\u00e9s tout en augmentant l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique, en r\u00e9duisant les dimensions et le poids de nombreux \u00e9quipements.<\/p>\n
La large bande interdite du carbure de silicium en fait un excellent mat\u00e9riau semi-conducteur pour les applications d'\u00e9lectronique de puissance, telles que les onduleurs \u00e9quipant les v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE). Leur efficacit\u00e9 permet aux conducteurs de v\u00e9hicules \u00e9lectriques d'augmenter leur autonomie tout en r\u00e9duisant la taille des batteries, en grande partie gr\u00e2ce \u00e0 des pertes de conversion consid\u00e9rablement r\u00e9duites par rapport aux mod\u00e8les en silicium \u00e0 des niveaux de tension plus \u00e9lev\u00e9s (800 V ou plus).<\/p>\n
La faible dilatation thermique, la rigidit\u00e9 et la conductivit\u00e9 \u00e9lectrique du carbure de silicium en font un mat\u00e9riau utile pour diverses autres utilisations. Par exemple, ses miroirs sont largement utilis\u00e9s sur de nombreux t\u00e9lescopes astronomiques tels que le t\u00e9lescope spatial Herschel et l'observatoire spatial Gaia. Il est \u00e9galement utilis\u00e9 dans certains r\u00e9acteurs de fusion en raison de sa capacit\u00e9 \u00e0 r\u00e9sister \u00e0 des temp\u00e9ratures tr\u00e8s \u00e9lev\u00e9es et \u00e0 l'exposition aux radiations.<\/p>\n
ROHM a d\u00e9j\u00e0 d\u00e9velopp\u00e9 une gamme de MOSFET SiC con\u00e7us sp\u00e9cifiquement pour les syst\u00e8mes \u00e0 1500V DC utilis\u00e9s dans les onduleurs photovolta\u00efques, les unit\u00e9s UPS et d'autres applications industrielles, \u00e0 la fois de mani\u00e8re discr\u00e8te ou sous forme de puces nues pour les fabricants de modules. ROHM a \u00e9galement p\u00e9n\u00e9tr\u00e9 le march\u00e9 de l'automobile en fournissant des SBD SiC de 2kV utilis\u00e9s comme sections PFC des chargeurs et onduleurs embarqu\u00e9s visant \u00e0 augmenter l'autonomie tout en r\u00e9duisant la taille des batteries ; leur dispositif offre une faible r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement ainsi qu'un temps de r\u00e9sistance aux courts-circuits \u00e0 la pointe de l'industrie, essentiels pour augmenter l'autonomie tout en r\u00e9duisant la taille des batteries lorsqu'ils sont appliqu\u00e9s \u00e0 des v\u00e9hicules \u00e9lectriques (EV).<\/p>\n
La large bande interdite du carbure de silicium permet de r\u00e9duire les pertes de conversion dans les syst\u00e8mes de propulsion \u00e9lectrique, ce qui augmente l'efficacit\u00e9 des batteries et l'autonomie. En outre, les dispositifs de puissance \u00e0 haute performance en carbure de silicium offrent des performances nettement sup\u00e9rieures \u00e0 celles des IGBT traditionnels en silicium que l'on trouve dans les chargeurs embarqu\u00e9s et les inverseurs de moteur des v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
ROHM a constat\u00e9 une adoption rapide de ses MOSFET SiC de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration 750V et 1200V dans les onduleurs de v\u00e9hicules \u00e9lectriques, gr\u00e2ce \u00e0 leur faible r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement par unit\u00e9 de surface, sans compromettre le temps de r\u00e9sistance aux courts-circuits, ainsi qu'\u00e0 une capacit\u00e9 parasite plus faible qui am\u00e9liore les performances de commutation pour les onduleurs de plus petite taille.<\/p>\n
Ces dispositifs de puissance se caract\u00e9risent par une plage de temp\u00e9rature de fonctionnement plus large que celle des composants en silicium, ce qui leur permet de fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures plus \u00e9lev\u00e9es sans compromettre la fiabilit\u00e9 ou les performances. Ils constituent donc une solution id\u00e9ale pour les applications d'\u00e9lectronique de puissance qui requi\u00e8rent une plage de temp\u00e9rature \u00e9tendue.<\/p>\n
Rohm a d\u00e9velopp\u00e9 une gamme compl\u00e8te de semi-conducteurs \u00e9conomes en \u00e9nergie et de diodes \u00e0 barri\u00e8re Schottky en SiC pour r\u00e9pondre aux applications de commutation \u00e0 grande vitesse. Ces diodes sont propos\u00e9es dans diff\u00e9rents bo\u00eetiers pour r\u00e9pondre aux exigences sp\u00e9cifiques en mati\u00e8re de dissipation de courant et de dissipation d'\u00e9nergie.<\/p>\n
La combinaison des technologies de dispositifs\/contr\u00f4le et de modules de ROHM lui permet d'offrir des solutions de puissance optimales pour diverses applications. Rohm a r\u00e9cemment collabor\u00e9 avec Valeo pour d\u00e9velopper son pack TRCDRIVE(tm) deux-en-un, con\u00e7u sp\u00e9cifiquement pour les onduleurs de v\u00e9hicules \u00e9lectriques ; gr\u00e2ce \u00e0 ce partenariat, Rohm esp\u00e8re augmenter ses ventes de semi-conducteurs de puissance pour les onduleurs de v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
Les puces en carbure de silicium peuvent fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures, des tensions et des fr\u00e9quences plus \u00e9lev\u00e9es que leurs homologues en silicium afin de minimiser les pertes d'\u00e9nergie, ce qui les rend parfaitement adapt\u00e9es aux onduleurs, aux convertisseurs et aux chargeurs embarqu\u00e9s des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Leur consommation d'\u00e9nergie r\u00e9duite permet d'augmenter l'autonomie par charge de batterie tout en am\u00e9liorant l'ensemble des syst\u00e8mes de gestion de la batterie.<\/p>\n
ROHM a r\u00e9cemment publi\u00e9 un communiqu\u00e9 de presse expliquant que ses nouveaux produits Gen 4 ont \u00e9t\u00e9 cr\u00e9\u00e9s pour r\u00e9pondre aux exigences de commutation \u00e0 grande vitesse de l'\u00e9lectronique de puissance comme les onduleurs et les chargeurs bidirectionnels pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Leur tension de claquage sup\u00e9rieure peut supporter plus de deux fois plus de courant tout en offrant 50% de perte de commutation en moins et 40% de r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement en moins par unit\u00e9 de surface, sans compromettre la capacit\u00e9 de r\u00e9sistance aux courts-circuits.<\/p>\n
Ces MOSFET \u00e0 haut rendement pr\u00e9sentent une faible tension de seuil qui leur permet de fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures plus \u00e9lev\u00e9es sans avoir besoin de syst\u00e8mes de refroidissement pour dissiper l'exc\u00e8s de chaleur, ce qui contribue \u00e0 r\u00e9duire davantage les pertes d'\u00e9nergie tout en am\u00e9liorant le rendement, et convient \u00e0 des dispositifs plus petits que les puces en silicium conventionnelles.<\/p>\n
En outre, leur processus de fabrication int\u00e8gre des technologies vertes 100% - notamment l'automatisation des usines et les syst\u00e8mes d'\u00e9nergie renouvelable - afin de r\u00e9duire l'impact sur l'environnement par rapport aux semi-conducteurs traditionnels.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Rohm has made significant advancements in SiC componentry for power semiconductor devices. Their fourth generation trench MOSFET boasts lower energy losses and allows for smaller power systems. Electric Vehicles can operate at 800V for faster high-voltage charging, providing increased efficiency and range extension. Types Silicon carbide, or SiC for short (commonly referred to as carborundum… Lire la suite »Rohm fait progresser les MOSFET en carbure de silicium pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-613","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/613","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=613"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/613\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":614,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/613\/revisions\/614"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=613"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=613"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=613"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}