Les ing\u00e9nieurs qui souhaitent utiliser des dispositifs SiC doivent tenir compte des performances et des co\u00fbts lorsqu'ils choisissent une plaquette de silicium adapt\u00e9e \u00e0 leur application. Les substrats de qualit\u00e9 sup\u00e9rieure offrent une qualit\u00e9 optimale, tandis que les plaquettes de qualit\u00e9 recherche offrent des solutions plus \u00e9conomiques pour les applications non critiques.<\/p>\n
Avant que les plaquettes de carbure de silicium (SiC) puissent \u00eatre utilis\u00e9es pour la fabrication de dispositifs, elles doivent d'abord \u00eatre mises en forme. Cette op\u00e9ration est g\u00e9n\u00e9ralement r\u00e9alis\u00e9e \u00e0 l'aide d'une scie multifilaire combin\u00e9e \u00e0 une boue abrasive diamant\u00e9e.<\/p>\n
La capacit\u00e9 du carbure de silicium \u00e0 r\u00e9sister aux temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es est essentielle pour le traitement des semi-conducteurs. Gr\u00e2ce \u00e0 sa r\u00e9sistance et \u00e0 sa puret\u00e9 chimique, le SiC est fr\u00e9quemment utilis\u00e9 comme support pour les plateaux de gaufrettes ou comme palette dans les fours \u00e0 semi-conducteurs ; en outre, sa stabilit\u00e9 thermique en fait un composant cl\u00e9 dans les r\u00e9gulateurs de temp\u00e9rature et de tension tels que les thermistances et les varistances.<\/p>\n
Le SiC est disponible sous diff\u00e9rentes formes appel\u00e9es polytypes, qui se distinguent par l'empilement des atomes de silicium et de carbone. Chaque polytype offre des propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques diff\u00e9rentes qui ont un impact sur les performances et la fiabilit\u00e9 des dispositifs, que les ing\u00e9nieurs s\u00e9lectionnent en fonction des conditions op\u00e9rationnelles et des caract\u00e9ristiques de performance souhait\u00e9es.<\/p>\n
Au c\u0153ur de la pr\u00e9paration des substrats SiC pour la fabrication de dispositifs se trouve la d\u00e9coupe des plaquettes \u00e0 l'aide d'une scie \u00e0 fil, une \u00e9tape essentielle qui contribue \u00e0 l'am\u00e9lioration de la forme des plaquettes en aval, telle que l'am\u00e9lioration de la courbure et du gauchissement, en fonction de la qualit\u00e9 de la d\u00e9coupe. Parmi les facteurs importants, citons la s\u00e9lection de combinaisons appropri\u00e9es de boues et de tampons de polissage abrasifs diamant\u00e9s, ainsi que les r\u00e9glages de vitesse et d'avance pour cette \u00e9tape.<\/p>\n
Avec l'\u00e9volution rapide de la 5G et d'autres technologies, les dispositifs semi-conducteurs \u00e0 haute puissance\/haute tension sont devenus de plus en plus essentiels. Le carbure de silicium (SiC) est un excellent choix de mat\u00e9riau pour ces dispositifs \u00e9lectroniques de haute performance en raison de ses propri\u00e9t\u00e9s thermiques et \u00e9lectriques sup\u00e9rieures.<\/p>\n
En raison de la large bande interdite du SiC, son champ \u00e9lectrique critique est nettement sup\u00e9rieur \u00e0 celui du silicium (Si). En outre, la multiplication initi\u00e9e par les \u00e9lectrons d\u00e9pend moins de l'orientation du cristal et l'\u00e9nergie d'ionisation d'impact est donc nettement plus \u00e9lev\u00e9e dans les jonctions pn en SiC que dans les dispositifs en Si, quelle que soit la tension de claquage.<\/p>\n
La production de plaquettes de SiC de haute qualit\u00e9 n\u00e9cessite l'optimisation de plusieurs \u00e9l\u00e9ments cl\u00e9s, notamment le choix d'une suspension de polissage id\u00e9ale, le choix d'une combinaison optimale de tampons et de technologies de polissage, et le choix d'une machine appropri\u00e9e. Pureon poss\u00e8de une vaste exp\u00e9rience dans l'optimisation de ces processus, ce qui permet d'augmenter les taux d'enl\u00e8vement de mati\u00e8re, l'uniformit\u00e9 de la forme des plaquettes et la qualit\u00e9 de la surface.<\/p>\n
Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur avanc\u00e9 dot\u00e9 d'une large bande interdite qui lui permet de fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es, en plus de poss\u00e9der des propri\u00e9t\u00e9s de conductivit\u00e9 \u00e9lectrique et thermique sup\u00e9rieures, ce qui en fait le mat\u00e9riau id\u00e9al pour de nombreuses applications diff\u00e9rentes, des batteries de v\u00e9hicules \u00e9lectriques aux appareils 5G, en passant par les applications IOT.<\/p>\n
Cependant, les performances de tout dispositif de puissance sont d\u00e9termin\u00e9es par sa r\u00e9sistance \u00e0 l'\u00e9tat passant. Il s'agit d'un obstacle important \u00e0 l'efficacit\u00e9 qui pourrait entraver son fonctionnement dans des environnements exigeants.<\/p>\n
Les fabricants de plaquettes de SiC se sont fix\u00e9 pour d\u00e9fi de diminuer la r\u00e9sistance \u00e0 l'\u00e9tat passant de leurs dispositifs en augmentant la densit\u00e9 de dopage de leurs couches n, de mani\u00e8re \u00e0 accro\u00eetre la masse effective des \u00e9lectrons acc\u00e9l\u00e9r\u00e9s en leur sein et plus susceptibles de subir une ionisation par impact le long de 0001. Cela augmente l'\u00e9nergie n\u00e9cessaire \u00e0 l'acc\u00e9l\u00e9ration des \u00e9lectrons jusqu'\u00e0 ce qu'ils atteignent la tension de claquage, diminuant ainsi la r\u00e9sistance \u00e0 l'\u00e9tat passant des transistors \u00e0 effet de champ en carbure de silicium.<\/p>\n
Les plaquettes de SiC ont \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9es \u00e0 l'origine pour des applications industrielles abrasives ; aujourd'hui, cependant, leur impact se fait sentir dans toutes les applications d'\u00e9lectronique de puissance. La loi de Moore touchant \u00e0 sa fin, les fabricants de v\u00e9hicules \u00e9lectriques et les applications a\u00e9rospatiales se tournent vers le SiC pour obtenir des gains d'efficacit\u00e9 significatifs et am\u00e9liorer la long\u00e9vit\u00e9 des appareils.<\/p>\n
Le potentiel du SiC doit toutefois \u00eatre exploit\u00e9 gr\u00e2ce \u00e0 un substrat capable de r\u00e9sister au processus rigoureux de production de plaquettes. Les \u00e9bauches doivent passer avec succ\u00e8s l'\u00e9tape de la scie \u00e0 fil avec un minimum de courbure, de gauchissement et de variation de l'\u00e9paisseur totale (TTV).<\/p>\n
L'optimisation de la croissance cristalline - y compris les gradients de temp\u00e9rature, les d\u00e9bits de gaz et les niveaux d'impuret\u00e9 - est essentielle \u00e0 la production de lingots de SiC pr\u00e9sentant un minimum de d\u00e9fauts, alors que le d\u00e9coupage final d\u00e9termine la performance des plaquettes. Gr\u00e2ce aux techniques de rainurage et de cassage utilis\u00e9es dans la d\u00e9coupe du verre depuis des d\u00e9cennies, l'\u00e9tape finale de d\u00e9coupage d\u00e9terminera la qualit\u00e9 des plaquettes de SiC produites ; ici, la m\u00e9thode de rainurage et de cassage promet des am\u00e9liorations significatives. Gr\u00e2ce \u00e0 son processus de rendement sup\u00e9rieur, elle permet de fabriquer des dispositifs de puissance dot\u00e9s de performances \u00e9lectriques exceptionnelles et d'une fiabilit\u00e9 sup\u00e9rieure.<\/p>\n
Le SiC est un mat\u00e9riau exceptionnellement dur et r\u00e9sistant \u00e0 l'usure, ce qui en fait le mat\u00e9riau id\u00e9al pour les environnements exigeants. Gr\u00e2ce \u00e0 sa r\u00e9sistance, les dispositifs d'\u00e9lectronique de puissance peuvent fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures et des tensions plus \u00e9lev\u00e9es sans perte de performance, et cr\u00e9er des dispositifs plus petits avec des r\u00e9sistances parasites plus faibles.<\/p>\n
La production de plaquettes de SiC peut \u00eatre une t\u00e2che complexe et fastidieuse, n\u00e9cessitant la s\u00e9lection d'une suspension et d'un tampon de polissage, ainsi que des param\u00e8tres de traitement pr\u00e9cis con\u00e7us pour obtenir une faible rugosit\u00e9 de la surface de la plaquette. Les d\u00e9cennies d'exp\u00e9rience de Pureon dans le d\u00e9veloppement de produits pour cette industrie apportent une aide pr\u00e9cieuse aux fabricants qui recherchent des processus fiables pour la production de ces substrats.<\/p>\n
L'examen minutieux des sp\u00e9cifications des plaquettes et des capacit\u00e9s des fournisseurs permet aux clients de choisir des plaquettes de SiC de qualit\u00e9 Prime ou Research pour r\u00e9pondre au mieux aux objectifs de leur projet tout en respectant les contraintes budg\u00e9taires. Ils peuvent ainsi tirer parti des deux technologies tout en profitant pleinement des avantages de chacune d'entre elles.<\/p>\n
Le carbure de silicium (SiC), utilis\u00e9 depuis des d\u00e9cennies dans les abrasifs industriels et les freins automobiles, constitue un excellent choix de mat\u00e9riau pour les applications r\u00e9sistantes aux rayonnements \u00e0 haute temp\u00e9rature. En outre, les propri\u00e9t\u00e9s du carbure de silicium le rendent adapt\u00e9 aux dispositifs de puissance de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration.<\/p>\n
Les propri\u00e9t\u00e9s thermiques et m\u00e9caniques sup\u00e9rieures amplifient encore les avantages des plaquettes de SiC en termes de performances. Leur dissipation thermique efficace permet une meilleure efficacit\u00e9 des dispositifs, tandis que leur duret\u00e9 les prot\u00e8ge des dommages et de l'usure dans les environnements exigeants.<\/p>\n
Les efforts d\u00e9ploy\u00e9s par les fabricants de plaquettes pour atteindre la parit\u00e9 des co\u00fbts avec les dispositifs en silicium et surmonter les contraintes de la cha\u00eene d'approvisionnement li\u00e9es \u00e0 la croissance des v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE) les obligeront \u00e0 innover et \u00e0 investir dans des am\u00e9liorations. Le choix de plaquettes de qualit\u00e9 \u2019Prime\" ou \"Research\" a un impact direct sur ces caract\u00e9ristiques intrins\u00e8ques. Il est donc essentiel de prendre le temps d'examiner attentivement les sp\u00e9cifications et les capacit\u00e9s des fournisseurs pour assurer la r\u00e9ussite de votre projet.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Engineers seeking to use SiC devices must consider performance and cost considerations when selecting an appropriate wafer for their application. Prime grade substrates provide optimal quality while research grade wafers offer more cost-effective alternatives for non-critical purposes. Before silicon carbide (SiC) wafers can be used in device fabrication, they must first be cut to shape.… Lire la suite »Choisir le wafer SiC adapt\u00e9 \u00e0 votre application<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-593","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/593","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=593"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/593\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":594,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/593\/revisions\/594"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=593"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=593"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=593"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}