Les MOSFET SiC de puissance atteignent g\u00e9n\u00e9ralement un \u00e9quilibre entre une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement plus faible et un temps de r\u00e9sistance aux courts-circuits, mais le MOSFET Gen 4 de quatri\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ROHM parvient \u00e0 diminuer les deux. Leur structure \u00e0 double tranch\u00e9e r\u00e9duit la capacit\u00e9 de Miller.<\/p>\n
Geely Holding Group a r\u00e9cemment adopt\u00e9 trois onduleurs de marque ZEEKR fabriqu\u00e9s par PGC Consultancy comme onduleurs de traction pour trois mod\u00e8les d'onduleurs de traction de marque ZEEKR du Geely Holding Group, apr\u00e8s avoir effectu\u00e9 une comparaison approfondie \u00e0 l'aide d'un \u00e9quipement de caract\u00e9risation \u00e9lectrique avanc\u00e9 de PGC Consultancy.<\/p>\n
Les MOSFET SiC ont le potentiel de r\u00e9duire la r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement \u00e0 des courants \u00e9lev\u00e9s avec une taille de puce r\u00e9duite en raison d'une perte d'\u00e9nergie plus faible par cycle de commutation, qui varie avec le courant. Le SiC est donc mieux adapt\u00e9 au fonctionnement \u00e0 haute fr\u00e9quence que les MOSFET en silicium (Si), qui pr\u00e9sentent g\u00e9n\u00e9ralement des capacit\u00e9s parasites plus importantes qui augmentent avec le courant et la temp\u00e9rature ; leur r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement augmente donc en cons\u00e9quence.<\/p>\n
Les MOSFET en SiC pr\u00e9sentent \u00e9galement une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement plus constante sur l'ensemble de leur plage de temp\u00e9rature de fonctionnement en raison d'une augmentation beaucoup plus lente de la r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement en fonction de la temp\u00e9rature que celle observ\u00e9e avec les MOSFET en Si.<\/p>\n
Les MOSFET SiC se caract\u00e9risent \u00e9galement par une r\u00e9sistance \u00e0 l'inversion de l'ON inf\u00e9rieure \u00e0 celle des IGBT conventionnels, le principal composant des syst\u00e8mes d'entra\u00eenement des v\u00e9hicules \u00e9lectriques et des moteurs, ce qui permet des vitesses de commutation plus rapides avec des circuits de plus petite taille.<\/p>\n
Les MOSFET SiC 1200V de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de Rohm ont \u00e9t\u00e9 sp\u00e9cialement con\u00e7us pour \u00eatre utilis\u00e9s dans les futurs v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Ces dispositifs pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement de 75% de leur tension de claquage nominale, la meilleure de l'industrie, ainsi qu'une dur\u00e9e de r\u00e9sistance aux courts-circuits \u00e9tendue pour une s\u00e9curit\u00e9 accrue. Rohm a \u00e9galement augment\u00e9 leur tension nominale \u00e0 750V afin de fournir une flexibilit\u00e9 de conception lors de la gestion des pointes potentielles d'U DS.<\/p>\n
Les MOSFET SiC de Rohm se caract\u00e9risent par une capacit\u00e9 de Miller (Cgd) inf\u00e9rieure \u00e0 celle des MOSFET en silicium conventionnels, ce qui permet d'am\u00e9liorer les performances de commutation tout en r\u00e9duisant les pertes et le gaspillage d'\u00e9nergie. Il en r\u00e9sulte une commutation plus rapide avec des pertes r\u00e9duites.<\/p>\n
Les MOSFET SiC de quatri\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de Rohm se caract\u00e9risent non seulement par une tension de claquage \u00e9lev\u00e9e et une faible r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement, mais aussi par un temps de r\u00e9sistance aux courts-circuits nettement plus long - deux caract\u00e9ristiques essentielles pour les applications automobiles o\u00f9 l'augmentation de la capacit\u00e9 des batteries n\u00e9cessite la mise au point de syst\u00e8mes d'alimentation \u00e9lectrique avec des temps de charge plus rapides afin d'accro\u00eetre l'autonomie en croisi\u00e8re.<\/p>\n
Les MOSFET de type trench de Rohm offrent une r\u00e9duction de la r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement plus que doubl\u00e9e par rapport aux dispositifs de type planaire existants, tout en conservant des capacit\u00e9s de r\u00e9sistance aux courts-circuits allant jusqu'\u00e0 20A et 1200V. En outre, leur capacit\u00e9 d'entr\u00e9e et leur r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement sont inf\u00e9rieures de moiti\u00e9 \u00e0 celles observ\u00e9es avec les IGBT au silicium dans des bo\u00eetiers de taille similaire.<\/p>\n
PGC Consultancy a pu obtenir des \u00e9chantillons de Rohm SiC MOSFETs pour des \u00e9valuations initiales chez PGC Consultancy. Nos tests initiaux ont confirm\u00e9 les affirmations de Rohm concernant la r\u00e9sistance aux courts-circuits et les pertes de commutation de ces MOSFET \u00e0 des tensions de fonctionnement tr\u00e8s \u00e9lev\u00e9es ; une \u00e9valuation plus pouss\u00e9e a d\u00e9montr\u00e9 qu'ils tenaient toutes leurs promesses \u00e0 des taux de commutation extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9s, sans aucun signe de d\u00e9gradation ou d'instabilit\u00e9.<\/p>\n
Les dispositifs de puissance SiC de Rohm Semiconductor r\u00e9pondent \u00e0 cette demande en r\u00e9duisant consid\u00e9rablement les pertes d'\u00e9nergie lors de la conversion de l'\u00e9nergie et sont donc tr\u00e8s demand\u00e9s dans le monde entier. Leurs produits innovants aident \u00e0 relever ce d\u00e9fi en r\u00e9pondant aux exigences strictes en mati\u00e8re d'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique tout en offrant un potentiel d'\u00e9conomie d'\u00e9nergie accru.<\/p>\n
La troisi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de MOSFET SiC de ROHM Semiconductor pr\u00e9sente une structure innovante \u00e0 double tranch\u00e9e qui r\u00e9duit consid\u00e9rablement les pertes de puissance par rapport \u00e0 la conception planaire de la deuxi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration. En outre, leur r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement r\u00e9duite permet de g\u00e9rer des courants plus \u00e9lev\u00e9s tout en conservant une taille de puce plus petite, ce qui contribue \u00e0 la miniaturisation et \u00e0 l'all\u00e8gement des alimentations, des entra\u00eenements de moteurs et d'autres syst\u00e8mes \u00e9lectriques.<\/p>\n
En outre, ces nouveaux dispositifs ont consid\u00e9rablement r\u00e9duit les pertes de commutation de 50% par rapport \u00e0 leurs pr\u00e9d\u00e9cesseurs en diminuant de mani\u00e8re significative les niveaux de capacit\u00e9 Cgd. Ces am\u00e9liorations permettent d'obtenir des surtensions plus \u00e9lev\u00e9es sans augmenter la r\u00e9sistance parasite des MOSFET ; en outre, la r\u00e9duction des \u00e9nergies de commutation permet des temps de commutation plus courts et des vitesses plus \u00e9lev\u00e9es, ce qui permet d'obtenir des performances \u00e0 un co\u00fbt acceptable.<\/p>\n
Pour tirer pleinement parti de leurs avantages, les MOSFET SiC de quatri\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration sont pr\u00e9sent\u00e9s dans un bo\u00eetier \u00e0 quatre broches con\u00e7u pour minimiser l'inductance entre les broches du circuit d'attaque et de la source d'alimentation et pour les prot\u00e9ger l'une de l'autre. Ils sont actuellement utilis\u00e9s dans des modules de puissance comportant ces dispositifs en tant qu'onduleur principal pour les ZEEKR xEV produits par la marque ZEEKR du groupe Geely Holding.<\/p>\n
Les MOSFET SiC de 3\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ROHM utilisent une structure avanc\u00e9e \u00e0 double tranch\u00e9e pour maximiser la r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement de moiti\u00e9 tout en restant plus petits en taille que les dispositifs conventionnels de type planaire, aidant les utilisateurs \u00e0 r\u00e9duire les pertes de puissance tout en contribuant de mani\u00e8re significative \u00e0 la miniaturisation des syst\u00e8mes dans diverses applications d'\u00e9quipement. Cela permet aux utilisateurs de ROHM d'obtenir des rendements accrus dans la conversion de l'\u00e9nergie.<\/p>\n
En rempla\u00e7ant jusqu'\u00e0 12 composants (convertisseur AC\/DC IC x 2, 800V Si MOSFET x 2, diode Zener x 3, r\u00e9sistances x 6) par un module de type moul\u00e9, les utilisateurs peuvent encore r\u00e9duire la taille globale du syst\u00e8me. Cela leur permet de d\u00e9velopper une source d'\u00e9nergie \u00e9lectrique compacte, efficace et l\u00e9g\u00e8re pour les onduleurs xEV.<\/p>\n
En raison de l'expansion rapide des v\u00e9hicules \u00e9lectriques, il existe un besoin imm\u00e9diat de syst\u00e8mes d'alimentation compacts et \u00e9conomes en \u00e9nergie qui r\u00e9duisent la charge des batteries pour augmenter l'autonomie. On s'attend \u00e0 ce que le SiC soit de plus en plus utilis\u00e9 dans des applications industrielles telles que les onduleurs haute tension \u00e0 usage g\u00e9n\u00e9ral et les pompes \u00e0 chaleur.<\/p>\n
ROHM r\u00e9pond \u00e0 cette demande croissante en produisant en masse ses MOSFET SiC de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration, offrant aux utilisateurs des performances exceptionnelles pour la conception de circuits d'alimentation avec un minimum de composants. En outre, ils disposent d'une gamme de cartes et de kits d'\u00e9valuation qui peuvent faciliter les efforts de prototypage et de d\u00e9veloppement.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Power SiC MOSFETs usually achieve an equilibrium between lower ON resistance and short circuit withstand time, but ROHM’s fourth generation Gen 4 MOSFET manages to decrease both. Their double trench structure lowers Miller capacitance. Geely Holding Group recently adopted three ZEEKR brand inverters manufactured by PGC Consultancy as traction inverters for three models from ZEEKR… Lire la suite »Les MOSFET SiC ROHM pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement et un court-circuit plus faibles gr\u00e2ce \u00e0 une structure \u00e0 double tranch\u00e9e<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-573","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/573","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=573"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/573\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":574,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/573\/revisions\/574"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=573"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=573"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=573"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}