Les puces et modules SiC MOSFET nus de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ROHM Semiconductor, qui r\u00e9duisent consid\u00e9rablement la perte d'\u00e9nergie pour les syst\u00e8mes de propulsion \u00e9lectrique, seront pr\u00e9sent\u00e9s \u00e0 PCIM 2024 dans le cadre de leurs efforts pour \u00e9tendre l'autonomie de croisi\u00e8re et minimiser la taille de la batterie.<\/p>\n
Les SBD SiC Gen 3 de Rohm pr\u00e9sentent un r\u00e9seau bidimensionnel innovant de portes dispos\u00e9es de haut en bas et de gauche \u00e0 droite qui double la densit\u00e9 de portes pour la m\u00eame empreinte, am\u00e9liorant consid\u00e9rablement la tension de mont\u00e9e par rapport aux FRD conventionnels tout en offrant d'excellentes performances en mati\u00e8re de temp\u00e9rature. Cette conception augmente consid\u00e9rablement la densit\u00e9 de portes par empreinte et constitue un exemple impressionnant d'excellence en mati\u00e8re de conception.<\/p>\n
Les dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) ont suscit\u00e9 une grande attention de la part des fabricants de semi-conducteurs de puissance en raison de leur efficacit\u00e9, de leur tol\u00e9rance \u00e0 la temp\u00e9rature, de leur r\u00e9ponse en fr\u00e9quence et de leur tension de sortie sup\u00e9rieures \u00e0 celles des dispositifs en silicium traditionnels. Cela peut se traduire par des \u00e9conomies d'\u00e9nergie dans diverses applications tout en contribuant \u00e0 r\u00e9duire les \u00e9missions de dioxyde de carbone, la consommation d'\u00e9nergie et le r\u00e9chauffement de la plan\u00e8te gr\u00e2ce \u00e0 des mesures d'\u00e9conomie d'\u00e9nergie.<\/p>\n
Avec l'arriv\u00e9e sur le march\u00e9 des v\u00e9hicules \u00e9lectriques de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration (xEV), des demandes sont apparues pour que les syst\u00e8mes \u00e9lectriques deviennent plus petits en taille et en poids, en particulier l'onduleur de l'entra\u00eenement principal qui joue un r\u00f4le essentiel. Mais pour atteindre les objectifs de performance tout en r\u00e9duisant la taille et le poids, il faut poursuivre le d\u00e9veloppement technologique des dispositifs de puissance.<\/p>\n
Le MOSFET SiC de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ROHM pr\u00e9sente une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement de 2.1m dans un bo\u00eetier HSOP8\/HSMT8 et une capacit\u00e9 de grille Qgd plus faible pour r\u00e9duire les pertes de commutation. De plus, sa tension de source de grille de 15V offre des conceptions de circuits d'\u00e9tage de puissance plus flexibles que les produits conventionnels qui n\u00e9cessitent une tension de source de grille de 18V.<\/p>\n
DigiKey(tm), Mouser(tm) et Farnell(tm) proposent les MOSFET SiC de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ROHM et des circuits int\u00e9gr\u00e9s dans diff\u00e9rents bo\u00eetiers pour d\u00e9monstration au salon PCIM Europe 2024. En outre, la famille EcoGaN de HEMT GaN sera \u00e9galement expos\u00e9e.<\/p>\n
Le SiC \u00e9tant plus fiable que les semi-conducteurs de puissance en silicium (Si), sa robustesse en cas de court-circuit devient un crit\u00e8re important dans le choix des dispositifs SiC pour les applications de haute puissance. Les MOSFET SiC Gen 4 de ROHM pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement et des performances de commutation consid\u00e9rablement r\u00e9duites sans compromettre leur fiabilit\u00e9 dans des conditions de fonctionnement extr\u00eames - y compris les tests de court-circuit (SC).<\/p>\n
Les MOSFET Gen 4 utilisent une nouvelle structure de tranch\u00e9e qui r\u00e9duit la r\u00e9sistance drain-source jusqu'\u00e0 50% par rapport aux dispositifs SiC conventionnels de type planaire, gr\u00e2ce \u00e0 l'insertion de tranch\u00e9es fictives entre les tranch\u00e9es de la grille et de la source pour disperser le champ \u00e9lectrique et r\u00e9duire la d\u00e9pendance \u00e0 la temp\u00e9rature de la hauteur de la barri\u00e8re de Schottky. Il en r\u00e9sulte une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement plus faible, des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es avec des pertes plus faibles et une capacit\u00e9 d'entr\u00e9e r\u00e9duite.<\/p>\n
Les MOSFET de MOSIS b\u00e9n\u00e9ficient \u00e9galement d'une disposition avanc\u00e9e des cellules et d'un substrat plus fin pour r\u00e9duire les effets parasites, ce qui permet d'obtenir une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement plus faible par zone de dispositif avec une tension de mont\u00e9e \u00e9quivalente inf\u00e9rieure \u00e0 1V par rapport aux FRD traditionnels en Si et des caract\u00e9ristiques de r\u00e9cup\u00e9ration nettement am\u00e9lior\u00e9es apr\u00e8s une polarisation inverse.<\/p>\n
Dans un test de court-circuit s\u00fbr, cela augmente consid\u00e9rablement l'\u00e9nergie critique EC. Un test r\u00e9cent dans notre laboratoire d'\u00e9nergie \u00e0 Willich\/Allemagne utilisant le module d'alimentation eMPack de Semikron et notre pilote de grille BM6112 (d\u00e9tection DESAT de sortie 20A et arr\u00eat progressif avanc\u00e9) a permis un temps SC inf\u00e9rieur \u00e0 2us tandis qu'un pic de surtension de moins de 60V a pu \u00eatre atteint.<\/p>\n
Alors que le d\u00e9veloppement des v\u00e9hicules \u00e9lectriques s'acc\u00e9l\u00e8re, la demande de dispositifs de puissance avec une meilleure r\u00e9sistance \u00e0 la tension a explos\u00e9. Les MOSFET SiC de 4\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ROHM offrent des performances plus \u00e9lev\u00e9es avec des pertes plus faibles pour des syst\u00e8mes plus \u00e9conomes en \u00e9nergie permettant des conceptions plus petites.<\/p>\n
ROHM m\u00e8ne l'introduction de ces dispositifs sur le march\u00e9 en offrant des composants discrets et des modules optimis\u00e9s pour supporter des tensions de batterie plus \u00e9lev\u00e9es et une charge plus rapide, ce qui contribue en fin de compte \u00e0 une plus grande autonomie de croisi\u00e8re. ROHM fournit \u00e9galement des puces nues et des composants discrets optimis\u00e9s pour \u00eatre utilis\u00e9s dans les sections d'alimentation des chargeurs de v\u00e9hicules \u00e9lectriques, des unit\u00e9s UPS et des onduleurs photovolta\u00efques.<\/p>\n
ROHM a \u00e9galement pr\u00e9sent\u00e9 le pack TRCDRIVE, un module de type moul\u00e9 pour les applications d'entra\u00eenement d'inverseur de traction con\u00e7u pour maximiser la zone de dissipation de la chaleur et r\u00e9duire de mani\u00e8re significative la taille, la consommation d'\u00e9nergie et augmenter l'efficacit\u00e9 jusqu'\u00e0 50%. En outre, ces modules sont dot\u00e9s de bornes de signaux de commande compatibles avec les broches \u00e0 enfoncer, ce qui permet d'effectuer des connexions en poussant simplement la carte du circuit d'attaque par le haut, r\u00e9duisant ainsi consid\u00e9rablement le temps d'installation et la dur\u00e9e d'installation !<\/p>\n
ROHM et UAES ont uni leurs forces pour accro\u00eetre la diffusion du Power SiC. Ensemble, ils d\u00e9veloppent des modules SiC sp\u00e9cialement con\u00e7us pour des applications automobiles telles que les chargeurs embarqu\u00e9s et les onduleurs pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE). Leur partenariat \u00e0 long terme garantit \u00e0 UAES l'acc\u00e8s aux dispositifs de ROHM, ce qui permet le d\u00e9veloppement technologique et le d\u00e9ploiement rapide de syst\u00e8mes d'alimentation de pointe pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
Le concept de marque \u2018Power Eco Family\u2019 de ROHM vise \u00e0 maximiser l'efficacit\u00e9 et la compacit\u00e9 des applications \u00e9lectroniques tout en contribuant \u00e0 la protection de l'environnement. ROHM utilisera EcoSiC dans le cadre de cette initiative en commercialisant des dispositifs semi-conducteurs de puissance fabriqu\u00e9s \u00e0 partir de carbure de silicium (SiC), un mat\u00e9riau \u00e9conome en \u00e9nergie utilis\u00e9 dans des applications \u00e0 haute performance telles que les v\u00e9hicules \u00e9lectriques et les syst\u00e8mes d'\u00e9nergie renouvelable.<\/p>\n
Les dispositifs SiC d'EcoSiC permettent des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es avec des pertes plus faibles que les autres mat\u00e9riaux semi-conducteurs, ce qui r\u00e9duit consid\u00e9rablement la consommation d'\u00e9nergie tout en am\u00e9liorant l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la compacit\u00e9. Le logo d'EcoSiC incorpore des sch\u00e9mas de circuits et des structures cristallines hexagonales repr\u00e9sentant l'innovation technologique et la pr\u00e9cision.<\/p>\n
ROHM introduira la marque EcoSiC dans le cadre de son offre de produits en expansion comprenant des dispositifs de puissance au nitrure de gallium r\u00e9put\u00e9s pour leurs propri\u00e9t\u00e9s sup\u00e9rieures telles que la vitesse de commutation rapide. Le logo EcoGaN est utilis\u00e9 depuis 2022. Cette combinaison renforcera leur offre de produits.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
ROHM Semiconductor’s 4th generation SiC MOSFET bare chips and modules, which significantly decrease energy loss for electric drive systems, will be showcased at PCIM 2024 as part of their effort to extend cruising range and minimize battery size. Rohm Gen 3 SiC SBDs feature an innovative two-dimensional lattice of gates arranged top-to-bottom and left-to-right that… Lire la suite »ROHM EcoSiC \u00e0 PCIM 2024<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-296","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/296","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=296"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/296\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":297,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/296\/revisions\/297"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=296"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=296"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=296"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}