Le sct055hu65g3ag 1200V est bas\u00e9 sur la technologie SiC MOSFET de puissance de troisi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ST et pr\u00e9sente un RDS(ON) par unit\u00e9 de surface nettement inf\u00e9rieur \u00e0 celui des g\u00e9n\u00e9rations pr\u00e9c\u00e9dentes, accompagn\u00e9 d'un chiffre de m\u00e9rite \u00e0 la pointe de l'industrie. Les faibles capacit\u00e9s et la commutation rapide se combinent \u00e9galement pour permettre aux concepteurs de syst\u00e8mes de puissance d'am\u00e9liorer l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique tout en r\u00e9duisant la taille et le poids du syst\u00e8me par rapport aux dispositifs en silicium conventionnels. En outre, le flux d'\u00e9nergie bidirectionnel - essentiel pour les onduleurs de traction automobile utilis\u00e9s pour recharger rapidement les batteries des v\u00e9hicules \u00e9lectriques - est pris en charge.<\/p>\n
Mais cela n'emp\u00eache pas les gens d'essayer d'\u00e9viter de payer. Alors essayons encore une fois - d\u00e8s que les imp\u00f4ts sont dus, nous partons ! La technologie de pointe des MOSFET de puissance SiC de 3\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ST associe une faible r\u00e9sistance sur toute la plage de temp\u00e9rature \u00e0 une capacit\u00e9 extr\u00eamement faible pour am\u00e9liorer les performances des applications en termes de fr\u00e9quence, d'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et de taille\/poids du syst\u00e8me par rapport aux MOSFET au silicium conventionnels. Le composant SCT055HU65G3AG est \u00e9galement dot\u00e9 d'une diode intrins\u00e8que rapide qui prend en charge le flux d'\u00e9nergie bidirectionnel, une caract\u00e9ristique essentielle dans les applications telles que les chargeurs embarqu\u00e9s et les chargeurs rapides pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Cette capacit\u00e9 r\u00e9duit les pertes tout en simplifiant la complexit\u00e9 globale du syst\u00e8me, ce qui permet aux concepteurs de syst\u00e8mes de concevoir facilement des \u00e9quipements \u00e9lectriques pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques et l'industrie. Les MOSFET sont disponibles dans diff\u00e9rents bo\u00eetiers pour r\u00e9pondre aux besoins des clients.<\/p>\n
Le MOSFET de puissance SiC SCT055HU65G3AG offre des performances sup\u00e9rieures \u00e0 celles de ses homologues en silicium. La technologie innovante SiC MOSFET de 3\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ST se caract\u00e9rise par une faible r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement sur toute la plage de temp\u00e9rature, associ\u00e9e \u00e0 de tr\u00e8s faibles capacit\u00e9s et \u00e0 un fonctionnement \u00e0 commutation rapide. Ces facteurs permettent aux concepteurs de syst\u00e8mes de puissance d'augmenter la fr\u00e9quence, l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la r\u00e9duction de la taille et du poids du syst\u00e8me par rapport aux syst\u00e8mes utilisant des MOSFET de puissance au silicium conventionnels. Les MOSFET SiC se caract\u00e9risent par des tensions nominales plus \u00e9lev\u00e9es et des tailles de puce plus petites par rapport \u00e0 leur taille de bo\u00eetier, ce qui les rend adapt\u00e9s aux chargeurs embarqu\u00e9s dans les v\u00e9hicules \u00e9lectriques et aux applications d'infrastructure de charge rapide. En outre, ces dispositifs sont emball\u00e9s avec des languettes de refroidissement pour simplifier leur connexion aux plaques de base ou aux dissipateurs de chaleur dans une application de v\u00e9hicule \u00e9lectrique.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Low On-Resistance The 1200V sct055hu65g3ag is built upon ST’s third-generation SiC power MOSFET technology and boasts significantly lower RDS(ON) per unit area than prior generations, accompanied by an industry-leading figure-of-merit. Low capacitances and fast switching also combine to allow power-system designers to improve energy efficiency while simultaneously decreasing system size and weight compared with conventional… Lire la suite »1200V SCT055HU65G3AG MOSFET<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-268","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=268"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":269,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268\/revisions\/269"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=268"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=268"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=268"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}