Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur \u00e0 large bande interdite analogue au diamant, offrant des propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques similaires permettant des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es, des pertes de puissance plus faibles et des densit\u00e9s de puissance plus importantes.<\/p>\n
Le MOSFET SiC planaire EliteSiC 1200 V d'Onsemi est maintenant \u00e9chantillonn\u00e9 dans un bo\u00eetier TO-247-4L standard de l'industrie et se targue d'une r\u00e9duction des pertes de conduction et d'extinction par rapport aux g\u00e9n\u00e9rations pr\u00e9c\u00e9dentes, offrant une r\u00e9sistance de 11mO.<\/p>\n
Les semi-conducteurs de puissance d'Onsemi offrent aux concepteurs une s\u00e9lection vari\u00e9e d'options d'encombrement et de tension nominale, et leur technologie au carbure de silicium (SiC) offre des vitesses de commutation plus rapides avec des pertes de conduction r\u00e9duites par rapport aux commutateurs de puissance au silicium traditionnels.<\/p>\n
Les circuits de gestion de l'\u00e9nergie pour les onduleurs de traction des v\u00e9hicules \u00e9lectriques, les chargeurs embarqu\u00e9s et les convertisseurs DC-DC s'appuient g\u00e9n\u00e9ralement sur des MOSFET SiC et des diodes pour des performances optimales. Le MOSFET SiC planaire EliteSiC 1200 V r\u00e9duit les pertes de conduction et d'extinction de 30% avec une faible r\u00e9sistance d'enclenchement de 11mO, ce qui se traduit par un rendement plus \u00e9lev\u00e9, des fr\u00e9quences de fonctionnement plus rapides, une plus grande puissance de sortie et une r\u00e9duction des \u00e9missions EMI.<\/p>\n
Le TBL045N065SC1 se pr\u00e9sente dans un bo\u00eetier TOLL et r\u00e9pond aux normes Pb, Halog\u00e8ne et BFR avec une sensibilit\u00e9 \u00e0 l'humidit\u00e9 de niveau 1 (MSL 1), ce qui le rend adapt\u00e9 aux applications exigeantes telles que les onduleurs solaires, les alimentations de serveurs et de t\u00e9l\u00e9communications, les alimentations sans coupure (UPS) et le stockage de l'\u00e9nergie. Comme Onsemi est l'un des seuls fournisseurs de semi-conducteurs de puissance SiC int\u00e9gr\u00e9s verticalement avec des processus internes de croissance de billes, de fabrication de substrats, d'\u00e9pitaxie et de fabrication de dispositifs, onsemi peut rapidement fournir des offres suppl\u00e9mentaires. Le dernier dispositif d'Onsemi offre un emballage plus petit de 60% par rapport \u00e0 son pr\u00e9d\u00e9cesseur en silicium, aidant les clients \u00e0 r\u00e9pondre aux normes d'efficacit\u00e9 ErP et 80 PLUS Titanium.<\/p>\n
Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) peuvent contribuer \u00e0 am\u00e9liorer l'efficacit\u00e9 des syst\u00e8mes et \u00e0 r\u00e9duire les co\u00fbts, en particulier pour les applications \u00e0 haute puissance telles que le chargement des v\u00e9hicules \u00e9lectriques (EV), les entra\u00eenements industriels et les alimentations \u00e9lectriques, les centres de donn\u00e9es ou le chargement \u00e0 bord des v\u00e9hicules \u00e9lectriques (EV). M\u00eame de petites am\u00e9liorations de l'efficacit\u00e9 des syst\u00e8mes peuvent avoir des r\u00e9sultats spectaculaires : par exemple, l'am\u00e9lioration d'un onduleur pour v\u00e9hicules \u00e9lectriques de seulement un point de pourcentage pourrait permettre de parcourir 4 milliards de kilom\u00e8tres de plus par an, tandis que l'am\u00e9lioration de l'onduleur pour les centres de donn\u00e9es pourrait permettre d'\u00e9conomiser $650 millions d'euros par an rien que sur les co\u00fbts de l'\u00e9lectricit\u00e9 !<\/p>\n
Avec une tension de blocage de 1200 V, les MOSFET SiC sont capables de fournir un courant plus \u00e9lev\u00e9 dans des empreintes plus petites tout en g\u00e9rant la chaleur plus efficacement que les transistors de puissance au silicium traditionnels. Leur r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement drain-source (RDS(on)) inf\u00e9rieure \u00e0 1mO leur permet de fournir un courant plus \u00e9lev\u00e9 avec des \u00e9missions de bruit r\u00e9duites, tandis que leur diode de corps \u00e0 r\u00e9cup\u00e9ration douce minimise le courant de r\u00e9cup\u00e9ration inverse pour une minimisation du courant de r\u00e9cup\u00e9ration inverse ainsi qu'une minimisation du courant de r\u00e9cup\u00e9ration inverse et une r\u00e9duction du bruit de sonnerie, tandis que leur structure de grille isol\u00e9e emp\u00eache la charge de se d\u00e9charger dans leur corps pour r\u00e9duire les pertes de commutation et les \u00e9missions de bruit.<\/p>\n
Dans les applications \u00e0 commutation dure, le MOSFET EliteSiC 1200 V peut r\u00e9duire la perte de puissance de 20% par rapport aux principaux concurrents, ce qui permet aux concepteurs de fonctionner \u00e0 des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es tout en utilisant des composants passifs plus petits et en r\u00e9duisant le co\u00fbt global du syst\u00e8me. En outre, ses performances de commutation rapide et ses faibles pertes de conduction font de ce dispositif une solution id\u00e9ale pour les applications \u00e0 grande vitesse.<\/p>\n
Alors que le MOSFET de puissance SiC poursuit son ascension rapide dans les applications, les premiers utilisateurs expriment souvent des inqui\u00e9tudes quant \u00e0 sa fiabilit\u00e9. Des \u00e9tudes indiquent que le SiC est extr\u00eamement robuste, mais qu'il n\u00e9cessite toujours des tests rigoureux dans des conditions s\u00e9v\u00e8res afin d'\u00e9valuer ses performances sous l'effet du courant, des interf\u00e9rences \u00e9lectromagn\u00e9tiques, des fluctuations de temp\u00e9rature, etc. Ces \u00e9valuations permettent aux concepteurs de mieux concevoir des circuits qui maximisent les performances et r\u00e9duisent les co\u00fbts.<\/p>\n
Les ing\u00e9nieurs d'Infineon ont r\u00e9ussi \u00e0 r\u00e9duire le taux de d\u00e9faillance des dispositifs SiC en les soumettant \u00e0 des tensions \u00e9lev\u00e9es. Ce processus de criblage consiste \u00e0 appliquer des tensions successives sup\u00e9rieures d'un V \u00e0 la tension pr\u00e9c\u00e9dente ; leurs tensions de seuil sont ensuite mesur\u00e9es et leur rapport avec la tension d'utilisation de la grille recommand\u00e9e sur les fiches techniques est utilis\u00e9 pour calculer les facteurs de r\u00e9duction du taux de d\u00e9faillance.<\/p>\n
Les probl\u00e8mes de fiabilit\u00e9 associ\u00e9s aux MOSFET SiC emball\u00e9s soumis \u00e0 des cycles d'alimentation restent \u00e9galement d'actualit\u00e9. Bien qu'elle ne soit pas aussi extr\u00eame, la d\u00e9gradation due au pi\u00e9geage des charges \u00e0 l'interface SiC\/SiO2 entra\u00eene des variations substantielles de la tension de seuil et du courant direct qui r\u00e9duisent la dur\u00e9e de vie du dispositif.<\/p>\n
Onsemi a r\u00e9cemment d\u00e9voil\u00e9 un MOSFET de puissance SiC de 650 V avec un emballage TOLL qui r\u00e9pond \u00e0 tous ces crit\u00e8res et plus encore ! Sp\u00e9cialement con\u00e7u pour r\u00e9pondre aux exigences rigoureuses des alimentations \u00e0 d\u00e9coupage, des alimentations de serveurs et de t\u00e9l\u00e9communications, des onduleurs solaires et des alimentations sans interruption, il est \u00e9galement exempt d'halog\u00e8nes (sans halog\u00e8ne, sans Pb et conforme \u00e0 la directive RoHS).<\/p>\n
Les MOSFET SiC pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement inf\u00e9rieure \u00e0 celle des dispositifs en silicium (Si), ce qui permet de r\u00e9duire la taille des bo\u00eetiers et de r\u00e9aliser des \u00e9conomies d'\u00e9nergie. Leurs temps de commutation plus rapides permettent d'am\u00e9liorer le rendement et de r\u00e9duire les pertes de puissance, ainsi que des coefficients de temp\u00e9rature plus faibles qui les rendent plus fiables que les semi-conducteurs de puissance en silicium.<\/p>\n
La r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement fait partie int\u00e9grante du temps de r\u00e9sistance aux courts-circuits pour les applications \u00e0 courant \u00e9lev\u00e9, en particulier pour les dispositifs SiC \u00e0 longue r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement et lorsqu'ils sont connect\u00e9s directement \u00e0 des sources de tension de drain et de source. Un dispositif SiC pr\u00e9sentant une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement trop \u00e9lev\u00e9e prolonge le temps n\u00e9cessaire pour que la tension de commande de sa grille atteigne la saturation et d\u00e9clenche un effet d'avalanche, ce qui peut entra\u00eener une rupture de la couche d'oxyde de silicium (Si) qui s\u00e9pare le drain et la source.<\/p>\n
L'un des moyens de r\u00e9duire la r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement est de rendre les circuits int\u00e9gr\u00e9s de commande de grille plus robustes, ce qui permet d'\u00e9viter d'endommager les dispositifs. UnitedSiC a produit des FET SiC pr\u00e9sentant la plus faible r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement de l'industrie. Leur dispositif UJ4SC075006K4S de quatri\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration, par exemple, pr\u00e9sente une r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement de 6 mOhm et peut supporter une tension nominale de 750 V avec une fonction de d\u00e9-sat int\u00e9gr\u00e9e qui s'int\u00e8gre de mani\u00e8re transparente dans les circuits d'attaque standard.<\/p>\n
Toshiba a d\u00e9velopp\u00e9 une structure de dispositif qui r\u00e9duit consid\u00e9rablement la r\u00e9sistance \u00e0 l'enclenchement en diminuant la r\u00e9sistance du JFET et la r\u00e9sistance \u00e0 l'\u00e9talement, avec RonA r\u00e9duit de 43% et Ron*Qgd de 80% par rapport \u00e0 leurs produits de deuxi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration, ainsi qu'en ajoutant une r\u00e9gion de diffusion p plus large pour r\u00e9duire la capacit\u00e9 de r\u00e9troaction et la r\u00e9sistance du JFET.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide (SiC) is an analogous wide bandgap semiconductor to diamond, offering similar electrical properties allowing higher switching frequencies, lower power losses and larger power densities. onsemi’s 1200 V EliteSiC planar SiC MOSFET is now sampling in an industry-standard TO-247-4L package and boasts reduced conduction and turn-off losses compared to earlier generations, providing 11mO resistance… Lire la suite »Le nouveau MOSFET SiC d'Onsemi<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-256","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/256","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=256"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/256\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":257,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/256\/revisions\/257"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=256"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=256"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=256"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}