{"id":248,"date":"2024-11-04T08:12:34","date_gmt":"2024-11-04T08:12:34","guid":{"rendered":"http:\/\/siliconcarbideplate.net\/?p=248"},"modified":"2024-11-04T08:12:34","modified_gmt":"2024-11-04T08:12:34","slug":"pourquoi-le-carbure-de-silicium-est-un-composant-essentiel-des-systemes-dalimentation-des-vehicules-electriques-et-des-energies-renouvelables","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/why-silicon-carbide-is-a-critical-component-in-power-systems-for-evs-and-renewable-energy\/","title":{"rendered":"Pourquoi le carbure de silicium est un composant essentiel des syst\u00e8mes d'alimentation pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques et les \u00e9nergies renouvelables ?"},"content":{"rendered":"<p>La technologie au carbure de silicium s'est rapidement impos\u00e9e dans les syst\u00e8mes d'alimentation destin\u00e9s aux v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE) et aux applications li\u00e9es aux \u00e9nergies renouvelables, offrant de nombreux avantages, notamment un rendement accru, des co\u00fbts r\u00e9duits et un encombrement moindre. D\u00e9couvrez pourquoi la polyvalence du carbure de silicium a conduit \u00e0 son adoption g\u00e9n\u00e9ralis\u00e9e dans diverses applications.<\/p>\n<p>Onsemi dispose d'une capacit\u00e9 de production de SiC enti\u00e8rement int\u00e9gr\u00e9e verticalement, couvrant la croissance de lingots, le traitement des substrats, l'\u00e9pitaxie, la fabrication de composants ainsi que des circuits int\u00e9gr\u00e9s et des modules haut de gamme. D\u00e9couvrez trois bonnes raisons de choisir les solutions de notre gamme EliteSiC pour fa\u00e7onner l'\u00e9nergie durable de demain.<\/p>\n<h2>Haute temp\u00e9rature<\/h2>\n<p>Le SiC est l'un des rares mat\u00e9riaux semi-conducteurs capables de r\u00e9sister \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es, ce qui en fait un mat\u00e9riau indispensable dans les applications de puissance et de d\u00e9tection \u00e0 haute temp\u00e9rature. Gr\u00e2ce \u00e0 ses propri\u00e9t\u00e9s physiques exceptionnelles \u2013 vitesse de d\u00e9rive des \u00e9lectrons \u00e0 saturation \u00e9lev\u00e9e, vitesse de commutation rapide et champ \u00e9lectrique de claquage sup\u00e9rieur \u00e0 celui du silicium (Si) \u2013, le SiC permet d'am\u00e9liorer le rendement tout en r\u00e9duisant les co\u00fbts dans des syst\u00e8mes tels que les convertisseurs de puissance, les transistors de puissance et les pilotes de moteur.<\/p>\n<p>Les applications industrielles telles que les pompes, les raffineries de p\u00e9trole et les mines soumettent souvent les \u00e9quipements \u00e0 des contraintes extr\u00eames dans des conditions difficiles et dangereuses, exigeant performance et fiabilit\u00e9 quelles que soient les variations de temp\u00e9rature. Le carbure de silicium (SiC) est devenu le mat\u00e9riau de choix pour les capteurs IoT intelligents dans de tels environnements, permettant ainsi aux appareils de fonctionner dans des conditions exigeantes et dangereuses.<\/p>\n<p>Gr\u00e2ce \u00e0 sa r\u00e9sistance aux temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es, le SiC constitue un mat\u00e9riau de choix pour les appareils IoT industriels utilis\u00e9s dans des environnements difficiles et toxiques, tels que les mines et les stations de pompage, o\u00f9 l'acc\u00e8s peut s'av\u00e9rer difficile ou d'un co\u00fbt prohibitif. Le SiC permet \u00e0 ces appareils de supporter des temp\u00e9ratures de fonctionnement plus \u00e9lev\u00e9es tout en conservant leur fiabilit\u00e9 tout au long de leur dur\u00e9e de vie.<\/p>\n<p>Les produits en SiC n\u00e9cessitent une m\u00e9thodologie rigoureuse en mati\u00e8re de qualit\u00e9 et de fiabilit\u00e9, qui commence d\u00e8s la phase de conception. onsemi a mis \u00e0 profit son exp\u00e9rience dans le domaine des semi-conducteurs de puissance \u00e0 base de silicium pour d\u00e9velopper des capacit\u00e9s de fabrication et de test \u00e9tendues, permettant de qualifier et de commercialiser en toute s\u00e9curit\u00e9 et de mani\u00e8re responsable des produits en SiC pouvant atteindre 1 200 V. Cette approche implique une m\u00e9thodologie de conception rigoureuse, une surveillance stricte de la production, des mesures de contr\u00f4le de la fabrication, des proc\u00e9dures et des plans de s\u00e9lection, ainsi que des plans de qualification exhaustifs.<\/p>\n<h2>Haute tension<\/h2>\n<p>Le carbure de silicium (SiC) peut supporter des tensions \u00e9lev\u00e9es, ce qui le rend id\u00e9al pour \u00e9liminer les composants parasites et am\u00e9liorer le rendement du syst\u00e8me. De plus, le SiC permet d'atteindre une densit\u00e9 de puissance plus \u00e9lev\u00e9e gr\u00e2ce \u00e0 un encombrement r\u00e9duit et \u00e0 un nombre moindre de composants.<\/p>\n<p>La gamme EliteSiC d'Onsemi, compos\u00e9e de MOSFET et de diodes, propose un large choix de familles de produits con\u00e7ues pour s'adapter \u00e0 diff\u00e9rentes applications, avec des tensions nominales pouvant atteindre 1 700 V. Gr\u00e2ce \u00e0 des bo\u00eetiers personnalis\u00e9s adapt\u00e9s aux applications des clients, ainsi qu'\u00e0 une fiabilit\u00e9 accrue, des pertes de commutation r\u00e9duites et des temps de r\u00e9cup\u00e9ration plus courts que leurs homologues en silicium, les dispositifs EliteSiC constituent des solutions de qualit\u00e9 sup\u00e9rieure.<\/p>\n<p>Les composants de puissance EliteSiC d'Onsemi sont fabriqu\u00e9s \u00e0 partir de SiC brut sous forme de lingot. Apr\u00e8s avoir subi les diff\u00e9rentes \u00e9tapes de fabrication, cette plaquette transparente est d\u00e9coup\u00e9e en puces individuelles destin\u00e9es \u00e0 l'assemblage et aux tests.<\/p>\n<p>Onsemi se distingue des autres fabricants de semi-conducteurs par son mod\u00e8le d'int\u00e9gration verticale et offre \u00e0 ses clients une source unique de composants de puissance de haute qualit\u00e9, capables de r\u00e9sister aux temp\u00e9ratures et tensions \u00e9lev\u00e9es associ\u00e9es aux onduleurs de traction des v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE). Cela permet aux \u00e9quipementiers automobiles et \u00e0 leurs fournisseurs de premier rang d'acc\u00e9l\u00e9rer la mise sur le march\u00e9 en it\u00e9rant rapidement vers des conceptions optimales tout en r\u00e9duisant les risques gr\u00e2ce \u00e0 des d\u00e9lais de test plus courts, ce qui est particuli\u00e8rement important lorsqu'il s'agit d'une technologie \u00e9mergente telle que le SiC.<\/p>\n<h2>Haute efficacit\u00e9<\/h2>\n<p>Les propri\u00e9t\u00e9s exceptionnelles du carbure de silicium lui permettent de conduire le courant \u00e0 travers des surfaces plus petites tout en r\u00e9duisant la r\u00e9sistance thermique. Il en r\u00e9sulte un meilleur rendement, car une puissance plus \u00e9lev\u00e9e est fournie sur un encombrement r\u00e9duit ; de plus, cette taille r\u00e9duite se traduit par un nombre moindre de composants passifs, ce qui diminue encore davantage le co\u00fbt total des composants et le poids.<\/p>\n<p>Les solutions \u00e0 base de carbure de silicium (SiC) se caract\u00e9risent g\u00e9n\u00e9ralement par une nomenclature (BOM) et des co\u00fbts syst\u00e8me inf\u00e9rieurs \u00e0 ceux de leurs \u00e9quivalents \u00e0 base de silicium, ce qui se traduit par des \u00e9conomies substantielles dans des secteurs tels que les infrastructures \u00e9nerg\u00e9tiques, les variateurs industriels et les bornes de recharge pour v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n<p>Les techniques d'encapsulation avanc\u00e9es d'onsemi contribuent \u00e9galement \u00e0 r\u00e9duire les co\u00fbts en am\u00e9liorant la dissipation thermique et en permettant la conception de formats plus fins, ce qui r\u00e9duit les exigences en mati\u00e8re de taille des syst\u00e8mes de refroidissement \u2013 un poste de d\u00e9pense souvent associ\u00e9 aux dispositifs haute performance.<\/p>\n<p>Les bo\u00eetiers compacts contribuent \u00e9galement \u00e0 minimiser les effets parasites et \u00e0 am\u00e9liorer la fiabilit\u00e9 du syst\u00e8me \u2013 des aspects essentiels dans les applications \u00e0 haute vitesse, d\u00e9sormais courantes tant pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE) que pour les syst\u00e8mes de stockage d'\u00e9nergie. Les MOSFET EliteSiC 1,7 kV et les diodes Schottky d'Onsemi, avec une tension de claquage de 1,7 kV, constituent d'excellentes solutions pour une utilisation dans les onduleurs, les chargeurs externes et les convertisseurs CC-CC.<\/p>\n<h2>\u00c0 petit prix<\/h2>\n<p>Le carbure de silicium est un composant essentiel des dispositifs de puissance haute performance destin\u00e9s aux v\u00e9hicules \u00e9lectriques (VE) et aux infrastructures \u00e9nerg\u00e9tiques. Cependant, la demande augmentant rapidement et d\u00e9passant l'offre, des p\u00e9nuries de carbure de silicium sont apparues, ce qui rend n\u00e9cessaire d'acc\u00e9l\u00e9rer le d\u00e9veloppement et le d\u00e9ploiement de solutions de gestion de l'\u00e9nergie intelligentes.<\/p>\n<p>L'un des principaux d\u00e9fis auxquels sont confront\u00e9s les fabricants d'\u00e9quipements d'origine et les \u00e9quipementiers automobiles en mati\u00e8re de cha\u00eenes d'approvisionnement consiste \u00e0 garantir que les composants arrivent dans les d\u00e9lais. Les retards pourraient entra\u00eener des pertes de chiffre d'affaires ou compromettre les objectifs de r\u00e9duction des \u00e9missions ; c'est pourquoi il est imp\u00e9ratif de s'associer \u00e0 un fournisseur int\u00e9gr\u00e9 verticalement, capable d'assurer la s\u00e9curit\u00e9 d'approvisionnement tout au long du cycle de conception.<\/p>\n<p>Onsemi a r\u00e9alis\u00e9 d'importants investissements pour r\u00e9pondre \u00e0 ce besoin du march\u00e9 en augmentant ses capacit\u00e9s de production et en s'orientant vers des capacit\u00e9s de production sur des plateformes de 8 pouces dans son usine de Bucheon, tout en multipliant par cinq ses activit\u00e9s li\u00e9es aux substrats.<\/p>\n<p>Onsemi va \u00e9galement quadrupler la production de composants et de modules sur ce site, ce qui lui permettra de proposer des composants de pointe \u00e0 des prix tr\u00e8s comp\u00e9titifs.<\/p>\n<p>Ces am\u00e9liorations permettront aux clients de mettre en \u0153uvre des technologies intelligentes de gestion de l'\u00e9nergie et de d\u00e9tection pour r\u00e9pondre \u00e0 des m\u00e9gatendances telles que l'\u00e9lectrification et la s\u00e9curit\u00e9 des v\u00e9hicules, les r\u00e9seaux \u00e9nerg\u00e9tiques durables et l'automatisation industrielle. Onsemi propose une large gamme de composants de puissance, tels que des MOSFET SiC et des pilotes de grille, dans diff\u00e9rents bo\u00eetiers adapt\u00e9s \u00e0 diverses applications et environnements, ainsi que des conceptions de r\u00e9f\u00e9rence, des notes d'application, des mod\u00e8les et outils de simulation, et bien plus encore, afin d'acc\u00e9l\u00e9rer l'adoption de ces technologies.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Silicon carbide technology has quickly been adopted into power systems used for electric vehicles (EVs) and renewable energy applications, offering numerous advantages including greater efficiency, lower costs, and smaller system footprints. Discover why silicon carbide&#8217;s versatility has led to its wide adoption across various systems applications. Onsemi offers comprehensive vertically integrated SiC manufacturing capacity that&hellip;&nbsp;<a href=\"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/why-silicon-carbide-is-a-critical-component-in-power-systems-for-evs-and-renewable-energy\/\" class=\"\" rel=\"bookmark\">Lire la suite &raquo;<span class=\"screen-reader-text\">Pourquoi le carbure de silicium est un composant essentiel des syst\u00e8mes d'alimentation pour les v\u00e9hicules \u00e9lectriques et les \u00e9nergies renouvelables ?<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-248","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/248","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=248"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/248\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":249,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/248\/revisions\/249"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=248"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=248"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=248"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}