Le carbure de silicium r\u00e9volutionne la conception des syst\u00e8mes de puissance en offrant un rendement et une densit\u00e9 de puissance sup\u00e9rieurs dans des applications aussi vari\u00e9es que les v\u00e9hicules \u00e9lectriques, les onduleurs solaires et les alimentations \u00e0 d\u00e9coupage de qualit\u00e9 industrielle. Infineon propose des produits haut de gamme qui permettent de r\u00e9aliser d'importantes \u00e9conomies sur l'ensemble des syst\u00e8mes gr\u00e2ce \u00e0 son expertise approfondie en mati\u00e8re de MOSFET au SiC et d'IGBT au silicium.<\/p>\n
L'usine Kulim 3 Fabric, en Malaisie, a obtenu des acomptes de la part de ses clients afin de garantir la r\u00e9servation de capacit\u00e9s de production et d'assurer la stabilit\u00e9 de la cha\u00eene d'approvisionnement, contribuant ainsi \u00e0 pr\u00e9venir d'\u00e9ventuelles crises de production \u00e0 l'avenir.<\/p>\n
La technologie MOSFET \u00ab CoolSiC G2 \u00bb \u00e0 structure en tranch\u00e9e d'Infineon constitue une avanc\u00e9e r\u00e9volutionnaire dans le domaine des syst\u00e8mes de puissance et de la conversion d'\u00e9nergie. Elle permet d'am\u00e9liorer de mani\u00e8re spectaculaire des indicateurs de performance cl\u00e9s, tels que les \u00e9nergies stock\u00e9es et les charges, jusqu'\u00e0 20% par rapport \u00e0 la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente, sans compromettre la qualit\u00e9 ni la fiabilit\u00e9. Cela se traduit par une efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique accrue, une r\u00e9duction du co\u00fbt par watt et une contribution aux efforts de d\u00e9carbonisation.<\/p>\n
Le CoolSiC G2 allie les avantages du carbure de silicium \u00e0 une fiabilit\u00e9 de pointe pour offrir une fiabilit\u00e9 in\u00e9gal\u00e9e dans le secteur. Il affiche d'excellents r\u00e9sultats aux tests d'avalanche, peut fonctionner dans des conditions de temp\u00e9ratures et de tensions \u00e9lev\u00e9es, dispose d'une large plage de temp\u00e9ratures de fonctionnement et offre une protection robuste contre les effets parasites ; de plus, son courant de commande de grille \u00e9lev\u00e9 permet des vitesses de commutation plus rapides, ce qui augmente la densit\u00e9 de puissance globale.<\/p>\n
Ce dispositif se caract\u00e9rise par une valeur RDS(on) remarquablement faible, ce qui contribue \u00e0 r\u00e9duire les pertes de puissance et \u00e0 am\u00e9liorer le rendement \u00e9nerg\u00e9tique. De plus, son comportement de commutation en r\u00e9ponse \u00e0 la charge thermique garantit un rendement maximal \u00e0 toutes les temp\u00e9ratures.<\/p>\n
La gamme XHP 2 CoolSiC G2 3,3 kV d\u2019Infineon permet de r\u00e9duire l\u2019encombrement des stations de recharge rapide en courant continu pour v\u00e9hicules \u00e9lectriques, des entra\u00eenements moteurs, des syst\u00e8mes photovolta\u00efques et des installations de stockage d\u2019\u00e9nergie. De plus, ses capacit\u00e9s de cyclage sup\u00e9rieures prolongent la dur\u00e9e de vie des composants, ce qui se traduit par un co\u00fbt par watt r\u00e9duit. Infineon a d\u00e9velopp\u00e9 sa technologie d\u2019interconnexion de bo\u00eetiers .XT afin de pallier le module de Young plus \u00e9lev\u00e9 du SiC, qui provoque des contraintes thermom\u00e9caniques sur les joints de soudure r\u00e9sultant de contraintes thermom\u00e9caniques sur les joints de soudure dues \u00e0 des contraintes thermom\u00e9caniques sur les joints de soudure caus\u00e9es par des contraintes thermom\u00e9caniques sur les joints de soudure ; gr\u00e2ce au soudage par diffusion, cette technologie offre une fixation de puce extr\u00eamement robuste et une dur\u00e9e de vie accrue par rapport aux technologies conventionnelles d\u2019encapsulation des semi-conducteurs de puissance.<\/p>\n
Le carbure de silicium (SiC) est un mat\u00e9riau semi-conducteur viable sur le plan industriel, dop\u00e9 \u00e0 l'azote ou au phosphore pour la production de semi-conducteurs de type n, et \u00e0 l'oxyg\u00e8ne ou au gallium pour ceux de type p. Il est fusionn\u00e9 ou li\u00e9 \u00e0 d'autres mat\u00e9riaux pour former des puces, telles que des semi-conducteurs de puissance. Par rapport au silicium, le SiC pr\u00e9sente des performances sup\u00e9rieures \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es, tout en affichant une chute de tension, une consommation de courant et des pertes de commutation plus faibles, ainsi qu\u2019une meilleure r\u00e9sistance aux cycles de charge et de d\u00e9charge.<\/p>\n
La technologie MOSFET \u00ab trench \u00bb CoolSiC G2 d\u2019Infineon, int\u00e9gr\u00e9e \u00e0 son syst\u00e8me HybridPACK Drive G2 Fusion bas\u00e9 sur la technologie CoolSiC ICE de 1 200 V, offre des indicateurs de performance cl\u00e9s am\u00e9lior\u00e9s pour les MOSFET, tels que l\u2019\u00e9nergie stock\u00e9e et la capacit\u00e9 de charge, par rapport \u00e0 ce qui \u00e9tait auparavant possible avec les MOSFET en SiC. Il en r\u00e9sulte un gain de rendement global et de fiabilit\u00e9 du syst\u00e8me par rapport aux mod\u00e8les pr\u00e9c\u00e9dents.<\/p>\n
La technologie M1H permet \u00e9galement une plage de tension de grille beaucoup plus large, offrant ainsi une meilleure r\u00e9sistance aux pics de tension au niveau de la grille induits par le circuit d'attaque et la configuration du circuit. De plus, les faibles pertes de commutation et de transmission r\u00e9duisent consid\u00e9rablement les besoins en refroidissement.<\/p>\n
Outre leurs avantages habituels, les nouveaux modules d\u2019Infineon offrent la meilleure r\u00e9sistance aux cycles de leur cat\u00e9gorie, avec jusqu\u2019\u00e0 25 fois plus de cycles de charge que les technologies d\u2019assemblage standard, ce qui les rend adapt\u00e9s aux applications exigeantes telles que la technologie ferroviaire, le photovolta\u00efque, les infrastructures de recharge des v\u00e9hicules \u00e9lectriques en courant continu et les alimentations \u00e9lectriques industrielles. Ils sont propos\u00e9s dans un bo\u00eetier D2PAK SMD \u00e0 7 broches, facile \u00e0 assembler, qui offre une meilleure conductivit\u00e9 thermique et un meilleur contr\u00f4le de l\u2019assemblage.<\/p>\n
Les MOSFET CoolSiC sont conformes \u00e0 la norme AEC-Q101 afin de garantir s\u00e9curit\u00e9, fiabilit\u00e9 et long\u00e9vit\u00e9 dans les applications automobiles exigeantes. Conditionn\u00e9s en bo\u00eetiers DFN5060 pour une dissipation thermique optimale, ils emp\u00eachent la surchauffe dans des conditions difficiles, tandis que leur grande distance de fuite de 5,89 mm r\u00e9pond aux exigences des syst\u00e8mes \u00e0 800 V tout en r\u00e9duisant les besoins en rev\u00eatement. Ils sont \u00e9galement sans halog\u00e8ne et conformes \u00e0 la directive RoHS : parfait !<\/p>\n
Ces nouveaux composants offrent une densit\u00e9 de puissance et un rendement sup\u00e9rieurs pour les variateurs industriels et les syst\u00e8mes de recharge des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Ils pr\u00e9sentent des pertes par conduction et de commutation inf\u00e9rieures \u00e0 celles des IGBT au silicium, ce qui permet d'atteindre des fr\u00e9quences de commutation plus \u00e9lev\u00e9es tout en r\u00e9duisant les co\u00fbts globaux du syst\u00e8me. Ils b\u00e9n\u00e9ficient \u00e9galement de plages de temp\u00e9rature \u00e9tendues, ce qui leur permet de fonctionner dans des environnements difficiles.<\/p>\n
Ces dispositifs sont \u00e9quip\u00e9s de diodes int\u00e9gr\u00e9es robustes, con\u00e7ues pour une commutation intensive, ce qui les rend adapt\u00e9s aux circuits de correction du facteur de puissance et aux topologies bidirectionnelles. Leur disponibilit\u00e9 permet toute une gamme de configurations : onduleurs CC-CA, circuits PFC et m\u00eame convertisseurs buck\/boost !<\/p>\n
Infineon met \u00e0 profit son expertise compl\u00e8te dans les technologies des MOSFET SiC et des IGBT au silicium, dans le conditionnement des modules de puissance, dans les pilotes de grille et dans les capteurs pour d\u00e9velopper des produits haut de gamme permettant de r\u00e9aliser des \u00e9conomies au niveau du syst\u00e8me. L'investissement d'Infineon dans Kulim 3, la plus grande usine au monde de fabrication de composants de puissance SiC en plaquettes de 200 mm, t\u00e9moigne de cette approche globale. Cela permettra \u00e0 Infineon de continuer \u00e0 r\u00e9pondre \u00e0 la demande croissante pour ses technologies \u00e0 large bande interdite et ses solutions de syst\u00e8mes de puissance.<\/p>\n
Lors du salon SEMICON West \u00e0 San Francisco, la soci\u00e9t\u00e9 SILTECTRA GmbH, sp\u00e9cialis\u00e9e dans les technologies de fabrication de plaquettes et bas\u00e9e \u00e0 Dresde, en Allemagne, a d\u00e9voil\u00e9 de nouveaux avantages en termes de co\u00fbt total de possession (CoO) pour son proc\u00e9d\u00e9 d\u2019amincissement au laser \u00ab COLD SPLIT \u00bb \u2013 des avantages destin\u00e9s \u00e0 profiter aux fabricants de semi-conducteurs de puissance.<\/p>\n
Cette technologie utilise des techniques de sciage pour fendre des mat\u00e9riaux cristallins avec un minimum de pertes, ce qui permet d'obtenir plus de deux fois plus de plaquettes \u00e0 partir de chaque lingot qu'avec la technologie de sciage traditionnelle et de r\u00e9duire consid\u00e9rablement les co\u00fbts d'exploitation. De plus, cette m\u00e9thode permet de traiter divers substrats tels que le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) et le saphir.<\/p>\n
La technologie des plaquettes amincies pourrait \u00e9galement permettre de r\u00e9duire les co\u00fbts tout en am\u00e9liorant les performances \u00e9lectriques des appareils destin\u00e9s aux utilisateurs finaux, notamment les diodes Schottky \u00e0 base de SiC utilis\u00e9es dans les chargeurs embarqu\u00e9s et les convertisseurs CC\/CC des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Les plaquettes amincies pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance plus faible, ce qui r\u00e9duit les pertes \u00e9lectriques.<\/p>\n
L'usine de fabrication de semi-conducteurs de puissance en SiC de 200 millim\u00e8tres d'Infineon, situ\u00e9e \u00e0 Kulim, en Malaisie, deviendra la plus grande et la plus comp\u00e9titive au monde. Con\u00e7ue pour r\u00e9pondre \u00e0 la demande croissante en semi-conducteurs de puissance li\u00e9e aux efforts mondiaux de d\u00e9carbonisation, son ouverture co\u00efncide avec celle d\u2019un p\u00f4le Infineon situ\u00e9 pr\u00e8s de Villach, en Autriche, qui permet une expansion rapide et une mont\u00e9e en puissance sans heurts ; autant d\u2019atouts qui garantissent une qualit\u00e9 constante et le respect des d\u00e9lais de livraison aux clients.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide is revolutionizing power design by offering greater efficiency and power density in applications ranging from electric vehicles, solar inverters and industrial-grade switch-mode power supplies. Infineon provides premium products which deliver substantial cost savings across systems thanks to its extensive expertise with SiC MOSFETs and silicon IGBTs. Kulim 3 Fabric in Malaysia has secured… Lire la suite \u00bbLe carbure de silicium d'Infineon transforme la conception de puissance<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-246","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/246","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=246"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/246\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":247,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/246\/revisions\/247"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=246"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=246"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=246"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}