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Faible résistance à l'enclenchement Le 1200V sct055hu65g3ag est basé sur la technologie SiC MOSFET de puissance de troisième génération de ST et présente un RDS(ON) par unité de surface significativement plus faible que les générations précédentes,... Lire la suite »1200V SCT055HU65G3AG MOSFET

Le carbure de silicium est un matériau extrêmement dur avec un rapport résistance/densité supérieur, offrant une résistance à la dilatation thermique supérieure à celle du verre et des températures plus élevées que celles qui peuvent être tolérées... Lire la suite »Substrats transparents en carbure de silicium pour la microscopie électronique

La dureté, la rigidité et la faible dilatation thermique du carbure de silicium en font un excellent matériau pour les miroirs des télescopes astronomiques. Les abrasifs en carbure de silicium sont... Lire la suite »Texas Instruments et carbure de silicium

L'évaluation de la qualité du carbure de silicium gravé nécessite la mesure de sa rugosité quadratique moyenne (RMS). Les résultats d'une étude approfondie démontrent une relation directe entre... Lire la suite »Gravure ICP-RIE du carbure de silicium

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur à large bande interdite. Il est présent à l'état naturel dans les gemmes de moissanite et dans les produits industriels tels que le corindon. Le nickel chimique avec le carbure de silicium... Lire la suite »Qu'est-ce que le carbure de silicium ?

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau exceptionnel doté de propriétés électriques et mécaniques remarquables, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications exigeant des performances à des températures élevées... Lire la suite »Avantages du carbure de silicium 4H et 6H pour l'électronique de puissance

Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande interdite analogue au diamant, offrant des propriétés électriques similaires permettant des fréquences de commutation plus élevées, des pertes de... Lire la suite »Le nouveau MOSFET SiC d'Onsemi

Le carbure de silicium (SiC) a le potentiel de révolutionner l'électronique de puissance et d'autres applications qui exigent des performances robustes dans des environnements difficiles. Lire la suite »Semi-conducteur en carbure de silicium

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau extrêmement robuste et résistant à la corrosion. Il peut supporter des températures élevées tout en restant compatible avec les environnements sous vide et en présentant des qualités... Lire la suite »Roulements CeramicSpeed - Roulements en carbure de silicium

La conductivité thermique supérieure du substrat SiC et sa résistance aux températures et aux courants élevés en font un excellent choix de matériau pour les dispositifs de puissance, avec des coûts comprenant 40%-50%... Lire la suite »Dispositifs de puissance sur substrats SiC