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La quatrième génération de MOSFET SiC de STpower pour les onduleurs de traction des bus électriques

STMicroelectronics présente sa quatrième génération de composants MOSFET en carbure de silicium conçus spécifiquement pour les onduleurs de traction des bus électriques, améliorant ainsi l'efficacité énergétique, la densité de puissance et la fiabilité.... Lire la suite »La quatrième génération de MOSFET SiC de STpower pour les onduleurs de traction des bus électriques

Le carbure de silicium et ses utilisations dans l'électronique de puissance et les applications biomédicales

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau innovant qui surmonte les limites posées par le silicium traditionnel dans les applications de puissance, offrant des capacités de tension de blocage plus élevées et une commutation plus rapide.... Lire la suite »Le carbure de silicium et ses utilisations dans l'électronique de puissance et les applications biomédicales

Cree SiC MOSFET

Les MOSFET de puissance SiC de Cree permettent des tensions de blocage plus élevées dans les circuits de conversion DC/DC à haute fréquence pour réduire la taille, le poids et le coût du système grâce à une efficacité accrue. Ils... Lire la suite »Cree SiC MOSFET

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