Catania SiC Campus on ensimm\u00e4inen integroitu tuotantolaitos, jossa valmistetaan sarjatuotantona 150 mm:n SiC-epitaaksisia substraatteja hy\u00f6dynt\u00e4en tuotantoprosessin kaikkia vaiheita; 200 mm:n piikiekot tulevat tuotantoon pian t\u00e4m\u00e4n j\u00e4lkeen. Se tukee ST:n vertikaalisen integraation strategiaa laajakaistaisissa tehoelektroniikkakomponenteissa, joita k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n auto-, teollisuus- ja energiasovelluksissa.<\/p>\n
Yole Groupin vanhempi teknologia- ja markkina-analyytikko Poshun Chiu sek\u00e4 Yole Groupin tehoelektroniikan ja akkujen p\u00e4\u00e4analyytikko Milan Rosina keskustelevat viimeaikaisista kehityssuuntauksista.<\/p>\n
S\u00e4hk\u00f6autot (EV) ja hybridis\u00e4hk\u00f6autot (HEV) muodostavat houkuttelevan kohdemarkkinan autoteollisuuden sovelluksissa k\u00e4ytett\u00e4ville tehopuolijohteille. Viime vuonna Tesla oli ensimm\u00e4inen autonvalmistaja, joka otti k\u00e4ytt\u00f6\u00f6n kolmannen sukupolven STPOWER SiC MOSFET -komponentit Model 3:n p\u00e4\u00e4invertteriss\u00e4.<\/p>\n
SiC-komponentit tarjoavat paremman hy\u00f6tysuhteen ja l\u00e4mm\u00f6nkest\u00e4vyyden kuin piipohjaiset vaihtoehdot, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 energiah\u00e4vi\u00f6it\u00e4 s\u00e4hk\u00f6j\u00e4rjestelmiss\u00e4. Lis\u00e4ksi niiden pienempi johtavavastus mahdollistaa pienikokoisemmat ratkaisut sek\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 j\u00e4\u00e4hdytystarpeita \u2013 mik\u00e4 lopulta parantaa ajoneuvon luotettavuutta.<\/p>\n
STMicroelectronics on \u00e4skett\u00e4in allekirjoittanut monivuotisen toimitussopimuksen Geely Auto Groupin kanssa toimittaakseen sille SiC-tehoelektroniikkakomponentteja, jotka on suunniteltu nimenomaan parantamaan suorituskyky\u00e4, lyhent\u00e4m\u00e4\u00e4n latausaikoja ja pident\u00e4m\u00e4\u00e4n ajomatkaa. Genevess\u00e4 sijaitseva STMicroelectronics toimittaa n\u00e4it\u00e4 huipputeknologisia SiC-komponentteja, joita tullaan hy\u00f6dynt\u00e4m\u00e4\u00e4n useissa Geelyn keski- ja huippuluokan t\u00e4yss\u00e4hk\u00f6autoissa suorituskyvyn parantamiseksi, lataamisen nopeuttamiseksi ja ajomatkan pident\u00e4miseksi.<\/p>\n
Yhti\u00f6n seuraavan sukupolven laitteita tullaan tarjoamaan sek\u00e4 750 V:n ett\u00e4 1200 V:n luokissa, ja 1200 V:n laitteiden odotetaan saavan sertifioinnin vuoden 2025 alkupuolella. Molemmat laitteet toimitetaan HiP247-koteloissa, jotka tarjoavat korkeat liitoskohdan l\u00e4mp\u00f6tilarajat, mik\u00e4 takaa erinomaisen kytkent\u00e4suorituskyvyn ja pienemm\u00e4t h\u00e4vi\u00f6t, mik\u00e4 puolestaan mahdollistaa energiatehokkaammat j\u00e4rjestelm\u00e4t. Lis\u00e4ksi niill\u00e4 on yksi markkinoiden alhaisimmista eteenp\u00e4in suuntautuvista j\u00e4nniteh\u00e4vi\u00f6ist\u00e4, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 energianhukkaa ja parantaa samalla tehonmuunnoksen hy\u00f6tysuhdetta.<\/p>\n
STM valmistaa siruja auto-, energia- ja teollisuusk\u00e4ytt\u00f6\u00f6n sek\u00e4 kuluttajaelektroniikkaan, kuten antureihin. Yhti\u00f6n asiakaskuntaan kuuluvat muun muassa Apple, Google, SpaceX, Tesla, BYD, Stellantis, BMW ja Airbus sek\u00e4 lukuisat henkil\u00f6- ja kuorma-autojen, s\u00e4hk\u00f6autojen, lentokoneiden, s\u00e4hk\u00f6ntuotannon ja latausratkaisujen valmistajat.<\/p>\n
STMicro esitteli \u00e4skett\u00e4in kolmannen sukupolven \u201cSTpower\u201d-SiC-MOSFET-komponenttinsa, jotka on tarkoitettu s\u00e4hk\u00f6ajoneuvoihin (EV) ja pikalatausinfrastruktuuriin, joissa vaaditaan korkeaa energiatehokkuutta ja tehotiheytt\u00e4. N\u00e4ill\u00e4 edistyneill\u00e4 tehoelektroniikkakomponenteilla on edellisiin sukupolviin verrattuna alhaisempi p\u00e4\u00e4ll\u00e4oloresistanssi, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 johtoh\u00e4vi\u00f6it\u00e4 ja maksimoi j\u00e4rjestelm\u00e4n hy\u00f6tysuhteen. Lis\u00e4ksi ne tarjoavat erinomaisen kytkent\u00e4suorituskyvyn dynaamisissa k\u00e4\u00e4nteisj\u00e4nniteolosuhteissa, jotka ylitt\u00e4v\u00e4t AQG324-autoteollisuusstandardin vaatimukset, mik\u00e4 takaa korkean luotettavuustason.<\/p>\n
N\u00e4iss\u00e4 uusissa 650 V:n ja 1200 V:n laitteissa on alan pienimm\u00e4t eteenp\u00e4in suuntautuvat j\u00e4nniteh\u00e4vi\u00f6t, mik\u00e4 v\u00e4hent\u00e4\u00e4 merkitt\u00e4v\u00e4sti l\u00e4mp\u00f6n\u00e4 haihtuvaa energiaa. Lis\u00e4ksi ne on pakattu innovatiiviseen, matalaprofiiliseen HiP247-koteloon, joka maksimoi piirilevyn tilank\u00e4yt\u00f6n ja helpottaa l\u00e4mm\u00f6nhallintaa.<\/p>\n
STMicro on solminut Geelyn kanssa yksinoikeudellisen pitk\u00e4aikaisen toimitussopimuksen, jonka puitteissa se toimittaa piikarbidipohjaisia tehoelektroniikkakomponentteja Geelyn t\u00e4ysin s\u00e4hk\u00f6isiin ajoneuvoihin. Tavoitteena on parantaa ajoneuvojen suorituskyky\u00e4, nopeuttaa latausnopeuksia ja pident\u00e4\u00e4 toimintas\u00e4dett\u00e4. STMicro keskittyy tarjoamaan ratkaisuja, jotka ulottuvat virranmittaus-shunt-komponenteista aina 650 V:n ja 1200 V:n j\u00e4nnitetasojen korkeaj\u00e4nnite-MOSFET-komponentteihin \u2013 sek\u00e4 tukemaan niit\u00e4 kaikkia intuitiivisilla suunnitteluty\u00f6kaluilla, kuten eDesignSuite-suunnitteluty\u00f6kaluilla.<\/p>\n
Piikarbidista (SiC) valmistetut komponentit tarjoavat merkitt\u00e4vi\u00e4 etuja piikomponentteihin verrattuna l\u00e4pily\u00f6ntij\u00e4nnitteen, k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tilan ja kytkent\u00e4nopeuden suhteen \u2013 mik\u00e4 tekee niist\u00e4 ihanteellisen valinnan esimerkiksi s\u00e4hk\u00f6isen liikenteen ja tehokkuuden parantamisen kaltaisiin sovelluksiin. ST tarjoaa SiC-MOSFET-komponentteja ja teho-Schottky-diodeja, jotka on suunniteltu t\u00e4ytt\u00e4m\u00e4\u00e4n n\u00e4m\u00e4 vaativat standardit sovelluksissa, kuten s\u00e4hk\u00f6ajoneuvojen (EV) inverttereiss\u00e4, aurinkos\u00e4hk\u00f6inverttereiss\u00e4, teollisuuden moottoriohjaimissa ja energianvarastointisovelluksissa.<\/p>\n
STMicroelectronics ilmoitti merkitt\u00e4v\u00e4st\u00e4 investoinnistaan SiC-kampuksen rakentamiseksi Cataniaan. Kampukseen kuuluu suurikapasiteettinen 200 mm:n tuotantolaitos tehoelektroniikkakomponenttien ja -moduulien valmistukseen sek\u00e4 testaus- ja pakkauspalvelut, joita t\u00e4ydent\u00e4\u00e4 yhti\u00f6n olemassa oleva SiC-substraattien tuotantokeskus. Yhdess\u00e4 olemassa olevan SiC-substraattien valmistuslaitoksen kanssa t\u00e4st\u00e4 muodostuu kattava SiC-teknologian tuotantokeskus, joka nopeuttaa merkitt\u00e4v\u00e4sti t\u00e4m\u00e4n uraauurtavan teknologian kehitt\u00e4mist\u00e4 ja k\u00e4ytt\u00f6\u00f6nottoa.<\/p>\n
T\u00e4m\u00e4 integroitu tuotantolaitos mahdollistaa t\u00e4ydellisen vertikaalisen integraation SiC-epitaaksiaalisten substraattien valmistuksesta SiC-tehoelektroniikkakomponenttien ja -moduulien tuotantoon, edistyneeseen pakkaamiseen ja testaukseen. T\u00e4m\u00e4 toimintamalli takaa kustannuss\u00e4\u00e4st\u00f6j\u00e4 ja samalla varmistaa laadunvalvonnan tiiviiden palautesilmukoiden avulla, jotka yhdist\u00e4v\u00e4t materiaalivirheet komponenttien suorituskykyyn, sek\u00e4 mahdollistaa nopean reagoinnin toimitusketjun h\u00e4iri\u00f6ihin, jotka uhkaavat tuotteiden toimitusta tai kuluttajien luottamusta. Lis\u00e4ksi paikallista osaamista ja taloudellista omavaraisuutta edistet\u00e4\u00e4n kehitt\u00e4m\u00e4ll\u00e4 ammattikoulutusta ja yhteis\u00f6n osallistumista.<\/p>\n
STMicroelectronicsin insin\u00f6\u00f6rit hy\u00f6dynt\u00e4v\u00e4t piikarbidin (SiC) energians\u00e4\u00e4st\u00f6potentiaalia kolmannen sukupolven STPOWER SiC-metallioksidipuolijohde-kentt\u00e4vaikutustransistoreillaan (MOSFET). N\u00e4m\u00e4 MOSFET-transistorit on suunniteltu erityisesti toimimaan nykyisi\u00e4 800 voltin j\u00e4rjestelmi\u00e4 korkeammilla j\u00e4nnitteill\u00e4, mink\u00e4 ansiosta ne mahdollistavat suuremmat latausnopeudet, kevyemm\u00e4t ajoneuvot ja pidemm\u00e4t ajomatkat kuljettajille.<\/p>\n
18 V:n j\u00e4nnitteell\u00e4 t\u00e4m\u00e4n laitteen RDS(on) x A -suorituskyky vastaa Wolfspeedin tasomaisia MOSFET-transistoreita ja ylitt\u00e4\u00e4 ON Semiconductorin NTH4L015N065SC1-mallin arvon 2,51 mO*cm2:lla. Laitteessa on pienempi porttijonon v\u00e4li ja dopanttijakauman optimointi, joka on r\u00e4\u00e4t\u00e4l\u00f6ity erityisesti driftialueelle. Lis\u00e4ksi sen eritt\u00e4in alhainen liitoksen kapasitanssi mahdollistaa nopeat kytkent\u00e4toiminnot, mik\u00e4 johtaa pienempiin kytkent\u00e4h\u00e4vi\u00f6ihin ja lyhyempiin viiveaikoihin, samalla kun se tarjoaa paremman l\u00e4mm\u00f6nkest\u00e4vyyden, luotettavuuden ja energiatehokkuuden.<\/p>\n
Poshun Chiu, Yole-konsernin yhdistepuolijohteiden ja uusien substraattien vanhempi teknologia- ja markkina-analyytikko, sek\u00e4 Milan Rosina, tehoelektroniikan ja akkujen p\u00e4\u00e4analyytikko, ty\u00f6skentelev\u00e4t molemmat Yole-konsernissa. He keskustelivat \u00e4skett\u00e4in SiC-teknologiasta STMicroelectronicsin uusien materiaalien ja tehoelektroniikkaratkaisujen divisioonan johtajan Riccardo Nicoloson kanssa saadakseen ajankohtaista tietoa aiheesta.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Catania SiC Campus is the first integrated fab to mass produce 150mm SiC epitaxial substrates using all steps of production flow; 200-mm wafers will follow shortly thereafter. It supports ST’s vertical integration strategy in wide bandgap power devices for automotive, industrial and energy applications. Poshun Chiu, Senior Technology & Market Analyst of Yole Group and… Lue lis\u00e4\u00e4 \u00bbSTMicroelectronicsin SiC-kampus Catanian kaupungissa Italiassa<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-507","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/507","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=507"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/507\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":508,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/507\/revisions\/508"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=507"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=507"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=507"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}