Clas SIC Wafer Fab perustettiin kes\u00e4kuussa 2017, ja se on maailman ensimm\u00e4inen avoin puolijohdetehdas, joka keskittyy yksinomaan piikarbidisten tehopuolijohteiden tuotantoon. Yrityksen toiminta kattaa prosessi- ja laitteistokehityksen, n\u00e4ytteiden valmistuksen sek\u00e4 keskisuurten tuotantom\u00e4\u00e4rien valmistuksen 150 mm:n piikiekkoilla.<\/p>\n
Lochgellyss\u00e4 toimiva yritys SCS International Ltd k\u00e4y parhaillaan neuvotteluja useiden yritysten kanssa piikarbidituotannon perustamisesta Intiaan, vaikka talousjohtaja Scott Forrest kielt\u00e4ytyi nime\u00e4m\u00e4st\u00e4 niit\u00e4 julkisesti.<\/p>\n
Puolijohdeteollisuus on kokenut r\u00e4j\u00e4hdysm\u00e4isen kasvun teko\u00e4lyn, 5G-verkkojen ja s\u00e4hk\u00f6autojen kysynn\u00e4n voimakkaan nousun seurauksena. Jotta voidaan pysy\u00e4 teknologisen innovaation vauhdissa ja investoida uuteen tuotantokapasiteettiin samalla kun pidet\u00e4\u00e4n piikiekkojen yksikk\u00f6kustannukset alhaisina, on tuotantolaitoksissa hy\u00f6dynnett\u00e4v\u00e4 edistyksellist\u00e4 analytiikkaa ja tiedonkeruuta tehokkuuden ja laadun parantamiseksi. Valimot joutuvat pysym\u00e4\u00e4n kehityksen k\u00e4rjess\u00e4 seuraamalla teknologian kehityst\u00e4 ja tekem\u00e4ll\u00e4 tarvittavia investointeja samalla kun ne huolehtivat kustannusten tehokkaasta hallinnasta piikiekkojen tuotantokapasiteetin laajentamisessa ja uusiin tuotantokapasiteetti-investointeihin.<\/p>\n
T\u00e4m\u00e4n seurauksena monet yritykset uudistavat puolijohdeteollisuuden liiketoimintaansa ja tarjoavat erikoistuneita palveluita avainmarkkinoilla, kuten tehopuolijohteiden alalla. Lis\u00e4ksi monet puolijohdetehtaat vahvistavat tutkimus- ja kehitystoimintaansa, jotta ne ovat valmiita vastaamaan tulevaisuuden teknologioiden, kuten 3 nm:n ja 2 nm:n solmujen, vaatimuksiin, jotka tarjoavat parempaa suorituskyky\u00e4 entist\u00e4 pienemm\u00e4ll\u00e4 energiankulutuksella.<\/p>\n
Tehopuolijohteiden k\u00e4ytt\u00f6kohteet ulottuvat teollisuuslaitteista tehdasautomaatioon. Viime aikoina s\u00e4hk\u00f6autojen valmistuksen ja datakeskusten rakennushankkeiden kysynn\u00e4n voimakkaan kasvun vuoksi valmistajat ovat kohdanneet useiden pienin\u00e4 m\u00e4\u00e4rin\u00e4 tarvittavien tehopuolijohdetyyppien saatavuusongelmia. Vastatakseen t\u00e4h\u00e4n tarpeeseen Toppan on \u00e4skett\u00e4in k\u00e4ynnist\u00e4nyt tehopuolijohteiden tuotantoon erikoistuneen sopimusvalmistuspalvelun. Aluksi palvelu tarjoaa 6 tuuman piikiekkojen siirto-2- ja valmistusprosesseja, ja maaliskuussa 2025 tarjonta laajennetaan kattamaan my\u00f6s 8 tuuman prosessit.<\/p>\n
Tehopuolijohdekomponentit ovat kaikkien tehoelektroniikkaj\u00e4rjestelmien ydin. Ne muuntavat s\u00e4hk\u00f6energian k\u00e4ytt\u00f6kelpoiseen muotoon integroiduille piireille ja j\u00e4rjestelmille, kuten s\u00e4hk\u00f6ajoneuvoille, uusiutuvan energian voimalaitoksille ja pilvipalveluille. Komponenttien hy\u00f6tysuhteen maksimointi on avaintekij\u00e4 luotettavuuden, koon ja kustannusten parantamisessa n\u00e4it\u00e4 j\u00e4rjestelmi\u00e4 rakennettaessa.<\/p>\n
Pii-bipolaarijunctiontransistoreita (IGBT) ja metallioksidi-puolijohde-kentt\u00e4vaikutustransistoreita (MOSFET) on k\u00e4ytetty laajalti jo pitk\u00e4\u00e4n, mutta ne ovat alkaneet saavuttaa rajansa, mik\u00e4 edellytt\u00e4\u00e4 entist\u00e4 tehokkaampia komponentteja, joilla on laajemmat kaistanleveydet, nopeammat nousu- ja laskuajat, pienemm\u00e4t p\u00e4\u00e4ll\u00e4olovastukset, suuremmat virrantiheydet ja l\u00e4mp\u00f6tilankest\u00e4vyydet sek\u00e4 parannetun kytkent\u00e4suorituskyvyn.<\/p>\n
Laajakaistav\u00e4lin puolijohteet, kuten piikarbidi (SiC) ja galliumnitridi (GaN), tarjoavat suuria mahdollisuuksia t\u00e4m\u00e4n tavoitteen saavuttamiseksi, sill\u00e4 niiden laaja kaistav\u00e4li v\u00e4hent\u00e4\u00e4 johtovastusta k\u00e4ytt\u00e4m\u00e4ll\u00e4 ohuempia kerroksia, joilla on pienempi johtovastus ja suurempi l\u00e4pily\u00f6ntilujuus ilman, ett\u00e4 muut olennaiset ominaisuudet, kuten elektronien liikkuvuus ja l\u00e4mm\u00f6njohtavuus, heikkenev\u00e4t.<\/p>\n
Clas-SiC on maailman ensimm\u00e4inen avoin tuotantolaitos, joka on erikoistunut piikarbidisten tehopuolijohteiden valmistukseen. Se tekee yhteisty\u00f6t\u00e4 johtavien laitesuunnittelijoiden kanssa tutkimuksen ja kehityksen vauhdittamiseksi sek\u00e4 tuotteiden markkinoille saattamisen nopeuttamiseksi. Kun testaat korkeaj\u00e4nnitteisi\u00e4 laitteita Keithley SourceMeter SMU -mittalaitteilla tai rakennat omia laitteitasi, muista, ett\u00e4 niiden k\u00e4sittely ja karakterisointi korkeaj\u00e4nnitteisten tehopuolijohteiden kanssa vaatii erityist\u00e4 varovaisuutta \u2013 s\u00e4hk\u00f6iskun tai loukkaantumisen v\u00e4ltt\u00e4miseksi!<\/p>\n
Kun maailmanlaajuiset s\u00e4hk\u00f6j\u00e4rjestelm\u00e4t sopeutuvat kasvaviin energiantarpeisiin, my\u00f6s tehopuolijohteiden on sopeuduttava vastaavasti, jotta ne voivat muuntaa ja s\u00e4\u00e4t\u00e4\u00e4 s\u00e4hk\u00f6virtaa ja j\u00e4nnitett\u00e4 tehokkaasti. Piikarbidi (SiC) -yhdistepuolijohdeteknologia mahdollistaa n\u00e4iden uusien laitteiden kehitt\u00e4misen, mutta laitesuunnittelijoiden on ylitett\u00e4v\u00e4 merkitt\u00e4vi\u00e4 esteit\u00e4 voidakseen t\u00e4ytt\u00e4\u00e4 jatkuvasti kiristyv\u00e4t suorituskyky- ja kokovaatimukset.<\/p>\n
TechSci Researchin tutkimusjohtaja Karan Chechi korostaa, kuinka vaikeaa on parantaa tehokkuutta ja vastata samalla l\u00e4mm\u00f6nhallinnan haasteisiin. T\u00e4m\u00e4n vuoksi teollisuus on siirtym\u00e4ss\u00e4 k\u00e4ytt\u00e4m\u00e4\u00e4n SiC:n ja GaN:n kaltaisia laajakaistaisia puolijohteita, joiden ominaisuudet ovat perinteisiin piilaitteisiin verrattuna ylivoimaiset \u2013 mik\u00e4 johtaa parempaan hy\u00f6tysuhteeseen, pienempiin h\u00e4vi\u00f6ihin ja kevyempiin j\u00e4rjestelmiin, jotka t\u00e4ytt\u00e4v\u00e4t kest\u00e4v\u00e4n kehityksen tavoitteet \u2013 ja vauhdittaa innovaatioita teollisuudessa.<\/p>\n
Laitteiden luotettavuuden parantaminen on toinen merkitt\u00e4v\u00e4 haaste, joka edellytt\u00e4\u00e4 huolellista suunnittelua ja testausta, jotta korkea suorituskyky voidaan s\u00e4ilytt\u00e4\u00e4 korkeammissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa ilman, ett\u00e4 vakaus k\u00e4rsii. Keithleyn SourceMeter SMU -laitteet tarjoavat hy\u00f6dyllisi\u00e4 testausv\u00e4lineit\u00e4, joiden avulla voidaan suorittaa tarkkoja virta-, j\u00e4nnite- ja l\u00e4mp\u00f6tilamittauksia sek\u00e4 muita mittauksia jo ennen kuin piirit on edes koottu piikiekkoihin.<\/p>\n
Laitteiden karakterisointity\u00f6kalut on my\u00f6s suunniteltava k\u00e4ytett\u00e4v\u00e4ksi vaativissa olosuhteissa, mik\u00e4 on erityisen t\u00e4rke\u00e4\u00e4, koska tehoelektroniikkalaitteet tuottavat usein suuria j\u00e4nnitteit\u00e4, jotka voivat olla hengenvaarallisia, jos niit\u00e4 k\u00e4sitell\u00e4\u00e4n v\u00e4\u00e4rin. Turvallisuus on aina asetettava etusijalle k\u00e4sitelt\u00e4ess\u00e4 t\u00e4llaisia suuria j\u00e4nnitteit\u00e4; yksinkertaiset varotoimet, kuten mittausyhteisen liitt\u00e4minen suojamaahan tai turvamaahan, voivat auttaa varmistamaan t\u00e4m\u00e4n.<\/p>\n
SiC Power toimii maailman ensimm\u00e4isen\u00e4 avoimena puolijohdetehtaana, joka on erikoistunut piikarbidisten tehopuolijohteiden valmistukseen ISO-luokan 5 puhdastilassa, SiC Power on maailman johtava toimija nopeutetun prosessitutkimuksen ja -kehityksen, laite- ja integroitujen piirien suunnittelun, n\u00e4ytteiden valmistuksen sek\u00e4 150 mm:n piikiekkojen keskisuurten tuotantom\u00e4\u00e4rien alalla, samoin kuin 150 mm:n piikiekkojen keskisuurten tuotantom\u00e4\u00e4rien nopeutetun prosessitutkimuksen ja -kehityksen alalla.<\/p>\n
Kun etuvaiheen prosessi on saatu p\u00e4\u00e4t\u00f6kseen, jokaiselle piikiekolle tehd\u00e4\u00e4n erilaisia s\u00e4hk\u00f6isi\u00e4 testej\u00e4 sen varmistamiseksi, ett\u00e4 jokainen siru toimii tarkoitetulla tavalla. N\u00e4iden testien l\u00e4p\u00e4isseiden sirujen osuus \u2013 jota kutsutaan tuotoksi \u2013 vaihtelee valmistajittain, mutta se voi olla jopa vain 30%; t\u00e4m\u00e4 tarkoittaa, ett\u00e4 vain kolmasosa piikiekon siruista toimii kunnolla! Jotta vikoja sis\u00e4lt\u00e4vi\u00e4 osia ei asennettaisi kalliisiin laitteisiin, kuten s\u00e4hk\u00f6autoihin (EV), testaus on suoritettava ennen piikiekkojen l\u00e4hett\u00e4mist\u00e4 uusien laitteiden valmistukseen.<\/p>\n
Teknologian kehityksen odotetaan vauhdittavan maailmanlaajuisen tehopuolijohdemarkkinoiden kasvua. My\u00f6s teollisuuden automaatio edist\u00e4\u00e4 markkinoiden kasvua. Lis\u00e4ksi lukuisat hallitusten aloitteet puolijohdeteollisuuden vahvistamiseksi ymp\u00e4ri maailmaa tukevat kasvua.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Kes\u00e4kuussa 2017 perustettu Clas SIC Wafer Fab on maailman ensimm\u00e4inen avoin puolijohdetehdas, joka keskittyy yksinomaan piikarbidisten tehopuolijohteiden tuotantoon. Yrityksen osaamisalueet ulottuvat prosessi- ja laitteistokehityksest\u00e4 n\u00e4ytteiden valmistukseen ja keskisuuriin tuotantom\u00e4\u00e4riin 150 mm:n piikiekkoilla. Lochgellyss\u00e4 toimiva yritys SCS International Ltd k\u00e4y parhaillaan neuvotteluja useiden yritysten kanssa\u2026 Lue lis\u00e4\u00e4 \u00bbClas Sic -ohutkangas<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-442","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/442","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=442"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/442\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":443,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/442\/revisions\/443"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=442"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=442"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=442"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}