Angesichts des weltweit steigenden Energiebedarfs hat sich der Anbieter intelligenter Energie- und Sensortechnologien onsemi f\u00fcr das Gesch\u00e4ftsjahr 2023-24 ein Umsatzziel von $1 Milliarde gesetzt. Au\u00dferdem hat onsemi seine Pr\u00e4senz auf dem schnell wachsenden Markt f\u00fcr Leistungs-SiC-Bauelemente aggressiv ausgebaut.<\/p>\n
Siliciumcarbid ist in seinem reinen Zustand ein Isolator. Durch die Dotierung mit Verunreinigungen wie Aluminium, Bor und Gallium kann sich dieses Material jedoch in einen Halbleiter verwandeln.<\/p>\n
Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleiter mit breiter Bandl\u00fccke. Aufgrund seiner F\u00e4higkeit, Elektronen schnell in das Leitungsband zu verschieben, ohne dass die Gefahr eines thermischen Durchgehens besteht, ist SiC ein hervorragendes Material f\u00fcr Hochspannungsstromanwendungen.<\/p>\n
Neben hervorragenden thermischen Eigenschaften und einem niedrigen W\u00e4rmeausdehnungskoeffizienten bietet Aluminium hervorragende thermische Dispersionseigenschaften, die die Verlustleistung verringern und gleichzeitig die Effizienz erh\u00f6hen. Au\u00dferdem ist es aufgrund seiner viel h\u00f6heren Durchbruchspannung besonders widerstandsf\u00e4hig gegen\u00fcber hohen Temperaturen und schnellen Schaltgeschwindigkeiten.<\/p>\n
SiC hat aufgrund seiner vielen Vorteile schnell die Gunst der Leistungselektronik-Anwender gewonnen und ersetzt schnell Silizium-Bauelemente in Anwendungen, die eine hohe Sperrspannung, einen geringeren spezifischen Durchlasswiderstand und schnellere Schaltgeschwindigkeiten erfordern.<\/p>\n
SiC ist ein ideales Material f\u00fcr Stromversorgungsanwendungen, die in rauen Umgebungen betrieben werden. BepiColombo (Europas erste Raumsonde zum Merkur) hat Sperrdioden aus SiC eingesetzt, die von Alter Technology - einem Experten f\u00fcr Siliziumkarbidtechnologie - entwickelt wurden und die f\u00fcr Temperatur- und Strahlungsschwankungen in Weltraumumgebungen ausgelegt sind. Die Sperrdioden in dieser Mission verwenden beispielsweise Sperrdioden aus SiC, die von Alter optimiert wurden.<\/p>\n
Siliziumkarbid verf\u00fcgt \u00fcber mehrere einzigartige Eigenschaften, die es ideal f\u00fcr Anwendungen in der Leistungselektronik machen. Dank seiner hohen elektrischen Feldst\u00e4rke k\u00f6nnen die Ger\u00e4te h\u00f6heren Spannungen standhalten als ihre Silizium-Gegenst\u00fccke, und sein niedriger Schaltwiderstand erm\u00f6glicht kleinere Steuerschaltungen mit geringerem Energieverlust w\u00e4hrend des Betriebs.<\/p>\n
Siliziumkarbid-Halbleiter wurden erstmals Mitte des 20. Jahrhunderts f\u00fcr die Verwendung als Leuchtdioden (LEDs) hergestellt. Siliziumkarbid kommt in der Natur in Form von Moissanit vor, kann aber auch synthetisch hergestellt werden, um den industriellen Bedarf zu decken. Dank seiner hervorragenden W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und seiner geringen W\u00e4rmeausdehnung kann Siliziumkarbid Temperaturen bis zu 1600 Grad Celsius ohne Festigkeitsverlust standhalten und ist dabei immun gegen S\u00e4uren und Laugen.<\/p>\n
Mit Metall- oder Oxid-Nanopartikeln modifiziertes por\u00f6ses Siliciumcarbid hat hervorragende katalytische F\u00e4higkeiten f\u00fcr die direkte Oxidation von Butan zu Maleins\u00e4ureanhydrid, die Isomerisierung linearer ges\u00e4ttigter Kohlenwasserstoffe, die Hydrierung von Butadien, die Neutralisierung von Autoabgasen, die Kohlendioxid-Reformierung von Methan und viele andere industrielle Reaktionen gezeigt. Au\u00dferdem ist dieses Material ein hervorragender Kandidat f\u00fcr einen neuen, stabilen und hocheffizienten Photokatalysator, der keine Co-Katalysatoren ben\u00f6tigt.<\/p>\n
EliteSiC bietet mit seinem umfangreichen Angebot an Bare-Die-L\u00f6sungen, gelgekapselten Geh\u00e4usemodulen und transfergegossenen Modulen mit vollwertigen SiC-MOSFETs f\u00fcr Hochspannungsstromanwendungen. Unsere vertikal integrierte Lieferkette verschafft uns einen Vorteil, da wir eine h\u00f6here Leistung zu geringeren Kosten als traditionelle Hersteller von Leistungsmodulen bieten.<\/p>\n
Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) k\u00f6nnen gro\u00dfen Spannungs- und Temperaturschwankungen standhalten, was sie zu einer hervorragenden Wahl f\u00fcr Ladeger\u00e4te f\u00fcr Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Energiespeichersysteme macht. Ihre beeindruckende Leistung und Effizienz hat das Interesse der Hersteller geweckt. Allerdings hat der Preis im Vergleich zu Chips auf Siliziumbasis eine breite Akzeptanz behindert.<\/p>\n
SiC-Leistungsbauelemente stellen eine der gr\u00f6\u00dften Herausforderungen f\u00fcr ein effektives W\u00e4rmemanagement dar, da sie w\u00e4hrend des Betriebs gro\u00dfe W\u00e4rmemengen produzieren, was effektive W\u00e4rmemanagementstrategien erfordert, um eine Verschlechterung oder einen fr\u00fchzeitigen Ausfall der Bauelemente zu vermeiden. Herk\u00f6mmliche Geh\u00e4usematerialien und -verfahren bieten nicht immer den erforderlichen W\u00e4rmetransfer, so dass innovative L\u00f6sungen als Ausweg vorgeschlagen wurden.<\/p>\n
Gesinterte Silberverbindungen k\u00f6nnen dazu beitragen, die Belastung des Geh\u00e4uses zu verringern, indem sie starke und leitf\u00e4hige Verbindungen zwischen den Bauteilen im Geh\u00e4use und ihren anderen Teilen herstellen. Das Sintern erfolgt bei hohen Temperaturen, um starke Verbindungen zu schaffen, die parasit\u00e4re Effekte minimieren und gleichzeitig h\u00f6here Schaltfrequenzen erm\u00f6glichen und die Anforderungen an die Parallelisierung herk\u00f6mmlicher Designs eliminieren - all dies erh\u00f6ht letztlich die Effizienz der Ger\u00e4te und senkt die Gesamtsystemkosten.<\/p>\n
Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid haben in der Automobilindustrie aufgrund ihrer \u00fcberlegenen Energieeffizienz und Leistungsdichte, ihrer geringen Schaltverluste und ihrer F\u00e4higkeit, bei h\u00f6heren Temperaturen als herk\u00f6mmliche Siliziumbauteile zu arbeiten, schnell an Beliebtheit gewonnen. Um von dieser Nachfrage zu profitieren, unterzeichneten f\u00fchrende Halbleiterunternehmen wie STMicroelectronics NV einen mehrj\u00e4hrigen Liefervertrag mit SiCrystal \u00fcber die Lieferung von Siliziumkarbid-Wafern, die zur Herstellung von Leistungshalbleitern verwendet werden sollen.<\/p>\n
Der zunehmende Einsatz der Siliziumkarbidtechnologie in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EVs), industriellen Motorantrieben, USV-Systemen und Beleuchtungssteuerungen d\u00fcrfte das Marktwachstum vorantreiben. Die F\u00e4higkeit von Siliziumkarbid, die Verluste in Energiesystemen um 50% zu reduzieren, hat dazu gef\u00fchrt, dass es in vielen Anwendungen eingesetzt wird.<\/p>\n
Dar\u00fcber hinaus wird der 4-Zoll-Markt f\u00fcr halbisolierende Siliziumkarbid-Wafer durch die steigende Nachfrage aus Branchen wie der Produktion von Eisen- und Nichteisenmetallen, der Herstellung von feuerfesten Materialien, der Leistungselektronik, Batterien f\u00fcr Elektrofahrzeuge, Technologien zur Reduzierung von Treibhausgasemissionen sowie durch seine Rolle bei der Bereitstellung einer Alternative zu herk\u00f6mmlichen Leistungshalbleitern angetrieben.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
As global energy demands continue to soar, intelligent power and sensing technology provider onsemi has set itself a $1 billion revenue goal for their 2023-24 fiscal year. They have also aggressively increased their presence in the rapidly expanding power SiC device market. Silicon carbide in its pure state acts as an insulator. However, doping with… Weiterlesen \u00bbOnsemi erweitert seine Pr\u00e4senz auf dem Power-SiC-Markt<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-84","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/84","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=84"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/84\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":85,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/84\/revisions\/85"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=84"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=84"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=84"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}