Siliziumkarbid revolutioniert erneuerbare Energiesysteme, Elektrofahrzeuge und Telekommunikationsinfrastrukturen. Als Verbindungshalbleiter, der die 10-fache elektrische Feldst\u00e4rke von Siliziumbauteilen aufweist, \u00fcbertrifft seine bahnbrechende Leistung deren Gegenst\u00fccke.<\/p>\n
Wolfspeed bietet die Produkte und das Fachwissen, um Leistungsdesigns mit SiC aufzur\u00fcsten. Hier sind einige der wichtigsten Vorteile.<\/p>\n
Leistungsbauelemente auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) k\u00f6nnen bei h\u00f6heren Spannungen und Frequenzen arbeiten als ihre Gegenst\u00fccke auf Siliziumbasis, wodurch die Gesamtverluste des Systems verringert und gleichzeitig der Wirkungsgrad verbessert werden. Dies erm\u00f6glicht kleinere und leichtere Stromversorgungsdesigns mit h\u00f6herer Leistungsdichte, die letztlich zu geringeren St\u00fcckkosten f\u00fchren.<\/p>\n
Die \u00fcberragende Leistung von SiC ist auf seine gro\u00dfe Bandl\u00fccke zur\u00fcckzuf\u00fchren, die es ihm erm\u00f6glicht, elektrische Energie viel effizienter zu \u00fcbertragen als herk\u00f6mmliche Silizium-Halbleiter. Dies erm\u00f6glicht Leistungsbauelemente mit viel h\u00f6herer Durchbruchspannung und Stromst\u00e4rke, schnellerem Schalten, geringerem Durchlasswiderstand und verbesserten W\u00e4rmemanagementf\u00e4higkeiten.<\/p>\n
Dies kann zu kleineren und kompakteren Systemen mit weniger Abfall, gr\u00f6\u00dferer Zuverl\u00e4ssigkeit und besserer Leistung f\u00fcr kritische Anwendungen wie Wechselrichter f\u00fcr Elektrofahrzeuge und Solarstromkonverter f\u00fchren. Dar\u00fcber hinaus tragen Verbesserungen der Motoreffizienz dazu bei, die Reichweite von Elektrofahrzeugen zu erh\u00f6hen und die Zuverl\u00e4ssigkeit des Stromnetzes zu verbessern, was wiederum anderen kritischen Systemen wie Stromnetzen zugutekommt.<\/p>\n
Das ST-Portfolio an SiC-Leistungsbauelementen umfasst schnell schaltende Hochspannungsdioden und Thyristoren mit einer branchenf\u00fchrenden maximalen Durchbruchspannung von 20kV und einem Frequenzbereich von bis zu 500MHz - perfekt f\u00fcr Hochspannungs-DC\/DC-Wandler, die in Wechselrichtern f\u00fcr Elektrofahrzeuge sowie in station\u00e4ren\/solaren PV-Wechselrichtern eingesetzt werden. Dank unserer umfassenden Evaluierungstools und Design-Support-Services k\u00f6nnen Konstrukteure bestehende Systeme aufr\u00fcsten und dabei die Kosten auf ein Minimum beschr\u00e4nken, um die Markteinf\u00fchrung zu beschleunigen und in ihrem Marktsegment wettbewerbsf\u00e4hig zu bleiben.<\/p>\n
Die gro\u00dfe Bandl\u00fccke von Siliziumkarbid erm\u00f6glicht den Betrieb bei h\u00f6heren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen als bei Ger\u00e4ten, die ausschlie\u00dflich aus Silizium bestehen. Dies erm\u00f6glicht einen effizienteren Betrieb von Stromversorgungsger\u00e4ten, die mit Siliziumkarbid konstruiert wurden, bei gleichzeitiger Verringerung von Verlusten und W\u00e4rmeentwicklung, was insgesamt zu kleineren und effizienteren Ger\u00e4ten f\u00fchrt.<\/p>\n
Dieser harte, feuerfeste Halbleiter k\u00f6nnte die Reichweite von Elektroautos um bis zu 30% erh\u00f6hen, indem er die Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems verbessert und au\u00dferdem dazu beitr\u00e4gt, die Gesamtkosten der Batterien zu senken, indem er Schnellladefunktionen in k\u00fcrzerer Zeit erm\u00f6glicht.<\/p>\n
Siliciumcarbidpulver ist von Natur aus vielseitig und wird in der Luft- und Raumfahrt sowie in der Automobilindustrie als Schleifmittel eingesetzt, um Pr\u00e4zisionsma\u00dfe und glatte Oberfl\u00e4chen auf Metall- und Keramikteilen zu erzielen. Dar\u00fcber hinaus wird Siliciumcarbid in gro\u00dfem Umfang als Desoxidationsmittel verwendet, wobei Siliciumtetrachlorid als Industriechemikalie f\u00fcr die Stahlerzeugung hergestellt wird.<\/p>\n
SiC ist in seinem reinen Zustand ein elektrischer Isolator, kann aber mit Verunreinigungen dotiert werden, um ein Halbleiter zu werden. Aluminium, Bor, Gallium und Phosphor werden \u00fcblicherweise als Dotierstoffe verwendet, um SiC P- und N-Halbleitereigenschaften zu verleihen. Da so viele Dotierungsoptionen zur Verf\u00fcgung stehen, k\u00f6nnen die Hersteller SiC f\u00fcr bestimmte elektronische und sensorische Anwendungen ma\u00dfschneidern, indem sie bestimmte Verunreinigungen ausw\u00e4hlen, um das gew\u00fcnschte Verhalten in den Ger\u00e4ten zu erzeugen, die es verwenden; letztendlich wird ein Ger\u00e4t hergestellt, das unter extremen Temperaturen mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedriger Schaltgeschwindigkeit arbeiten kann - ideal f\u00fcr Hochtemperaturumgebungen!<\/p>\n
Silizium ist traditionell das bevorzugte Material f\u00fcr Anwendungen in der Leistungselektronik. Da jedoch Leistungssysteme einen h\u00f6heren Wirkungsgrad und eine gr\u00f6\u00dfere Leistungsdichte erfordern, hat sich Siliziumkarbid als effiziente Alternative herauskristallisiert.<\/p>\n
SiC, ein Verbindungshalbleiter aus Silizium und Kohlenstoff, bietet zahlreiche Vorteile gegen\u00fcber herk\u00f6mmlichen Silizium-Leistungsbauelementen: h\u00f6here Durchbruchspannung, schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringerer Durchlasswiderstand und bessere W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit - was wiederum zu geringeren Verlusten und einer effizienteren Leistungsumwandlung f\u00fchrt.<\/p>\n
SiC hat den Vorteil, dass es bei wesentlich h\u00f6heren Frequenzen (bis zu 200 kHz) bei gleicher Sperrschichttemperatur betrieben werden kann, was den K\u00fchlungsbedarf und die Systemgr\u00f6\u00dfe verringert und gleichzeitig die St\u00fccklistenkosten senkt und kompaktere, leichtere Systeme erm\u00f6glicht.<\/p>\n
Zu ber\u00fccksichtigen ist auch die \u00fcberlegene Zuverl\u00e4ssigkeit von SiC, dessen intrinsische Ladungstr\u00e4gerdichte um mehr als 10 Gr\u00f6\u00dfenordnungen geringer ist als die von Silizium, was zu geringeren Leckstr\u00f6men und einer geringeren Selbsterw\u00e4rmung der Bauelemente und damit zu einer l\u00e4ngeren Lebensdauer dieser Produkte f\u00fchrt.<\/p>\n
SiC ist f\u00fcr seine Leistungs- und Effizienzvorteile bekannt. Dar\u00fcber hinaus sch\u00fctzen seine chemische Inertheit, seine Strahlungsh\u00e4rte und seine hohe Durchschlagsfestigkeit es vor Umweltsch\u00e4den und erm\u00f6glichen einen zuverl\u00e4ssigen Betrieb \u00fcber einen breiten Betriebstemperaturbereich. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet sich SiC ideal f\u00fcr Anwendungen, die das regenerative Bremsen von Elektrofahrzeugen und das Schnellladen mit Spannungsspitzen, die betr\u00e4chtliche Werte erreichen k\u00f6nnen, beinhalten. Wolfspeed bietet Tools und Ressourcen, die die Aufr\u00fcstung bestehender Designs mit SiC erleichtern und die St\u00fccklistenkosten senken, w\u00e4hrend gleichzeitig die Systemzuverl\u00e4ssigkeit erh\u00f6ht wird.<\/p>\n
Silizium ist seit langem das bevorzugte Material f\u00fcr Anwendungen in der Leistungselektronik. Da die Systeme jedoch einen h\u00f6heren Wirkungsgrad, eine h\u00f6here Leistungsdichte und eine h\u00f6here Zuverl\u00e4ssigkeit erfordern, werden Verbindungshalbleiter wie SiC immer beliebter. Ihre gr\u00f6\u00dfere Bandl\u00fccke und geringere Verlustleistung erm\u00f6glichen kleinere und leichtere Netzteile mit h\u00f6herer Leistungsf\u00e4higkeit.<\/p>\n
SiC bietet eine gr\u00f6\u00dfere Bandl\u00fccke als Silizium im Bereich von 1,12 eV, wodurch leistungselektronische Ger\u00e4te bei h\u00f6heren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen betrieben werden k\u00f6nnen.<\/p>\n
Diese Eigenschaften tragen auch zur Senkung der Systemkosten bei, da sie eine kosteng\u00fcnstigere K\u00fchlung und einfachere Konstruktionen erm\u00f6glichen. Die F\u00e4higkeit von SiC, hohe W\u00e4rmemengen zu tolerieren, bedeutet, dass weniger komplexe L\u00f6sungen f\u00fcr das W\u00e4rmemanagement erforderlich sind und die Komponenten enger zusammengebaut werden k\u00f6nnen.<\/p>\n
SiC ist ein hervorragender Stromleiter; es geht weniger Energie durch W\u00e4rmeverluste verloren, was die Energieeffizienz weiter verbessert und die Bauteilkosten senkt - ein Vorteil, der SiC zu einer ausgezeichneten Wahl f\u00fcr Anwendungen macht, die unternehmenskritische Anforderungen stellen.<\/p>\n
Siliziumkarbid unterscheidet sich von Silizium dadurch, dass es in verschiedenen Polytypen mit unterschiedlichen Kristallstrukturen vorkommt, wobei 3C-SiC (3-Kohlenstoff-Tetraeder oder Zinkblende) eine der am h\u00e4ufigsten verwendeten Sorten mit ABC-Stapelfolge und isotropen Eigenschaften ist; es wird h\u00e4ufig kommerziell f\u00fcr Anwendungen wie Elektromobilit\u00e4t und Windturbinenwandler verwendet.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide power is revolutionizing renewable energy systems, electric vehicles and telecom infrastructure. As a compound semiconductor boasting 10x the breakdown electric field strength of silicon devices, its breakthrough performance surpasses their counterparts. Wolfspeed provides the products and expertise to upgrade power designs using SiC. Here are a few key benefits. High-Voltage & High-Current Silicon… Weiterlesen »Siliziumkarbid Leistung<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-644","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/644","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=644"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/644\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":645,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/644\/revisions\/645"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=644"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=644"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=644"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}