Rohm hat bedeutende Fortschritte bei SiC-Komponenten f\u00fcr Leistungshalbleiterbauelemente gemacht. Ihr Trench-MOSFET der vierten Generation zeichnet sich durch geringere Energieverluste aus und erm\u00f6glicht kleinere Leistungssysteme.<\/p>\n
Elektrofahrzeuge k\u00f6nnen mit 800 V betrieben werden, um eine schnellere Aufladung mit Hochspannung zu erm\u00f6glichen, was die Effizienz erh\u00f6ht und die Reichweite vergr\u00f6\u00dfert.<\/p>\n
Siliciumcarbid, kurz SiC (gemeinhin als Karborund oder Korund bezeichnet), ist eine harte chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff, die in Industrieprodukten wie Schleifmitteln und Schneidwerkzeugen, in der Unterhaltungselektronik wie Fernsehbildschirmen, DVD-Playern und Handy-Displays, in Autobremsen und -kupplungen sowie in Keramikplatten f\u00fcr kugelsichere Westen verwendet wird - neben vielen anderen Anwendungen. Siliziumkarbid spielt auch in verschiedenen anderen Industriezweigen wie der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und der Energiewirtschaft eine wichtige Rolle.<\/p>\n
ROHM hat eine Reihe von SiC-Leistungsbauelementen, wie z. B. MOSFETs, eingef\u00fchrt, die h\u00f6here Betriebstemperaturen und geringere Verluste als Standard-Silizium-Leistungstransistoren aufweisen - Eigenschaften, die sie zu einer ausgezeichneten L\u00f6sung f\u00fcr Anwendungen machen, die hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern, wie z. B. Wechselrichter f\u00fcr Elektrofahrzeuge.<\/p>\n
ROHM SiC-Leistungshalbleiter eignen sich aufgrund ihrer \u00fcberragenden Leistung und Langlebigkeit hervorragend f\u00fcr diese Aufgabe - dies macht ROHM SiC-Leistungshalbleiter zu einer der wichtigsten Komponenten in jedem Elektrofahrzeug (EV).<\/p>\n
SiC-Feldeffekttransistoren (FETs) bieten gegen\u00fcber ihren Silizium-Gegenst\u00fccken mehrere deutliche Vorteile in Bezug auf die Anstiegsspannung und die Temperaturabh\u00e4ngigkeit, wodurch sie sich perfekt f\u00fcr schnelle Schaltanwendungen bei h\u00f6heren Geschwindigkeiten eignen. Dar\u00fcber hinaus k\u00f6nnen sie aufgrund ihrer F\u00e4higkeit, ein thermisches Durchgehen zu verhindern, sogar bei extrem hohen Temperaturen sicher betrieben werden - ein Umstand, der die Herstellung zahlreicher fortschrittlicher Elektronikprodukte erm\u00f6glicht und gleichzeitig die Energieeffizienz, die Gr\u00f6\u00dfe und das Gewicht vieler Ger\u00e4te reduziert hat.<\/p>\n
Die gro\u00dfe Energiebandl\u00fccke von Siliziumkarbid macht es zu einem ausgezeichneten Halbleitermaterial f\u00fcr Anwendungen in der Leistungselektronik, wie z. B. Wechselrichter in Elektrofahrzeugen (EVs). Dank ihrer Effizienz k\u00f6nnen die Fahrer von Elektrofahrzeugen die Reichweite erh\u00f6hen und gleichzeitig die Batterien kleiner halten - vor allem dank der im Vergleich zu Siliziummodellen deutlich geringeren Umwandlungsverluste bei h\u00f6heren Spannungen von 800 V oder mehr.<\/p>\n
Die geringe W\u00e4rmeausdehnung, die Steifigkeit und die elektrische Leitf\u00e4higkeit von Siliziumkarbid machen es zu einem n\u00fctzlichen Material f\u00fcr verschiedene andere Zwecke. So werden seine Spiegel in vielen astronomischen Teleskopen wie dem Herschel-Weltraumteleskop und dem Gaia-Weltraumobservatorium verwendet. Auch in einigen Fusionsreaktoren kommt es zum Einsatz, da es sehr hohen Temperaturen und Strahlungsbelastungen standhalten kann.<\/p>\n
ROHM hat bereits eine Reihe von SiC-MOSFETs speziell f\u00fcr 1500-V-Gleichstromsysteme entwickelt, die in PV-Wechselrichtern, USV-Einheiten und anderen industriellen Anwendungen eingesetzt werden, sowohl diskret als auch als Nacktchips f\u00fcr Modulhersteller. ROHM ist auch in den Automobilmarkt eingestiegen, indem es 2kV-SiC-SBDs anbietet, die als PFC-Abschnitte von Onboard-Ladeger\u00e4ten und Wechselrichtern verwendet werden, um die Reichweite zu erh\u00f6hen und gleichzeitig die Batteriegr\u00f6\u00dfe zu verringern; ihr Bauelement bietet einen branchenf\u00fchrenden niedrigen Durchlasswiderstand sowie eine Kurzschlussfestigkeit, die f\u00fcr die Erh\u00f6hung der Reichweite bei gleichzeitiger Verringerung der Batteriegr\u00f6\u00dfe bei Elektrofahrzeugen entscheidend ist.<\/p>\n
Die breite Energiebandl\u00fccke von Siliziumkarbid tr\u00e4gt zur Verringerung der Umwandlungsverluste in elektrischen Antriebssystemen bei, wodurch sich der Wirkungsgrad der Batterie und die Reichweite erh\u00f6hen. Dar\u00fcber hinaus bieten Hochleistungs-SiC-Leistungsbauelemente eine wesentlich bessere Leistung als herk\u00f6mmliche Silizium-IGBTs, die in Ladeger\u00e4ten und Motorwechselrichtern f\u00fcr Elektrofahrzeuge eingesetzt werden.<\/p>\n
ROHM konnte eine rasche Akzeptanz seiner SiC-MOSFETs der 4. Generation mit 750 V und 1200 V in Wechselrichtern f\u00fcr Elektrofahrzeuge verzeichnen, und zwar dank ihres branchenf\u00fchrenden niedrigen Durchlasswiderstands pro Fl\u00e4cheneinheit ohne Beeintr\u00e4chtigung der Kurzschlussfestigkeit sowie der geringeren parasit\u00e4ren Kapazit\u00e4t, die die Schaltleistung f\u00fcr kleinere Wechselrichter verbessert.<\/p>\n
Diese Leistungsbauelemente verf\u00fcgen \u00fcber einen gr\u00f6\u00dferen Betriebstemperaturbereich als Siliziumkomponenten, so dass sie bei h\u00f6heren Temperaturen arbeiten k\u00f6nnen, ohne dass die Zuverl\u00e4ssigkeit oder Leistung beeintr\u00e4chtigt wird. Damit sind sie eine ideale L\u00f6sung f\u00fcr Leistungselektronik-Anwendungen, die einen erweiterten Temperaturbereich erfordern.<\/p>\n
Rohm hat ein umfassendes Angebot an leistungseffizienten Halbleitern und Schottky-Barriere-Dioden aus SiC f\u00fcr Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt. Diese Dioden sind in verschiedenen Geh\u00e4usen erh\u00e4ltlich, um die spezifischen Anforderungen an die Strom- und Verlustleistung zu erf\u00fcllen.<\/p>\n
Durch die Kombination von Ger\u00e4te-\/Steuerungs- und Modultechnologien ist ROHM in der Lage, optimale Leistungsl\u00f6sungen f\u00fcr verschiedene Anwendungen anzubieten. Rohm hat vor kurzem mit Valeo bei der Entwicklung des TRCDRIVE-Packs(tm) zusammengearbeitet, das speziell f\u00fcr Wechselrichter von Elektrofahrzeugen entwickelt wurde; durch diese Partnerschaft soll der Absatz von Leistungshalbleitern f\u00fcr Wechselrichter von Elektrofahrzeugen gesteigert werden.<\/p>\n
Siliziumkarbid-Chips k\u00f6nnen bei h\u00f6heren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen als ihre Silizium-Gegenst\u00fccke arbeiten, um Leistungsverluste zu minimieren, und eignen sich daher hervorragend f\u00fcr Wechselrichter, Umrichter und On-Board-Ladeger\u00e4te in Elektrofahrzeugen. Ihr geringerer Energieverbrauch tr\u00e4gt dazu bei, die Reichweite pro Batterieladung zu erh\u00f6hen und die Batteriemanagementsysteme insgesamt zu verbessern.<\/p>\n
ROHM hat vor kurzem eine Presseerkl\u00e4rung herausgegeben, in der sie erkl\u00e4ren, dass ihre neuen Gen 4-Produkte entwickelt wurden, um die Hochgeschwindigkeits-Schaltanforderungen von Leistungselektronik wie Wechselrichtern und bidirektionalen Ladeger\u00e4ten f\u00fcr Elektrofahrzeuge zu erf\u00fcllen. Ihre \u00fcberragenden Durchbruchspannungswerte k\u00f6nnen mehr als doppelt so viel Strom aufnehmen, w\u00e4hrend sie 50% geringere Schaltverluste und 40% geringeren Durchlasswiderstand pro Fl\u00e4cheneinheit bieten, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeintr\u00e4chtigen.<\/p>\n
Diese hocheffizienten MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige Schwellenspannung aus, die es ihnen erm\u00f6glicht, bei h\u00f6heren Temperaturen zu arbeiten, ohne dass K\u00fchlsysteme zur Ableitung \u00fcbersch\u00fcssiger W\u00e4rme erforderlich sind, was zu einer weiteren Verringerung der Energieverluste bei gleichzeitiger Verbesserung des Wirkungsgrads beitr\u00e4gt und sich f\u00fcr kleinere Ger\u00e4te als herk\u00f6mmliche Siliziumchips eignet.<\/p>\n
Es ist kein einzelner Wafer erforderlich, um Hochleistungsanwendungen zu realisieren. Dar\u00fcber hinaus umfasst ihr Herstellungsprozess 100% gr\u00fcne Technologien - darunter Fabrikautomatisierung und Systeme f\u00fcr erneuerbare Energien -, die die Umwelt weniger belasten als herk\u00f6mmliche Halbleiter.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Rohm has made significant advancements in SiC componentry for power semiconductor devices. Their fourth generation trench MOSFET boasts lower energy losses and allows for smaller power systems. Electric Vehicles can operate at 800V for faster high-voltage charging, providing increased efficiency and range extension. Types Silicon carbide, or SiC for short (commonly referred to as carborundum… Weiterlesen »Fortschritte von Rohm bei Siliziumkarbid-MOSFETs f\u00fcr Elektrofahrzeuge<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-613","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/613","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=613"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/613\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":614,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/613\/revisions\/614"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=613"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=613"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=613"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}