Ingenieure, die SiC-Bauelemente einsetzen wollen, m\u00fcssen bei der Auswahl eines geeigneten Wafers f\u00fcr ihre Anwendung Leistungs- und Kostenaspekte ber\u00fccksichtigen. Erstklassige Substrate bieten optimale Qualit\u00e4t, w\u00e4hrend Wafer f\u00fcr die Forschung kosteng\u00fcnstigere Alternativen f\u00fcr unkritische Zwecke darstellen.<\/p>\n
Bevor Siliziumkarbid (SiC)-Wafer f\u00fcr die Herstellung von Bauelementen verwendet werden k\u00f6nnen, m\u00fcssen sie zun\u00e4chst in Form geschnitten werden. Dies kann in der Regel mit einer Mehrdrahts\u00e4ge in Kombination mit einer Diamantschleifsuspension erfolgen.<\/p>\n
Die F\u00e4higkeit von SiC, hohen Temperaturen standzuhalten, ist f\u00fcr die Halbleiterverarbeitung unerl\u00e4sslich. Dank seiner Festigkeit und chemischen Reinheit wird SiC h\u00e4ufig als Tr\u00e4ger f\u00fcr Wafer-Tabletts oder Paddles in Halbleiter\u00f6fen verwendet; au\u00dferdem ist es aufgrund seiner thermischen Stabilit\u00e4t ein wichtiger Bestandteil von Temperatur- und Spannungsreglern wie Thermistoren und Varistoren.<\/p>\n
SiC ist in verschiedenen Formen erh\u00e4ltlich, die als Polytypen bezeichnet werden und sich durch die Stapelanordnung der Silizium- und Kohlenstoffatome unterscheiden. Jeder Polytyp bietet unterschiedliche elektrische Eigenschaften, die sich auf die Leistung und Zuverl\u00e4ssigkeit der Bauelemente auswirken, die Ingenieure je nach Betriebsbedingungen und gew\u00fcnschten Leistungsmerkmalen ausw\u00e4hlen.<\/p>\n
Das Herzst\u00fcck der Vorbereitung von SiC-Substraten f\u00fcr die Herstellung von Bauelementen ist das Schneiden von Wafer-Rohlingen mit einer Drahts\u00e4ge. Dies ist ein wesentlicher Schritt, der je nach Qualit\u00e4t des Schnitts zur Verbesserung der Waferform beitr\u00e4gt, z. B. zur Verbesserung von W\u00f6lbung und Verformung. Zu den wichtigen Faktoren geh\u00f6ren die Auswahl einer geeigneten Kombination von Diamantschleifmitteln und Polierpads sowie die Einstellung von Geschwindigkeit und Vorschub f\u00fcr diesen Schritt.<\/p>\n
Mit der rasanten Entwicklung von 5G und anderen Technologien werden Halbleiterbauelemente mit hoher Leistung\/Hochspannung immer wichtiger. Siliziumkarbid (SiC) ist aufgrund seiner hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften ein ausgezeichnetes Material f\u00fcr solche elektronischen Hochleistungsger\u00e4te.<\/p>\n
Aufgrund der gro\u00dfen Bandl\u00fccke von SiC ist sein kritisches elektrisches Feld deutlich gr\u00f6\u00dfer als das von Silizium (Si). Dar\u00fcber hinaus ist die Abh\u00e4ngigkeit von der Kristallorientierung bei der Durchf\u00fchrung der elektroneninduzierten Multiplikation geringer, so dass die Sto\u00dfionisierungsenergie in SiC-pn-\u00dcberg\u00e4ngen im Vergleich zu Si-Bauelementen bei einer bestimmten Durchbruchspannung deutlich h\u00f6her ist.<\/p>\n
Die Herstellung hochwertiger SiC-Wafer erfordert die Optimierung mehrerer wichtiger Faktoren, darunter die Auswahl einer idealen Poliersuspension, die Wahl einer optimalen Kombination aus Pad und Poliertechnologie und die Auswahl einer geeigneten Maschine. Pureon verf\u00fcgt \u00fcber umfangreiche Erfahrungen bei der Optimierung dieser Prozesse, die zu h\u00f6heren Materialabtragsraten, gleichbleibender Waferform und Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t f\u00fchren.<\/p>\n
Siliziumkarbid (SiC) ist ein fortschrittlicher Halbleiter mit einer breiten Bandl\u00fccke, die ihn f\u00fcr den Betrieb bei hohen Temperaturen geeignet macht. Dar\u00fcber hinaus besitzt er hervorragende elektrische und thermische Leitf\u00e4higkeitseigenschaften, die ihn zur perfekten Materialwahl f\u00fcr viele verschiedene Anwendungen machen, von Elektrofahrzeugbatterien und 5G-Ger\u00e4ten bis hin zu IOT-Anwendungen.<\/p>\n
Die Leistung eines jeden Leistungsger\u00e4ts wird jedoch durch seinen Durchlasswiderstand bestimmt. Dies ist ein erhebliches Hindernis f\u00fcr die Effizienz, das den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen behindern k\u00f6nnte.<\/p>\n
Die Hersteller von SiC-Wafern haben es sich zur Aufgabe gemacht, den Durchlasswiderstand ihrer Bauelemente zu verringern, indem sie die Dotierungsdichte ihrer n-Schichten erh\u00f6hen, um die effektive Masse der darin beschleunigten Elektronen zu vergr\u00f6\u00dfern und die Wahrscheinlichkeit einer Sto\u00dfionisation entlang der 0001 zu erh\u00f6hen. Dadurch erh\u00f6ht sich die Energie, die f\u00fcr die Beschleunigung der Elektronen erforderlich ist, bis sie die Durchbruchsspannung erreichen, wodurch der Durchlasswiderstand von SiC-FETs sinkt.<\/p>\n
Urspr\u00fcnglich wurden SiC-Wafer f\u00fcr industrielle Schleifanwendungen entwickelt; heute sind ihre Auswirkungen jedoch \u00fcberall in der Leistungselektronik zu sp\u00fcren. Da sich das Mooresche Gesetz dem Ende zuneigt, suchen Hersteller von Elektrofahrzeugen und Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt nach SiC, um die Effizienz und Langlebigkeit der Ger\u00e4te deutlich zu verbessern.<\/p>\n
Das Potenzial von SiC muss jedoch durch ein Substrat ausgesch\u00f6pft werden, das dem strengen Prozess der Waferherstellung standh\u00e4lt. Die Rohlinge m\u00fcssen den Drahts\u00e4geschritt mit minimaler Verformung, Verwerfung und Gesamtdickenvariation (TTV) erfolgreich durchlaufen.<\/p>\n
Die Optimierung des Kristallwachstums - einschlie\u00dflich Temperaturgradienten, Gasflussraten und Verunreinigungsgrad - ist entscheidend f\u00fcr die Herstellung von SiC-Ingots mit minimalen Defekten, doch das abschlie\u00dfende Dicing entscheidet \u00fcber die Leistung der Wafer. Dank der Ritz- und Brechtechniken, die seit Jahrzehnten beim Glasschneiden eingesetzt werden, entscheidet der letzte Schritt des Trennens \u00fcber die Qualit\u00e4t der produzierten SiC-Wafer; hier verspricht die Ritz- und Brechmethode erhebliche Verbesserungen. Infolge des \u00fcberlegenen Ausbeuteverfahrens erm\u00f6glicht es die Herstellung von Leistungsbauelementen mit au\u00dfergew\u00f6hnlicher elektrischer Leistung und hoher Zuverl\u00e4ssigkeit.<\/p>\n
SiC ist ein au\u00dfergew\u00f6hnlich hartes und verschlei\u00dffestes Material, was es zum idealen Werkstoff f\u00fcr anspruchsvolle Umgebungen macht. Aufgrund seiner Festigkeit k\u00f6nnen leistungselektronische Ger\u00e4te bei h\u00f6heren Temperaturen und Spannungen betrieben werden, ohne dass es zu Leistungseinbu\u00dfen kommt, und es entstehen kleinere Ger\u00e4te mit geringeren parasit\u00e4ren Widerst\u00e4nden.<\/p>\n
Die Herstellung von SiC-Wafern kann eine komplexe und zeitaufw\u00e4ndige Aufgabe sein, die die Auswahl der Poliersuspension und des Polierpads zusammen mit pr\u00e4zisen Verarbeitungsparametern erfordert, um eine geringe Oberfl\u00e4chenrauheit auf der Waferoberfl\u00e4che zu erzielen. Pureons jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung von Produkten f\u00fcr diese Industrie ist eine unsch\u00e4tzbare Hilfe f\u00fcr Hersteller, die nach zuverl\u00e4ssigen Verfahren f\u00fcr die Herstellung dieser Substrate suchen.<\/p>\n
Eine sorgf\u00e4ltige Abw\u00e4gung der Wafer-Spezifikationen und der F\u00e4higkeiten des Anbieters stellt sicher, dass die Kunden SiC-Wafer in Prime- oder Research-Qualit\u00e4t w\u00e4hlen, die ihren Projektzielen am besten entsprechen und gleichzeitig die Budgeteinschr\u00e4nkungen einhalten. Auf diese Weise k\u00f6nnen sie die Vorteile beider Technologien nutzen und gleichzeitig die Vorteile beider Technologien voll aussch\u00f6pfen.<\/p>\n
Siliziumkarbid (SiC), das seit Jahrzehnten in industriellen Schleifmitteln und Autobremsen eingesetzt wird, ist ein ausgezeichnetes Material f\u00fcr strahlungsbest\u00e4ndige Hochtemperaturanwendungen. Dar\u00fcber hinaus eignen sich die Eigenschaften von SiC f\u00fcr die n\u00e4chste Generation von Leistungsger\u00e4ten.<\/p>\n
\u00dcberlegene thermische und mechanische Eigenschaften verst\u00e4rken die Leistungsvorteile von SiC-Wafern noch. Ihre effiziente W\u00e4rmeableitung erm\u00f6glicht eine \u00fcberragende Ger\u00e4teeffizienz, w\u00e4hrend ihre H\u00e4rte sie vor Besch\u00e4digung und Verschlei\u00df in anspruchsvollen Umgebungen sch\u00fctzt.<\/p>\n
Die Bem\u00fchungen der Waferhersteller, Kostengleichheit mit Siliziumbauteilen zu erreichen und die Einschr\u00e4nkungen in der Lieferkette im Zusammenhang mit dem Wachstum von Elektrofahrzeugen zu bew\u00e4ltigen, zwingen sie zu Innovationen und Investitionen in Verbesserungen. Die Auswahl von Prime- oder Research-Grade-Wafern wirkt sich direkt auf diese Eigenschaften aus. Daher ist es wichtig, dass Sie sich die Zeit nehmen, die Spezifikationen und die F\u00e4higkeiten der Anbieter sorgf\u00e4ltig zu pr\u00fcfen, damit Ihr Projekt ein Erfolg wird.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Engineers seeking to use SiC devices must consider performance and cost considerations when selecting an appropriate wafer for their application. Prime grade substrates provide optimal quality while research grade wafers offer more cost-effective alternatives for non-critical purposes. Before silicon carbide (SiC) wafers can be used in device fabrication, they must first be cut to shape.… Weiterlesen »Die Auswahl des richtigen SiC-Wafers f\u00fcr Ihre Anwendung<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-593","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/593","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=593"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/593\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":594,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/593\/revisions\/594"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=593"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=593"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=593"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}