Rohm hat vor kurzem seine vierte Generation von SiC-MOSFETs vorgestellt, und wir von PGC Consultancy und TechInsights haben sie getestet, um festzustellen, ob sie den Herstellerangaben entsprechen.<\/p>\n
Amine Allouche und Poshun Chiu von der Yole-Gruppe geben einen Einblick in die Gesch\u00e4ftsstrategien, technologischen Innovationen und die Produkt-Roadmap von ROHM f\u00fcr den Power-SiC-Markt.<\/p>\n
SiC-Bauelemente werden aufgrund ihrer h\u00f6heren Effizienz immer beliebter. Eine wichtige Anwendung f\u00fcr SiC-Bauelemente sind Traktionswechselrichter f\u00fcr Elektrofahrzeuge (xEVs), bei denen eine gro\u00dfe Anzahl von Wechselrichtern erforderlich ist, um die Reichweite zu erh\u00f6hen.<\/p>\n
Herk\u00f6mmliche Silizium-IGBTs k\u00f6nnen in Bezug auf die f\u00fcr den Einsatz in Fahrzeugen erforderliche Leistung und Zuverl\u00e4ssigkeit nicht mit diesen neuen Designs mithalten. ROHM war das erste Unternehmen weltweit, das SiC-MOSFETs in Massenproduktion herstellte und verf\u00fcgt nun \u00fcber eine beeindruckende Auswahl an AEC-Q101-konformen Bauelementen, die in PV-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und PFC-Abschnitten f\u00fcr Ladeger\u00e4te f\u00fcr Elektrofahrzeuge eingesetzt werden.<\/p>\n
Trench-MOSFETs unterscheiden sich von herk\u00f6mmlichen Planar-MOSFETs durch ihre Trench-Struktur, die den Durchlasswiderstand reduziert und gleichzeitig eine hervorragende Kurzschlussfestigkeit bietet. In Kombination mit niedrigeren parasit\u00e4ren Kapazit\u00e4ten und der Reduzierung der parasit\u00e4ren Kapazit\u00e4ten f\u00fchrt diese Struktur letztlich zu 50% weniger Schaltverlusten im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen MOSFETs.<\/p>\n
Die SiC-Leistungsbauteile von ROHM wurden entwickelt, um die strengen Zuverl\u00e4ssigkeitsstandards zu erf\u00fcllen, die von Herstellern von Elektrofahrzeugen (xEV) gefordert werden. Die Marke EcoSiC von ROHM nutzt Siliziumkarbid, das in j\u00fcngster Zeit in der Stromversorgungsbranche f\u00fcr Aufsehen gesorgt hat, weil es die Leistung von herk\u00f6mmlichem Silizium weit \u00fcbertrifft. ROHM entwickelt unabh\u00e4ngig Technologien, die f\u00fcr die Weiterentwicklung von SiC unerl\u00e4sslich sind - Wafer-Herstellungsprozesse, Produktionssysteme und Verpackungssysteme - und festigt damit seine Position als Branchenf\u00fchrer.<\/p>\n
Die zweite Generation der 1200-V-SiC-MOSFET-Produkte von CCS weist aufgrund ihres Herstellungsprozesses eine Stabilit\u00e4t auf, die die von Si-Silizium-Transistoren (Si-MOSFETs) selbst bei hohen Spannungen \u00fcbertrifft. Dies ist auf die wirksame Verhinderung der Ausbreitung von Stapelfehlern zur\u00fcckzuf\u00fchren, die andernfalls zu einer Verschlechterung der Leitf\u00e4higkeit der Body-Diode f\u00fchren k\u00f6nnten. Die TDDB-Tests von CCS, die unter Bedingungen durchgef\u00fchrt wurden, die den Langzeitbetrieb imitieren, haben diese Stabilit\u00e4t bewiesen, wobei w\u00e4hrend des von CCS simulierten Langzeitbetriebs keine Ausf\u00e4lle oder Schwankungen der Eigenschaften, wie z. B. des Widerstands, zu verzeichnen waren.<\/p>\n
Rohm hat den Zellenabstand um bis zu drei Zellen reduziert, wodurch die Probleme mit dem Kanalwiderstand, die bis zu 30% eines MOSFETs mit einem Einschaltwiderstand von 650 V ausmachen, wirksam gemindert werden.<\/p>\n
Die Bauelemente der 4. Generation von Rohm weisen einen um bis zu 40% geringeren On-Widerstand auf als die Vorg\u00e4ngergenerationen, was durch TechInsights-Querschnitte best\u00e4tigt wird. TechInsights-Querschnitte best\u00e4tigen dies und erm\u00f6glichen es Rohm, die Chipgr\u00f6\u00dfe zu verringern und gleichzeitig die Kosten zu senken.<\/p>\n
Rohm ist es gelungen, den ON-Widerstand zu verringern und gleichzeitig die parasit\u00e4re Kapazit\u00e4t zu verbessern und 50% geringere Schaltverluste im Vergleich zur vorherigen Generation von SiC-MOSFETs zu erzielen. Kurzschlusstests der Generation 4 werden in K\u00fcrze bei PGC stattfinden. Die Behauptung, dass die Kurzschlussfestigkeit mit der Reduzierung des Deratings zugenommen hat, ist ein Beweis daf\u00fcr, dass diese Bauelemente bedeutende Fortschritte darstellen.<\/p>\n
Angesichts der zunehmenden Verbreitung von IoT-Ger\u00e4ten und Hochleistungselektronik wie Smartphones und Computern sind effizientere Stromversorgungen erforderlich. SiC-MOSFETs bieten einen h\u00f6heren Wirkungsgrad als ihre Silizium-Gegenst\u00fccke und sorgen so f\u00fcr einen geringeren Energieverbrauch und schlankere Produkte mit geringerem Platzbedarf.<\/p>\n
Die 650-V-SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM weisen einen geringeren ON-Widerstand auf als die Bauelemente der 3. Erreicht wird dies durch ein neues Zellenlayout, das die Gate- und Body-Dioden-Verlustbereiche maximiert, sowie durch seine einzigartige Struktur, die eine Ausbreitung von Stapelfehlern w\u00e4hrend der Body-Dioden-Leitung verhindert.<\/p>\n
Poshun Chiu von der Yole-Gruppe f\u00fchrte ein Interview mit Akifumi Enomoto, Abteilungsleiter f\u00fcr die Gesch\u00e4ftsstrategie f\u00fcr Leistungsbauelemente der ROHM-Gruppe. Gemeinsam er\u00f6rterten sie die Strategien und technologischen Innovationen des Unternehmens auf dem rasch expandierenden Power-SiC-Markt. Klicken Sie hier, um das vollst\u00e4ndige Gespr\u00e4ch zu lesen.<\/p>\n
Rohm wird auf der N\u00fcrnberger Fachmesse f\u00fcr Leistungselektronik, Intelligent Motion und Energiemanagement PCIM Innovationen bei Leistungshalbleiter-Bauelementen zur Senkung der Systemkosten vorstellen. Als einer der f\u00fchrenden Anbieter von Leistungsbauelementen mit breiter Bandl\u00fccke bietet Rohm mit seinen Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) eine hervorragende Spannungsstabilit\u00e4t bei hohen Spannungen.<\/p>\n
Amine Allouche und Poshun Chiu von Yole sprechen mit Akifumi Enomoto, Department Manager, Power Devices Business Strategy bei ROHM, \u00fcber ihre Strategien, um aus dem schnell wachsenden Power-SiC-Markt Kapital zu schlagen.<\/p>\n
Enomoto erl\u00e4utert, wie ROHMs SiC-MOSFETs der Generation 3 ein innovatives zweidimensionales Gate-Gitter verwenden, um die Gate-Dichte in jeder Zelle nahezu zu verdoppeln und die Gesamtgr\u00f6\u00dfe des Geh\u00e4uses zu verringern. Dar\u00fcber hinaus zeichnen sich diese Bauelemente durch eine geringe Vorw\u00e4rtsspannung und einen niedrigen Widerstand aus, die die Schaltverluste f\u00fcr Elektrofahrzeuge drastisch reduzieren und gleichzeitig zu einer Senkung der Gesamtkosten beitragen. F\u00fcr Automobilentwickler sind ROHM Gen 3 SiC MOSFETs von unsch\u00e4tzbarem Wert, wenn es darum geht, leistungsstarke Motorantriebe mit reduzierter Verlustleistung und erweiterter Reichweite im Batteriebetrieb zu entwickeln.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Rohm has recently unveiled their fourth generation of SiC MOSFETs and we at PGC Consultancy and TechInsights have been testing them to see whether or not they meet manufacturer claims. Yole Group’s Amine Allouche and Poshun Chiu provide insight into ROHM’s business strategies, technological innovations, and product roadmap for Power SiC markets. High Efficiency SiC… Weiterlesen »Rohm SiC-MOSFETs - sind sie den Anforderungen gewachsen?<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-579","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/579","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=579"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/579\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":580,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/579\/revisions\/580"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=579"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=579"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=579"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}