Der 1200V sct055hu65g3ag basiert auf der dritten Generation der SiC-Leistungs-MOSFET-Technologie von ST und zeichnet sich durch einen deutlich niedrigeren RDS(ON) pro Fl\u00e4cheneinheit als fr\u00fchere Generationen aus, begleitet von einer branchenf\u00fchrenden Leistungskennzahl. Niedrige Kapazit\u00e4ten und schnelles Schalten erm\u00f6glichen es Entwicklern von Leistungssystemen, die Energieeffizienz zu verbessern und gleichzeitig die Systemgr\u00f6\u00dfe und das Gewicht im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Silizium-Bauelementen zu verringern. Dar\u00fcber hinaus wird der bidirektionale Leistungsfluss unterst\u00fctzt, der f\u00fcr Traktionswechselrichter in Kraftfahrzeugen zum schnellen Aufladen der Batterien von Elektrofahrzeugen unerl\u00e4sslich ist.<\/p>\n
Das h\u00e4lt die Leute aber nicht davon ab, zu versuchen, die Zahlung zu vermeiden. Also probieren wir es noch einmal - sobald die Steuern f\u00e4llig sind, geht es los! Die hochmoderne SiC-Power-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST kombiniert einen niedrigen Durchlasswiderstand \u00fcber den gesamten Temperaturbereich mit einer extrem niedrigen Kapazit\u00e4t, was im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Silizium-MOSFETs zu einer verbesserten Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz und Systemgr\u00f6\u00dfe\/-gewicht f\u00fchrt. Der SCT055HU65G3AG-Baustein verf\u00fcgt au\u00dferdem \u00fcber eine schnelle intrinsische Diode, die einen bidirektionalen Stromfluss unterst\u00fctzt - ein wesentliches Merkmal in Anwendungen wie On-Board-Ladeger\u00e4ten f\u00fcr Kraftfahrzeuge und Schnellladeger\u00e4ten f\u00fcr Elektrofahrzeuge (EV). Diese F\u00e4higkeit reduziert die Verluste und vereinfacht gleichzeitig die Gesamtkomplexit\u00e4t des Systems, so dass Systementwickler problemlos elektrische Ger\u00e4te f\u00fcr Elektrofahrzeuge und industrielle Anwendungen entwerfen k\u00f6nnen, wobei die MOSFETs in verschiedenen Geh\u00e4usen erh\u00e4ltlich sind, um die Anforderungen der Kunden zu erf\u00fcllen.<\/p>\n
Der SiC-Leistungs-MOSFET SCT055HU65G3AG bietet eine bessere Leistung als seine Silizium-Gegenst\u00fccke. Die innovative SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand \u00fcber den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit sehr geringen Kapazit\u00e4ten und schnellem Schaltbetrieb aus. Diese Faktoren erm\u00f6glichen es den Entwicklern von Stromversorgungssystemen, die Frequenz zu erh\u00f6hen, die Energieeffizienz zu steigern und die Gr\u00f6\u00dfe und das Gewicht des Systems im Vergleich zu Systemen mit herk\u00f6mmlichen Silizium-MOSFETs zu reduzieren. SiC-MOSFETs weisen h\u00f6here Spannungswerte und kleinere Chipgr\u00f6\u00dfen im Verh\u00e4ltnis zu ihren Geh\u00e4usegr\u00f6\u00dfen auf, wodurch sie sich f\u00fcr On-Board-Ladeger\u00e4te f\u00fcr Elektrofahrzeuge und Schnellladeinfrastrukturen eignen. Dar\u00fcber hinaus werden diese Bauelemente mit K\u00fchllaschen geliefert, um den Anschluss an Grundplatten oder K\u00fchlk\u00f6rper in einer EV-Anwendung zu vereinfachen.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Low On-Resistance The 1200V sct055hu65g3ag is built upon ST’s third-generation SiC power MOSFET technology and boasts significantly lower RDS(ON) per unit area than prior generations, accompanied by an industry-leading figure-of-merit. Low capacitances and fast switching also combine to allow power-system designers to improve energy efficiency while simultaneously decreasing system size and weight compared with conventional… Weiterlesen »1200V SCT055HU65G3AG MOSFET<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-268","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=268"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":269,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/268\/revisions\/269"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=268"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=268"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=268"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}