Clas Sic Wafer Fab ist die weltweit erste offene Foundry, die sich ausschlie\u00dflich der Herstellung von Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid widmet. Diese im Juni 2017 gegr\u00fcndete, bahnbrechende offene Foundry bietet eine schnelle Prozessforschung und -entwicklung sowie eine kurze Markteinf\u00fchrungszeit und verf\u00fcgt \u00fcber Kapazit\u00e4ten, die die Entwicklung von Bauelementen, die Bemusterung und die Produktion mittlerer St\u00fcckzahlen bis hin zu Wafern mit 150 mm Durchmesser umfassen.<\/p>\n
Angesichts des begrenzten Platzes auf dem Gel\u00e4nde wandte sich das Fertigungsteam an T-SQUARED, um ein umfassendes Design- und Konstruktions-Know-how zu erhalten, das sicherstellt, dass ein robustes Design geschaffen werden kann, das den Wert der Investition maximiert.<\/p>\n
Bei Class Sic erhalten die Teammitglieder Aktien, sobald das Unternehmen einen bedeutenden Markterfolg erzielt, was allen ein Gef\u00fchl der Eigenverantwortung vermittelt und sie motiviert, das \u00dcberleben des Unternehmens zu sichern. Die Mitarbeiterbeteiligung f\u00f6rdert auch den Austausch innovativer Ideen unter den Kollegen, w\u00e4hrend gleichzeitig die h\u00f6chstm\u00f6gliche Qualit\u00e4t der Arbeitsprodukte erzielt wird.<\/p>\n
Seit seiner Gr\u00fcndung hat sich Clas SiC schnell zu einem der weltweit f\u00fchrenden Unternehmen f\u00fcr die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern entwickelt. Mit diesem beeindruckenden Erfolg gehen ehrgeizige Expansionspl\u00e4ne einher, sowohl in Bezug auf die Kapazit\u00e4t als auch auf das Technologieportfolio.<\/p>\n
Leistungs-SiC-Bauelemente sind aufgrund der internationalen Bem\u00fchungen um einen Netto-Null-Energieverbrauch und die Elektrifizierung des Verkehrswesens weltweit sehr gefragt, und Leistungs-SiC-Bauelemente spielen eine entscheidende Rolle bei hocheffizienten Stromwandlungsanwendungen wie diesen.<\/p>\n
Aus dem j\u00fcngsten Bericht von Yole geht hervor, dass der Einsatz von SiC-Leistungsbauelementen in diesem Jahr rasch zunimmt; die Lieferkette muss jedoch auf diesen Anstieg vorbereitet sein - insbesondere auf der Epiwafer-Ebene, wo viele Anbieter Schwierigkeiten haben, ihre Produktionskapazit\u00e4ten zu erh\u00f6hen.<\/p>\n
Clas SiC WaferFab ist Gro\u00dfbritanniens einzige End-to-End-Gie\u00dferei f\u00fcr Siliziumkarbid (SiC)-Wafer f\u00fcr den Leistungsbereich. Sie bietet ihren Kunden Zugang zu s\u00e4mtlichen Entwicklungs- und Produktionsanforderungen f\u00fcr Siliziumkarbid (SiC)-Wafer mit umfassenden Dienstleistungen wie Bauelementedesign, Musterfertigung und Produktion mittlerer St\u00fcckzahlen auf 150-mm-Wafern. Die Kunden sind in der Lage, die Prozessforschung und -entwicklung (F&E) zu beschleunigen, die Entwicklung von Bauelementen, die sie entwerfen, schnell auf den Markt zu bringen und Pakete zur Unterst\u00fctzung der Bauelemente, einschlie\u00dflich Mustern f\u00fcr die Bauelementeherstellung, zu erhalten.<\/p>\n
Der Hauptsitz des Unternehmens befindet sich in Lochgelly, Fife, und bietet erstklassige Ingenieure und Fachkr\u00e4fte sowie hervorragende Einrichtungen f\u00fcr die Halbleiterproduktion.<\/p>\n
Jen Walls, CEO von Clas SiC, verf\u00fcgt \u00fcber einen umfassenden Hintergrund im Bereich der Halbleiter mit breiter Bandl\u00fccke. Sie begann ihre Karriere bei Raytheon in der Verteidigungsabteilung, wo sie schnell aufstieg. Jen hatte sich jedoch immer gew\u00fcnscht, dass der Gesch\u00e4ftsbereich Siliziumkarbid (SiC) eine unabh\u00e4ngige Einheit wird.<\/p>\n
Seit dem Start mit einer Finanzierung durch private Investoren in H\u00f6he von $50 Mio. im Jahr 2017 bis heute hat Clas Sic ein schnelles Wachstum der Kundennachfrage aufgrund der weltweiten Bem\u00fchungen um Netto-Null-Emissionen und die Elektrifizierung des Verkehrs erlebt. Infolgedessen hat das Unternehmen sowohl seine Kapazit\u00e4ten als auch sein Technologieportfolio erweitert, indem es SiC-Leistungsdioden und MOSFETs mit h\u00f6herer Spannung sowie hochmoderne Anlagen und Werkzeuge speziell f\u00fcr die SiC-Technologie hinzugef\u00fcgt hat.<\/p>\n
UnitedSiC schl\u00e4gt vor, dass jedes Unternehmen, das an der Herstellung von SiC-Leistungsbauelementen interessiert ist, eine Anlage ben\u00f6tigt, die zwischen 10.000 und 30.000 Wafer pro Monat zu Verarbeitungszwecken verarbeiten kann, da die Kosten f\u00fcr SiC den Preis der stromerzeugenden Schaltungen, die es verwenden, erh\u00f6hen k\u00f6nnen.<\/p>\n
SiC-Leistungshalbleiter wandeln Batterieleistung in Drehmoment um und sorgen so f\u00fcr eine h\u00f6here Fahrzeugleistung und -reichweite. Ihre \u00fcberlegene Energieeffizienz und Zuverl\u00e4ssigkeit im Vergleich zu siliziumbasierten Bauelementen macht sie zu sehr gefragten Bauelementen.<\/p>\n
Hersteller, die SiC-Leistungschips herstellen wollen, m\u00fcssen zun\u00e4chst hochwertige SiC-Substrate erwerben, bevor sie mit den Verarbeitungsschritten f\u00fcr den Zusammenbau ihrer Bauteile beginnen k\u00f6nnen. Ein wichtiger Schritt ist die Dotierung, bei der dem SiC Verunreinigungen hinzugef\u00fcgt werden, um seine elektrischen Eigenschaften zu ver\u00e4ndern und den Widerstand zu verringern.<\/p>\n
Bei diesem Prozess m\u00fcssen die Dotierstoffe pr\u00e4zise und mit minimaler Besch\u00e4digung des Kristallgitters platziert werden, was angesichts der H\u00e4rte und Dichte des Substratmaterials keine einfache Aufgabe ist. Um diese Aufgabe zu erleichtern, hat Applied Materials das 3D-Hei\u00dfionenimplantationssystem VIISta 900 entwickelt, das die Herstellung von hochwertigen SiC-Substraten erm\u00f6glicht.<\/p>\n
Dieses neue Werkzeug zielt darauf ab, die Ausbeute und die Energieeffizienz zu erh\u00f6hen, indem es eine einheitlichere und kompaktere SiC-Struktur erzeugt und Defekte oder Hohlr\u00e4ume beseitigt, die die Leistung beeintr\u00e4chtigen. Dar\u00fcber hinaus bieten die Werkzeuge der CS200-Plattform niedrigere Betriebskosten als herk\u00f6mmliche CMP-Anlagen, die f\u00fcr Silizium- oder Verbindungshalbleiter verwendet werden.<\/p>\n
Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) erfreuen sich aufgrund ihrer \u00fcberlegenen Leistung und niedrigeren Kosten im Vergleich zu Silizium-Leistungshalbleitern zunehmender Beliebtheit. Da die Nachfrage nach SiC steigt, m\u00fcssen die Chiphersteller f\u00fcr eine ausreichende Versorgung mit Wafern sorgen. Einige haben ihre eigenen Fertigungsanlagen gebaut, andere arbeiten mit Foundries zusammen, die die ben\u00f6tigten Wafer liefern k\u00f6nnen; ein neu aufkommendes Modell erm\u00f6glicht es jedoch auch fabriklosen Unternehmen, in den Markt einzutreten.<\/p>\n
F\u00fcr IDMs, die zum ersten Mal in den SiC-Markt einsteigen, kann das Modell einer Gie\u00dferei n\u00fctzlich sein. F\u00fcr etablierte IDMs ist dies jedoch nicht ideal, da alle Arbeitsabl\u00e4ufe und das Design unter einem Dach stattfinden m\u00fcssen, um die Beteiligung Dritter so weit wie m\u00f6glich zu vermeiden.<\/p>\n
Clas Sic Wafer Fab erm\u00f6glicht es dem Unternehmen, seinen Kunden dank eines erfahrenen Fertigungsteams, das sich der kontinuierlichen Verbesserung verschrieben hat, qualitativ hochwertige Produkte zu g\u00fcnstigeren Kosten anzubieten. Sie arbeiten bei der Entwicklung neuer Technologien und Produktionsverfahren eng mit den Zulieferern zusammen und entwickeln diese auch selbst weiter.<\/p>\n
Die Clas SiC Wafer Fab von ST wird es dem Unternehmen erm\u00f6glichen, hochvolumige STPOWER SiC-Produkte kosteneffizienter und in gr\u00f6\u00dferer St\u00fcckzahl zu produzieren, entsprechend den Kundenverpflichtungen, die auf 5 Milliarden Euro f\u00fcr Automobil- und Industrieanwendungen gesch\u00e4tzt werden. Sie soll bis 2024 in Betrieb gehen und wird dann eine der weltweit gr\u00f6\u00dften 200-mm-SiC-Power-Fabriken sein.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Clas Sic Wafer Fab is the world’s first open foundry dedicated exclusively to producing silicon carbide power semiconductors. Established in June 2017, this pioneering open foundry offers rapid process R&D and quick time-to-market with capabilities spanning device development, sampling and medium volume production up to 150mm diameter wafers. With their limited site footprint, the fabrication… Weiterlesen »Clas Sic Wafer Fab<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-204","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/204","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=204"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/204\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":205,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/204\/revisions\/205"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=204"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=204"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=204"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}