Die in Pittsburgh ans\u00e4ssige Coherent Corporation gab am Montag bekannt, dass DENSO und Mitsubishi Electric Corporation jeweils $500 Millionen f\u00fcr eine 12,5% Minderheitsbeteiligung an ihrem Siliziumkarbid-Halbleitergesch\u00e4ft investiert haben, das als separate Tochtergesellschaft gef\u00fchrt wird und von Sohail Khan, Executive Vice President of Wide Bandgap Electronic Technologies, geleitet wird.<\/p>\n
Mit diesem koh\u00e4renten Detektionsansatz k\u00f6nnen die Systemkosten erheblich gesenkt werden, da auf LO- und optische Frequenzverriegelungsschleifenkomponenten verzichtet werden kann und eine einfachere Technik zur Verfolgung der Polarisation zum Einsatz kommt.<\/p>\n
Siliziumkarbid (SiC) ist aufgrund seiner breiten Bandl\u00fccke, seiner hohen Durchbruchfeldst\u00e4rke, seiner hohen S\u00e4ttigungselektronendriftgeschwindigkeit und seiner W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit eine attraktive Wahl f\u00fcr die Leistungselektronik. Die elektrische Feldst\u00e4rke von SiC kann bis zu 10-mal gr\u00f6\u00dfer sein als die von Silizium; dies erm\u00f6glicht Ger\u00e4te, die ein Zehntel d\u00fcnner sind und gleichzeitig h\u00f6here Stromdichten verarbeiten k\u00f6nnen - was zu weniger Leistungsverlusten f\u00fcr kleinere und energieeffizientere Elektronikkomponenten f\u00fchrt.<\/p>\n
SiC wird aufgrund seiner bemerkenswerten physikalischen Eigenschaften bei h\u00f6heren Temperaturen eine immer wichtigere Rolle in energieeffizienten elektrischen Systemen der n\u00e4chsten Generation spielen, was es zu einem unverzichtbaren Element macht. Leistungselektronik, die in der Lage ist, h\u00f6heren Betriebstemperaturen standzuhalten und gleichzeitig eine gr\u00f6\u00dfere Zuverl\u00e4ssigkeit bei kleineren Formfaktoren zu bieten, wird eine entscheidende Rolle bei der Verringerung der Treibhausgasemissionen, der Aufrechterhaltung stabiler Netzinfrastrukturen und der Erschwinglichkeit von Strom f\u00fcr Unternehmen, Haushalte und Fahrzeuge gleicherma\u00dfen spielen.<\/p>\n
Automobilhersteller und Zulieferer ziehen es vor, SiC-basierte Leistungskomponenten von vertikal integrierten Lieferanten zu beziehen, d. h. von Unternehmen, die das Wafermaterial vom Seeding bis zur Herstellung der fertigen Bauelemente entwickeln. Dieser Ansatz gew\u00e4hrleistet eine gleichbleibende Qualit\u00e4t in der gesamten Lieferkette und verhindert, dass im Falle eines Problems die Schuld bei den verschiedenen Anbietern gesucht wird. Coherent bietet halbisolierende Substrate mit gro\u00dfem Durchmesser an, die sich f\u00fcr die Herstellung von GaN-on-SiC-Verst\u00e4rkern und anderen HF-\/Mikrowellen-Bauelementen eignen, die f\u00fcr Hochleistungsanwendungen in Elektrofahrzeugen geeignet sind.<\/p>\n
SiC-Substrate von hervorragender Qualit\u00e4t sind f\u00fcr die Herstellung modernster Leistungselektronik und Galliumnitrid (GaN)-Heteroepitaxie-Mikrowellen-HF-Ger\u00e4te unerl\u00e4sslich. Ihre Kombination aus hoher Durchbruchspannung, W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und GaN-Heteroepitaxie-Leistung sorgt f\u00fcr eine au\u00dfergew\u00f6hnliche HF-Leistung in diesen Ger\u00e4ten.<\/p>\n
Hochwertige Substrate erfordern eine sorgf\u00e4ltige Herstellung und Inspektion, um kristalline Defekte wie Karottendefekte, polytype Einschl\u00fcsse oder Kratzer auf der Waferoberfl\u00e4che zu minimieren, die die Leistung der Ger\u00e4te beeintr\u00e4chtigen k\u00f6nnten. Zu den g\u00e4ngigen Methoden der Oberfl\u00e4chenpr\u00fcfung geh\u00f6ren die Rasterelektronenmikroskopie, die Rasterkraftmikroskopie und die optische Mikroskopie.<\/p>\n
Unverarmte HPSi-Substrate (Hexagonal Polytype SiC), die mittels physikalischem Dampftransport (PVT) oder chemischer Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD) hergestellt werden, nutzen intrinsische Defekte, um tiefe Energieniveaus in ihre Bandl\u00fccke einzuf\u00fchren und die verbleibenden flachen Stickstoff- und Borspender zu kompensieren, die sich in der N\u00e4he ihres Zentrums befinden und das Fermi-Niveau n\u00e4her an dieses heranf\u00fchren.<\/p>\n
II-VI hat Anfang 2019 im Rahmen eines 50-50-Kostenteilungsvertrags mit einem Gesamtvolumen von $12M \u00fcber f\u00fcnf Jahre und mehr als $12M an staatlichen Mitteln erfolgreich die kommerzielle Produktion von 150mm 6H-Halbisolationssubstraten gestartet. Im Rahmen dieses Programms wurden erhebliche Anstrengungen unternommen, um die Fertigungseffizienz und den Durchsatz zu verbessern, ohne die Qualit\u00e4t zu beeintr\u00e4chtigen. Dazu geh\u00f6rten die Ausweitung der hei\u00dfen Zonen und die Installation automatischer Kontrollsysteme an den Wachstumsstationen - Verbesserungen, die zu einer Erh\u00f6hung der Mikrorohrdichte f\u00fchrten, wie in Abbildung 2 dargestellt.<\/p>\n
Die F\u00e4higkeit von SiC, koh\u00e4rente Spinzust\u00e4nde zu detektieren, erf\u00fcllt eine der Hauptanforderungen f\u00fcr komplexe Quantenkontrollanwendungen und \u00f6ffnet gleichzeitig die T\u00fcren zu Anwendungen der optisch detektierten magnetischen Resonanz (ODMR) und der Photodetektion von Rabi-Oszillationen.<\/p>\n
F\u00fcr diese Anwendungen sind anwendungsspezifische Hochfrequenzsysteme mit schmalen Bandbreiten und Langzeitstabilit\u00e4t erforderlich. Um diese Aufgabe zu erf\u00fcllen, m\u00fcssen die Polarisation und die r\u00e4umliche Verteilung der Mikrowellenmoden denen der optischen WGMs entsprechen.<\/p>\n
Die Ausnutzung der Richtungseigenschaften des Mikrowellenfeldes kann bei dieser Aufgabe hilfreich sein, z. B. durch Fokussierung auf eine Kante oder den \u00c4quator der Kugel ist es m\u00f6glich, die Mikrowellenmode in Regionen zu konzentrieren, in denen sich optische WGMs befinden.<\/p>\n
Alternativ kann ein HF-Signal angelegt werden, indem ein Mikrowellensignal von einem Magnetfeld mit eingeschalteter Resonanz verstimmt und von seiner Position mit eingeschalteter Resonanz verstimmt wird. Auf diese Weise k\u00f6nnen Messungen sowohl bei eingeschalteter als auch bei ausgeschalteter Resonanz durchgef\u00fchrt werden, ohne den \u00dcbergang zwischen diesen Zust\u00e4nden abzuwarten.<\/p>\n
Coherent (Gesch\u00e4ftsbereich Siliziumkarbid) stellt Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis her. Das Unternehmen bietet Substrate und epitaktische Wafer aus Siliziumkarbid an, um die weltweite Kundennachfrage zu decken. Die Siliziumkarbid-Gesch\u00e4ftsbereiche von Coherent haben Kunden rund um den Globus; weitere Informationen \u00fcber sie finden Sie auf der PitchBook-Plattform.<\/p>\n
W\u00e4rmeerzeugung, -\u00fcbertragung und -abfuhr sind wesentliche Bestandteile elektronischer Systeme. Jedes Ger\u00e4t hat unterschiedliche Temperaturen, bei denen es optimal arbeitet; um die Leistung zu maximieren, ist es wichtig, dass sie optimale Leistungsniveaus erreichen.<\/p>\n
Eine M\u00f6glichkeit, dieses Problem zu l\u00f6sen, ist die Verwendung einer W\u00e4rmesperre aus Siliziumkarbid (SiC). SiC hat einen niedrigen W\u00e4rmeausdehnungskoeffizienten, was bedeutet, dass sich seine Form w\u00e4hrend der Verarbeitung oder unter Stressbedingungen nicht drastisch \u00e4ndert. Dadurch sind d\u00fcnnere Wafer m\u00f6glich, w\u00e4hrend die Leistung erhalten bleibt und gleichzeitig die Gesamtabmessungen und Kosten der Ger\u00e4te sinken.<\/p>\n
Eine wirksame Strategie f\u00fcr das W\u00e4rmemanagement ist der Einsatz von Festk\u00f6rperk\u00fchlern wie thermoelektronischen K\u00fchlern (TEC). Diese passiven K\u00fchlger\u00e4te - ohne bewegliche Teile oder Steuerungen - sorgen f\u00fcr stabile Temperaturen \u00fcber lange Zeitr\u00e4ume und erreichen Betriebstemperaturen weit unter der Raumtemperatur.<\/p>\n
Mit reaktionsgebundenen Si\/SiC-Materialien (RBSiC) k\u00f6nnen Energieeinsparungen f\u00fcr Verbraucher- und Industrieanwendungen erzielt werden. Ein solcher TEC verwendet RBSiC-Material, das die Gr\u00f6\u00dfe der Grundplatte um 50 Prozent reduziert und gleichzeitig eine viermal h\u00f6here W\u00e4rmekapazit\u00e4t als Kupfer-TECs bietet. Die Chromdefektstruktur von RBSiC f\u00fchrt zu nicht entarteten Orbitaldoubletten, die sowohl kurze T1-Koh\u00e4renzzeiten (Spin T1) als auch lange Spin-T2-Koh\u00e4renzzeiten aufweisen und somit optimale optische und magnetische Koh\u00e4renzf\u00e4higkeiten bieten.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Pittsburgh-based Coherent Corporation announced on Monday that DENSO and Mitsubishi Electric Corporation each invested $500 million for a 12.5% non-controlling interest in its silicon carbide semiconductor business, operating it as a separate subsidiary and led by executive vice president of wide bandgap electronic technologies Sohail Khan. This coherent detection approach can significantly cut system costs… Weiterlesen \u00bbCoherent investiert $500 Millionen in Siliziumkarbid-Halbleitergesch\u00e4ft<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-104","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/104","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=104"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/104\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":105,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/104\/revisions\/105"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=104"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=104"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=104"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}