SiC ist eine extrem harte, synthetisch hergestellte kristalline Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff, die seit langem als Schleifmittel in Schleifscheiben, Schleifpapier und -tuch sowie in Industrie\u00f6fen und Raketentriebwerken eingesetzt wird.<\/p>\n
ROHM engagiert sich f\u00fcr die Verwendung von Materialien mit breiter Bandl\u00fccke in Leistungsbauelementen, wie z. B. SiC-MOSFETs. Diese Bauelemente bieten im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen planaren Leistungs-MOSFETs einen wesentlich geringeren Serienwiderstand.<\/p>\n
Leistungshalbleiterbauelemente bilden das Herzst\u00fcck von Leistungssystemen, und der Fortschritt in der Leistungselektronik h\u00e4ngt in hohem Ma\u00dfe von ihrer Leistung ab. SiC-Bauelemente bieten im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Silizium-Leistungshalbleitern (Si, Bandl\u00fccke 1,1 eV) h\u00f6here Schaltfrequenzen bei geringeren Verlusten und erm\u00f6glichen so die Schaffung kompakterer und effizienterer Systeme.<\/p>\n
ROHM hat vor kurzem seine 4. Generation von SiC-MOSFETs vorgestellt, die \u00fcber eine doppelte Trench-Struktur verf\u00fcgen, um parasit\u00e4re Kapazit\u00e4ten zu reduzieren und den branchenweit niedrigsten spezifischen ON-Widerstand zu bieten.<\/p>\n
Das Unternehmen hat mit diesen neuen Bauelementen auch einen geringen Leckstrom und eine geringe Temperaturabh\u00e4ngigkeit erreicht, so dass sie sich f\u00fcr Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Wechselrichter f\u00fcr Elektrofahrzeuge sowie f\u00fcr Schaltungen zur Leistungsfaktorkorrektur und Gleichrichterbr\u00fccken eignen - und damit schnellere Ladezeiten mit h\u00f6herer Effizienz f\u00fcr Batteriepacks von Elektrofahrzeugen erm\u00f6glichen.<\/p>\n
SiC-Schottky-Barrieredioden reduzieren die Anstiegsspannung im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Silizium-FRDs um mehr als die H\u00e4lfte, w\u00e4hrend sie \u00e4hnliche Leckstrom- und Erholungseigenschaften beibehalten, was einen schnelleren Betrieb von Hochgeschwindigkeitsbauelementen wie MOSFETs erm\u00f6glicht. Dar\u00fcber hinaus erm\u00f6glicht ihr geringerer Driftschichtwiderstand eine Konfiguration mit einer Spannungsfestigkeit von mehr als 600 V und kleineren passiven Komponenten, die wesentlich zu kleineren Stromversorgungssystemen mit geringeren Abmessungen, Gewicht und Energiekosten beitragen.<\/p>\n
Silizium ist seit langem das bevorzugte Material f\u00fcr Leistungshalbleiter, die in einer Reihe von elektronischen Schaltungen eingesetzt werden. Seit kurzem bietet Siliziumkarbid (SiC) jedoch eine attraktive Alternative mit einer breiteren Bandl\u00fccke, die im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Siliziumchips geringere Widerst\u00e4nde, Schaltverluste und Leckstr\u00f6me erm\u00f6glicht.<\/p>\n
ROHM hat SiC-Module in Spritzgussbauweise entwickelt, die sowohl die Gr\u00f6\u00dfe als auch das Gewicht f\u00fcr kompaktere Wechselrichter und Stromversorgungen f\u00fcr Elektrofahrzeuge reduzieren. Ihre SiC-MOSFETs der 4. Generation weisen einen geringeren Durchlasswiderstand auf als herk\u00f6mmliche Siliziummodule, w\u00e4hrend ihre innovative Trench-Struktur die Kurzschlussfestigkeit deutlich verbessert.<\/p>\n
SiC-Leistungsmodule maximieren die Hochgeschwindigkeitsleistung durch eine Kombination aus MOSFETs und SBDs, die vollst\u00e4ndig aus SiC-Material hergestellt sind. Sie bieten h\u00f6here Schaltfrequenzen als vergleichbare IGBTs auf Siliziumbasis und unterst\u00fctzen breitere Eingangsspannungsbereiche f\u00fcr eine energieeffizientere Nutzung.<\/p>\n
Siliciumcarbid (SiC) ist ein dichter, fester, schwarzer Kristall mit einer hexagonalen, dicht gepackten Struktur, der aus Kohlenstoff- und Siliciumatomen besteht, die bei Temperaturen \u00fcber 1.700 Grad Celsius durch chemische Reaktionen zwischen Kohlenstoff- und Siliciumatomen miteinander verbunden werden, wobei zwei prim\u00e4re Polymorphe entstehen: Alpha und Beta. Moistanit kommt in der Natur in bestimmten Meteoriten und Kimberlit vor, w\u00e4hrend Beta-Formen in Diamanten gefunden werden k\u00f6nnen, um Siliziumkarbidpulver herzustellen.<\/p>\n
Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) weisen im Vergleich zu Siliziumbauelementen h\u00f6here Schaltfrequenzen und geringere Verluste auf, wodurch energieeffizientere und kompaktere Systeme entstehen. Dar\u00fcber hinaus sind SiC-Leistungshalbleiter kohlenstoffneutral und tragen zur Senkung des Energieverbrauchs in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen bei. ROHM hat seine Marke EcoSiC f\u00fcr Produkte eingef\u00fchrt, die diese fortschrittliche Technologie enthalten.<\/p>\n
Das Logo von EcoSiC zeigt sechseckige Kristallstrukturen, die Schaltkreismuster darstellen und Pr\u00e4zision und Innovation symbolisieren. Die Farbgebung wurde als Hommage an Venturis Formel-E-Rennwagen in Rot gew\u00e4hlt, den ROHM im Rahmen seines Kooperationsprojekts f\u00fcr Hochleistungs-Elektrofahrzeuge mitentwickelt hat.<\/p>\n
Edward Acheson entdeckte SiC erstmals im Jahr 1891. Heute ist es ein industrielles keramisches Material, das als Schleifmittel, Stahlzusatz und Strukturbauteil verwendet wird - und auch einer der wichtigsten Rohstoffe f\u00fcr die Herstellung von Halbleiterbauelementen ist. Obwohl SiC in seinem urspr\u00fcnglichen Zustand im Allgemeinen farblos bis schwarz ist, kann sein Farbton durch Dotierung mit Phosphor, Stickstoff oder Aluminium ver\u00e4ndert werden.<\/p>\n
ROHM SiC-Leistungsbauteile wurden in Antriebswechselrichtern des chinesischen Automobilherstellers Zhejiang Geely Holding Group (Geely) eingesetzt. ROHM produzierte und lieferte au\u00dferdem Leistungsmodule mit seinen SiC-MOSFET-Bare-Chips der 4. Generation f\u00fcr GEEKR-Antriebsstrangmodule und baute damit seine Produktionskapazit\u00e4ten weiter aus, um die steigende Nachfrage nach diesen Produkten zu decken.<\/p>\n
Siliziumkarbid ist ein extrem hartes und steifes Material, dessen H\u00e4rte mit der von Diamant konkurriert. Mit seinem niedrigen W\u00e4rmeausdehnungskoeffizienten und seiner hohen elektrischen Leitf\u00e4higkeit ist Siliciumcarbid ein ausgezeichnetes Material f\u00fcr Anwendungen, bei denen Komponenten \u00fcber einen gro\u00dfen Temperaturbereich hinweg genau bleiben m\u00fcssen, wie z. B. Teleskopspiegel. Dar\u00fcber hinaus ist Siliciumcarbid aufgrund seiner Stabilit\u00e4t des Rahmens ein ausgezeichnetes Material f\u00fcr Hochgeschwindigkeits-Leistungshalbleiterger\u00e4te.<\/p>\n
ROHM hat auf die rasche Expansion der Elektrofahrzeugindustrie mit einem 1200-V-RGA-IGBT mit verbesserter Leistung und Zuverl\u00e4ssigkeit reagiert, der dieses Manko behebt, indem er optimierte Produkte mit geringen Schaltverlusten und thermischen Eigenschaften anbietet, die die Leistungsdichte erh\u00f6hen und gleichzeitig mit bestehenden IGBT-L\u00f6sungen kompatibel bleiben.<\/p>\n
SEMIKRON und ROHM Semiconductor haben gemeinsam die weltweit erste komplette EV-Wechselrichterl\u00f6sung mit Siliziumkarbid (SiC) entwickelt. Ihr integriertes Leistungsmodul enth\u00e4lt einen ROHM SiC-MOSFET in einem SEMIKRON eMPackTM-Modul, das f\u00fcr Automobilanwendungen entwickelt wurde. Es ist mit der LabVIEW-Programmierumgebung von National Instruments gekoppelt und bietet Unterst\u00fctzung bei der Auswahl vollst\u00e4ndig qualifizierter, einsatzbereiter Leistungsbaugruppen, bei der Entwicklung von Regelalgorithmen, bei Hardware-In-Loop-Tests in Echtzeit (HIL), bei der Analyse der elektrischen Leistung und bei Kommunikationsprotokollen f\u00fcr das Stromnetz.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
SiC is an extremely hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon that has long been utilized as an abrasive in grinding wheels, abrasive paper and cloth, as well as in industrial furnaces and rocket engines. ROHM is committed to using wide bandgap materials in power devices, such as SiC MOSFETs. These devices offer… Weiterlesen \u00bbROHM EcoSiC<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-100","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-uncategorized"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/100","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=100"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/100\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":101,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/100\/revisions\/101"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=100"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=100"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideplate.net\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=100"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}