Siliziumkarbid (SiC) wird aufgrund seiner höheren Belastbarkeit und seines geringeren Energieverbrauchs im Vergleich zu anderen Materialien in der Leistungselektronik immer beliebter... Mehr lesen »Der Einfluss des Siliziumkarbid-Waferpreises auf den Leistungselektronikmarkt

Wolfspeed bietet einen isolierten Gate-Treiber zum Schutz von Steuerschaltungen vor hohen Spannungen, die bei Leistungsumwandlungsdesigns auftreten. Zusätzlich wird dieses Design mit einem... Mehr lesen »Cree Siliziumkarbid-MOSFET

Siliciumcarbid (SiC) ist mit einem Wert von 9,5 auf der Mohs'schen Skala eines der härtesten Schleifkörner überhaupt - nur Diamant und Borkarbid sind härter. Strahlen... Mehr lesen »Was ist SiC-Schleifmittel?

Die SmartSiC-Wafer von Soitec verbessern die Elektronik, indem sie sie intelligenter machen und weniger Energie verbrauchen. Darüber hinaus können diese Siliziumkarbid-Bauelemente auch in... Mehr lesen »ESTEC Solutions bietet Sicherheitsbewertungen durch Dritte für Hersteller von Halbleiter-, Flachbildschirm- und Solarpanelanlagen an

Wolfspeed hat vor kurzem eine beispiellose Investition in eine hochmoderne Siliziumkarbid-Fertigungsanlage getätigt, die es dem Unternehmen ermöglichen wird, potenzielle künftige Nachfragespitzen zu... Mehr lesen »Wolfspeed Siliziumkarbid-Halbleiter mit breiter Bandlücke

Silizium wird technisch gesehen nicht als keramisches Material eingestuft; es bildet jedoch den Hauptbestandteil vieler keramischer Verbindungen und weist keramikähnliche Eigenschaften auf, wie z. B.... Mehr lesen »Keramisches Silizium und seine einzigartigen Eigenschaften

Siliziumkarbid ist ein extrem hartes synthetisches Material, das häufig für Schleifmittel und metallurgische Anwendungen verwendet wird und die gleiche Mohs-Härte wie Diamant... Mehr lesen »Was macht Siliziumkarbid transparent?

Siliziumkarbid, gemeinhin als Carborundum bezeichnet, kommt natürlich in Moissanit vor. Als eines der härtesten synthetischen Materialien kann SiC durch... Mehr lesen »Siliziumkarbid Verwendungszwecke

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) haben aufgrund ihrer überlegenen Leistung im Vergleich zu IGBTs auf Siliziumbasis großes Interesse in der Industrie geweckt. SiC-Bauteile haben einen geringeren Einschaltwiderstand,... Mehr lesen »Vorteile von Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Elektronische Hardware für taktische, mobile, luftgestützte und stationäre Anlagen muss sich auf die Steigerung der Effizienz bei gleichzeitiger Verringerung der Größe und der Kosten konzentrieren. SiC-Wafer mit großem Durchmesser... Mehr lesen »Siliziumkarbid (SiC)-Wafer mit großem Durchmesser verbessern die Effizienz und senken die Kosten bei taktischen Anwendungen