Siliziumkarbid (SiC) ist ein extrem hartes und chemisch inertes Material, das in der Metallurgie, im Bereich des abrasiven Verschleißes, bei feuerfesten Werkstoffen und in anderen Branchen weit verbreitet ist. Darüber hinaus ist SiC… Mehr lesen »Siliziumkarbid

Washington Mills ist der führende Hersteller von Alpha-SiC-Makrokörnern, Mikrokörnern und Pulvern unter dem Markennamen CARBOREX® in Nordamerika. Wir bieten dieses Produkt an… Mehr lesen »Siliziumkarbid-Lieferant

Hartmetallkeramik ist ein innovativer Werkstoff, der das Potenzial hat, herkömmliche Werkzeuge in bestimmten Anwendungsbereichen zu ersetzen. Dank ihrer überragenden Verschleißfestigkeit und Reißfestigkeit,… Mehr lesen »Vorteile von Hartmetallkeramik

Siliziumkarbidglas ist eine nichtoxidische Keramik, die sich durch außergewöhnliche Oxidationsbeständigkeit, Festigkeit bei erhöhten Temperaturen, Temperaturwechselbeständigkeit und gute Wärmeleitfähigkeit auszeichnet. Silizium… Mehr lesen »Siliziumkarbidglas

650-V-SiC-MOSFETs tragen dazu bei, den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Anwendungen zu verbessern, darunter SMPS für Server und Telekommunikation, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) … Mehr lesen »650-V-SiC-MOSFET

Rohm hat kürzlich seine SiC-MOSFETs der vierten Generation vorgestellt, und wir bei PGC Consultancy und TechInsights haben diese getestet, um herauszufinden, ob … Mehr lesen »Rohm SiC-MOSFETs - sind sie den Anforderungen gewachsen?

Wolfspeed ist ein Branchenführer im Bereich SiC-Substrate und Epitaxie-Wafer und verfügt über bewährte Technologien, die durch umfassende Schutzrechte abgesichert sind.… Mehr lesen »Siliziumkarbid-Substrate und Epitaxie-Wafer von Wolfspeed ermöglichen den Einsatz in Systemen für erneuerbare Energien

Für Anbieter von Siliziumkarbid (SiC) hat die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs) erhebliche Auswirkungen. Um von dieser Marktexpansion zu profitieren, müssen die Akteure in … investieren. Mehr lesen »Siliziumkarbid-Anbieter im Megatrend EV

Leistungs-SiC-MOSFETs erreichen in der Regel ein Gleichgewicht zwischen einem niedrigeren Einschaltwiderstand und der Kurzschlussfestigkeitsdauer, doch der MOSFET der vierten Generation (Gen 4) von ROHM schafft es, … Mehr lesen »SiC-MOSFETs von ROHM erzielen dank einer Doppel-Trench-Struktur einen geringeren Durchlasswiderstand und eine Kurzschlussfestigkeit

Siliziumkarbid behält auch bei hohen Temperaturen seine Festigkeit und zeichnet sich durch eine hervorragende Beständigkeit gegen Thermoschock, Säuren und Laugen sowie durch eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit aus… Mehr lesen »Siliziumkarbid als Verstärkung bei der SiC-Bearbeitung