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Niedriger Einschaltwiderstand Der 1200V sct055hu65g3ag basiert auf STs SiC-Leistungs-MOSFET-Technologie der dritten Generation und weist einen deutlich niedrigeren RDS(ON) pro Flächeneinheit auf als frühere Generationen,... Mehr lesen »1200V SCT055HU65G3AG MOSFET

Siliziumkarbid ist ein extrem hartes Material mit einem hervorragenden Verhältnis von Festigkeit zu Dichte, das eine höhere Wärmeausdehnungsbeständigkeit als Glas aufweist und höhere Temperaturen verträgt als... Mehr lesen »Transparente Siliziumkarbid-Substrate für die Elektronenmikroskopie

Siliziumkarbid ist aufgrund seiner Härte, Steifigkeit und geringen Wärmeausdehnung ein hervorragendes Material für Spiegel in astronomischen Teleskopen. Schleifmittel aus Siliziumkarbid sind... Mehr lesen »Texas Instruments und Siliziumkarbid

Die Bewertung der Qualität von geätztem Siliziumkarbid erfordert die Messung der mittleren quadratischen Rauheit (RMS). Die Ergebnisse einer eingehenden Studie zeigen eine direkte Beziehung zwischen... Mehr lesen »ICP-RIE-Ätzen von Siliziumkarbid

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke. Es kommt in der Natur in Form von Moissanit-Edelsteinen und als Industrieprodukt wie Korund vor. Chemisch Nickel mit Silizium... Mehr lesen »Was ist Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid (SiC) ist ein außergewöhnliches Material mit bemerkenswerten elektrischen und mechanischen Eigenschaften, wodurch es sich besonders für Anwendungen eignet, die eine Leistung bei hohen Temperaturen erfordern... Mehr lesen »Vorteile von 4H und 6H Siliziumkarbid für die Leistungselektronik

Siliziumkarbid (SiC) ist ein dem Diamant ähnlicher Halbleiter mit breiter Bandlücke und bietet ähnliche elektrische Eigenschaften, die höhere Schaltfrequenzen, geringere Leistungsverluste und... Mehr lesen »Der neue SiC-MOSFET von Onsemi

Siliziumkarbid (SiC) birgt ein großes Potenzial, die Leistungselektronik und andere Anwendungen zu revolutionieren, die eine robuste Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen... Mehr lesen »Siliziumkarbid-Halbleiter

Siliziumkarbid (SiC) ist ein extrem robustes, korrosionsbeständiges Material. Es kann hohen Temperaturen standhalten und ist gleichzeitig mit Vakuumumgebungen kompatibel und verfügt über nichtmagnetische... Mehr lesen »CeramicSpeed-Lager - Siliziumkarbid-Lager

Die überragende Wärmeleitfähigkeit von SiC-Substrat und die Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Ströme machen es zu einer ausgezeichneten Materialwahl für Leistungsbauelemente, wobei die Kosten 40%-50%... Mehr lesen »Leistungsbauelemente auf SiC-Substraten