1200V SCT055HU65G3AG MOSFET

Niedriger On-Widerstand

Der 1200V sct055hu65g3ag basiert auf der dritten Generation der SiC-Leistungs-MOSFET-Technologie von ST und zeichnet sich durch einen deutlich niedrigeren RDS(ON) pro Flächeneinheit als frühere Generationen aus, begleitet von einer branchenführenden Leistungskennzahl. Niedrige Kapazitäten und schnelles Schalten ermöglichen es Entwicklern von Leistungssystemen, die Energieeffizienz zu verbessern und gleichzeitig die Systemgröße und das Gewicht im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Bauelementen zu verringern. Darüber hinaus wird der bidirektionale Leistungsfluss unterstützt, der für Traktionswechselrichter in Kraftfahrzeugen zum schnellen Aufladen der Batterien von Elektrofahrzeugen unerlässlich ist.

Niedrige Kapazität

Das hält die Leute aber nicht davon ab, zu versuchen, die Zahlung zu vermeiden. Also probieren wir es noch einmal - sobald die Steuern fällig sind, geht es los! Die hochmoderne SiC-Power-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST kombiniert einen niedrigen Durchlasswiderstand über den gesamten Temperaturbereich mit einer extrem niedrigen Kapazität, was im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs zu einer verbesserten Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz und Systemgröße/-gewicht führt. Der SCT055HU65G3AG-Baustein verfügt außerdem über eine schnelle intrinsische Diode, die einen bidirektionalen Stromfluss unterstützt - ein wesentliches Merkmal in Anwendungen wie On-Board-Ladegeräten für Kraftfahrzeuge und Schnellladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV). Diese Fähigkeit reduziert die Verluste und vereinfacht gleichzeitig die Gesamtkomplexität des Systems, so dass Systementwickler problemlos elektrische Geräte für Elektrofahrzeuge und industrielle Anwendungen entwerfen können, wobei die MOSFETs in verschiedenen Gehäusen erhältlich sind, um die Anforderungen der Kunden zu erfüllen.

Schnelles Umschalten

Der SiC-Leistungs-MOSFET SCT055HU65G3AG bietet eine bessere Leistung als seine Silizium-Gegenstücke. Die innovative SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit sehr geringen Kapazitäten und schnellem Schaltbetrieb aus. Diese Faktoren ermöglichen es den Entwicklern von Stromversorgungssystemen, die Frequenz zu erhöhen, die Energieeffizienz zu steigern und die Größe und das Gewicht des Systems im Vergleich zu Systemen mit herkömmlichen Silizium-MOSFETs zu reduzieren. SiC-MOSFETs weisen höhere Spannungswerte und kleinere Chipgrößen im Verhältnis zu ihren Gehäusegrößen auf, wodurch sie sich für On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Schnellladeinfrastrukturen eignen. Darüber hinaus werden diese Bauelemente mit Kühllaschen geliefert, um den Anschluss an Grundplatten oder Kühlkörper in einer EV-Anwendung zu vereinfachen.